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目前GaN正逐漸廣泛應(yīng)用的四個(gè)主要中電壓領(lǐng)域
這篇技術(shù)文章由德州儀器(TEXAS INSTRUMENTS)的 Srijan Ashok 撰寫,主要介紹了中電壓氮化鎵(GaN)在四種應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)...
功率GaN技術(shù)已證明可為電源轉(zhuǎn)換帶來出色的效率。但對(duì)于汽車應(yīng)用這樣的市場(chǎng),解決方案還需要出色的耐用性,才能確保高質(zhì)量和可靠性。我們必須證明,Nexper...
美國(guó)國(guó)防部高級(jí)研究計(jì)劃局(DARPA)微系統(tǒng)技術(shù)辦公室主任Mark Rosker在去年舉辦的CS Mantech上表示,化合物半導(dǎo)體行業(yè)將很快進(jìn)入第三波...
技術(shù)資料#LMG3526R030 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的650V 30mΩ GaN FET
LMG352xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健? LMG3...
2025-02-24 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器GaN開關(guān)模式電源 573 0
氮化鎵(GaN)功率器件系列能夠設(shè)計(jì)出體積更小,成本更低,效率更高的電源系統(tǒng),從而突破基于硅的傳統(tǒng)器件的限制。 這里我們給大家介紹一下GaNPX?和PD...
2025-02-26 標(biāo)簽:GaN熱設(shè)計(jì) 564 0
從全球來看,豪華電動(dòng)汽車趨向于采用800V系統(tǒng),核心優(yōu)勢(shì)是電流?。ㄣ~線少)、更低的傳導(dǎo)損耗和更快的充電速度。芝能認(rèn)為2025年,中國(guó)的15萬在研產(chǎn)品都會(huì)...
2023-10-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車汽車電子GaN 564 0
在汽車和可再生能源領(lǐng)域,英飛凌已經(jīng)獲得了重大的設(shè)計(jì)勝利,相關(guān)客戶的約10億歐元的預(yù)付款將有望在2024年和2025年的財(cái)政年度為其自由現(xiàn)金流做出貢獻(xiàn)。英...
技術(shù)文檔#LMG3624 650V 170mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)
LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3624通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 ...
2025-02-24 標(biāo)簽:FETGaN柵極驅(qū)動(dòng)器 544 0
一種結(jié)合了SiC和GaN優(yōu)勢(shì)的晶體管
這是電力電子領(lǐng)域令人興奮的時(shí)代。在硅占據(jù)主導(dǎo)地位數(shù)十年后,兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經(jīng)開始占領(lǐng)價(jià)值數(shù)十億美元的市場(chǎng)。例如,碳化硅現(xiàn)在是電動(dòng)汽...
PMP22650:基于GaN的6.6kW雙向車載充電器參考設(shè)計(jì)
PMP22650 參考設(shè)計(jì)是一款 6.6kW 雙向車載充電器。該設(shè)計(jì)采用兩相圖騰柱 PFC 和具有同步整流功能的全橋 CLLLC 轉(zhuǎn)換器。CLLLC 利...
氮化鎵(GaN)無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng) 提升效率、減小尺寸和降低成本方面
本文圍繞氮化鎵(GaN)功率IC在無刷直流(BLDC)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)展開研究,通過設(shè)計(jì)實(shí)例和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),論證了其在提升效率、減小尺寸和降低成本方面的...
2025-04-24 標(biāo)簽:氮化鎵GaN無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng) 538 0
YLBPD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗GaN技術(shù)的零反向恢復(fù)特性(因?yàn)椴淮嬖隗w二極管)導(dǎo)致二極管反向偏置電流沒有穩(wěn)定時(shí)間,從而降低了死區(qū)...
BOOSTXL-LMG2100-MD 評(píng)估模塊的用戶指南
BOOSTXL - LMG2100 - MD 評(píng)估模塊,在本文檔中也稱為 “EVM”,通過基于分流器的精確電流檢測(cè),實(shí)現(xiàn)了具有精確相電流控制的氮化鎵(G...
TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級(jí),集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個(gè) ...
產(chǎn)品介紹#LMG5200 80V GaN 半橋功率級(jí)
LMG5200器件是一個(gè) 80V、10A 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 半橋功率級(jí),使用增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET 提供集成功率級(jí)解決方案。該器件由兩個(gè) 80...
2025-02-26 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器氮化鎵GaN 528 0
高速GaN E-HEMT的測(cè)量技巧方案免費(fèi)下載
高速GaN E-HEMT的測(cè)量技巧總結(jié) 一、概述 ? 重要性 ?:GaN E-HEMT(氮化鎵增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管)具有極高的開關(guān)速度,因此準(zhǔn)確的測(cè)...
SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作環(huán)境
GaN 、SiC很有可能在高壓高頻方面完全取代硅基,SiC MOSFET 主打高壓領(lǐng)域;GaN MOSFET 主打高頻領(lǐng)域。
GaN E-HEMTs的PCB布局經(jīng)驗(yàn)總結(jié)
GaN E-HEMTs的PCB布局經(jīng)驗(yàn)總結(jié)
2025-03-13 標(biāo)簽:GaNPCB布局Pcb layout 518 0
TIDA-010042 基于GaN的400W MPPT充電控制器和電源優(yōu)化器參考設(shè)計(jì)
該參考設(shè)計(jì)是一款適用于 12V 和 24V 電池的最大功率點(diǎn)跟蹤 (MPPT) 太陽能充電控制器,未來可用作電源優(yōu)化器。該參考設(shè)計(jì)布局緊湊,適用于中小型...
TI LMG2610詳解具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能且適用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋
2025-02-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器tiFET 513 0
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