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gan技術(shù)

基于氮化鎵器件的集成化技術(shù)詳解

通過凹槽切斷柵極下方的2DEG,使得器件在零柵壓下為關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)正柵壓增至大于閾值電壓時,將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導(dǎo)電溝道,器件呈導(dǎo)通狀態(tài)。

2023-04-07 標(biāo)簽:SiC氮化鎵GaN 459 0

分立器件在GaN充電器中的應(yīng)用

分立器件在GaN充電器中的應(yīng)用

隨著氮化鎵GaN技術(shù)在PD快充領(lǐng)域的普及,充電器正朝著更小巧、更高效的方向發(fā)展。不過工程師在設(shè)計GaN充電器時,卻面臨一些棘手挑戰(zhàn): 在高頻狀態(tài)下,電磁...

2025-04-15 標(biāo)簽:充電器電磁干擾氮化鎵 459 0

LMG342x 評估模塊LMG342X-BB-EVM概述

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LMG342X-BB-EVM 是一款易于使用的分線板,可將任何 LMG342xR0x0 半橋板(如 LMG3422EVM-043)配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。...

2025-02-21 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 458 0

LMG2652 650V、140mΩ GaN半橋,集成驅(qū)動器、保護(hù)和電流感應(yīng)概述

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LMG2652 是一個 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2652通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET...

2025-02-21 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器FETGaN 455 0

TI LMG2610用于有源鉗位反激式轉(zhuǎn)換器的集成 650V GaN 半橋技術(shù)文檔

LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于 開關(guān)模式電源應(yīng)用中 < 75W 的有源鉗位反激式 (ACF) 轉(zhuǎn)換器。LMG...

2025-02-20 標(biāo)簽:電源FETGaN 454 0

TIDA-010236:適用于電器的 4kW GaN 圖騰柱 PFC參考設(shè)計

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此參考設(shè)計是一款 4kW 連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC),具有頂部冷卻的氮化鎵 (GaN) 子板和TMS320F280025C...

2025-02-24 標(biāo)簽:功率因數(shù)PFC氮化鎵 452 0

F29H859TU-Q1 汽車級 C2000? 64 位 MCU數(shù)據(jù)手冊

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F29H85x 和 F29P58x 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,旨在提高電力電子器件的效率,包括但不限于:...

2025-04-14 標(biāo)簽:微控制器存儲器電力電子器件 452 0

LMG3410R150-031 EVM用戶指南

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LMG3410EVM-031具有兩個LMG3410R150600VGaN功率晶體管,帶有集成驅(qū)動器,這些驅(qū)動器配置在-個半橋中,具有所有必需的偏置電路和...

2025-02-25 標(biāo)簽:電感GaN功率晶體管 451 0

LMG3650R025 650V 25mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測介紹

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LMG365xR025 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能,針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>

2025-02-21 標(biāo)簽:封裝電源轉(zhuǎn)換器FET 450 0

TIDA-050074:140W 基于 GaN 的 USB PD3.1 USB-C? 適配器參考設(shè)計

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LMG3522EVM-042 在半橋中配置了兩個 LMG3522R030 GaN FET,具有逐周期過流保護(hù)、鎖存短路保護(hù)功能和所有必要的輔助外圍電路。...

2025-02-24 標(biāo)簽:過流保護(hù)GaN短路保護(hù) 445 0

LMG3650R070 650V 70mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅(qū)動器和保護(hù)介紹

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PMP20873 效率為99%的1kW基于GaN的CCM圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計

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連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種簡單但高效的功率轉(zhuǎn)換器。為了達(dá)到 99% 的效率,需要考慮許多設(shè)計細(xì)節(jié)。PMP20873...

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PMP23146:45W高功率密度有源箝位反激式GaN參考設(shè)計用于服務(wù)器輔助電源

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此參考設(shè)計是基于 GaN 的 45W 有源鉗位反激式 (ACF),旨在實現(xiàn)最大功率密度。該電源旨在為服務(wù)器和電信電源單元 (PSU) 提供輔助電源。UC...

2025-02-24 標(biāo)簽:控制器服務(wù)器GaN 442 0

GaN HEMT憑什么贏得市場青睞

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2025-02-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 442 0

納芯微高壓半橋驅(qū)動芯片NSD2622N產(chǎn)品介紹

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納芯微發(fā)布專為增強(qiáng)型GaN設(shè)計的高壓半橋驅(qū)動芯片NSD2622N,該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路,支持自舉供電,具備高dv/dt抗擾能力和強(qiáng)驅(qū)動能力,可以顯著...

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時鐘 時鐘振蕩器 時鐘發(fā)生器 時鐘緩沖器 定時器 寄存器 實時時鐘 PWM 調(diào)制器
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