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LMG3100R017 100V 1.7mΩ GaN FET,帶集成驅(qū)動器介紹
LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 (GaN) FET。該器件提供兩種 Rds(on) 和最大電流版本,L...
2025-02-21 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器FETGaN 511 0
F29H850TU C2000? 64 位 MCU,帶 C29x 200MHz 三核技術(shù)手冊
F29H85x 和 F29P58x 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列是可擴展、超低延遲的器件,旨在提高電力電子器件的效率,包括但不限于:...
TIDA-010936 適用于集成電機驅(qū)動器的48V/16A小型三相GaN逆變器參考設(shè)計
此參考設(shè)計展示了采用三個具有集成式 GaN FET、驅(qū)動器和自舉二極管的 100V、35A GaN 半橋 LMG2100R044 的高功率密度 12V ...
TIDA-00909 適用于高速驅(qū)動器的 48V/10A 高頻 PWM 三相 GaN 逆變器參考設(shè)計
低電壓、高速驅(qū)動器和/或低電感無刷電機需要在 40 kHz 至 100 kHz 范圍內(nèi)具有更高的逆變器開關(guān)頻率,以最大限度地減少電機中的損耗和轉(zhuǎn)矩紋波。...
本文針對當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。...
應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級熱性能總結(jié)
德州儀器(TI)提供的一種新的驅(qū)動器集成氮化鎵(GaN)功率級產(chǎn)品系列已在一個低成本、緊湊的四扁平無引腳(QFN)封裝中實現(xiàn),該封裝尺寸為12mm x ...
對于 GaN,中文名氮化鎵,我們實在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開始說起。好像從某個時間點開始,一夜之間,GaN 就如雨后春筍般...
HMC1099 10W GaN功率放大器,0.01-1.1GHz技術(shù)手冊
HMC1099是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器,在瞬時帶寬范圍為0.01 GHz至1.1 GHz時提供>10 W功率、69% PAE,增益平坦...
芯片?恒功率控制,意味著無論負(fù)載變化如何,系統(tǒng)都能保持恒定的輸出功率,確保設(shè)備在各種工作條件下都能穩(wěn)定運行。當(dāng)檢測到系統(tǒng)溫度過高時,主動降功率功能會啟動...
ADPA1113 2GHz至6GHz,46 dBm (40 W),GaN功率放大器技術(shù)手冊
ADPA1113 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器,可在 2.3 GHz 至 5.7 GHz 帶寬范圍內(nèi)實現(xiàn) 46.5 dBm (44.7 W)...
基于德州儀器TOLL封裝GaN器件優(yōu)化電源設(shè)計
當(dāng)今的電源設(shè)計要求高效率和高功率密度。因此,設(shè)計人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?/p>
技術(shù)資料#UCG28826 集成GaN的自偏置高頻QR反激式轉(zhuǎn)換器(65W)
UCG28826 是一款高頻準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器,內(nèi)置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT),可將交流轉(zhuǎn)換為直流,以實現(xiàn)高達 65W 的功...
2025-02-21 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器反激式轉(zhuǎn)換器晶體管 473 0
如何從零開始構(gòu)建深度學(xué)習(xí)項目?(如何啟動一個深度學(xué)習(xí)項目)
性能重大提升的背后往往是模型設(shè)計的改變。不過有些時候?qū)δP瓦M行微調(diào)也可以提升機器學(xué)習(xí)的性能。最終的判斷可能會取決于你對相應(yīng)任務(wù)的基準(zhǔn)測試結(jié)果。
2024-01-11 標(biāo)簽:GaN機器學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)集 472 0
GNE1040TB柵極耐壓高達8V的150V GaN HEMT數(shù)據(jù)手冊
GNE1040TB是柵極耐壓高達8V的150V GaNHEMT。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列,該系列產(chǎn)品通過更大程度地激發(fā)低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能,助力...
LMG3624評估模塊LMG3624EVM-081符合 USB Type-C? PD 標(biāo)準(zhǔn)的 65W 準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器
LMG3624EVM-081 采用具有電流檢測仿真功能的 LMG3624 集成式 GaN FET,展示了 65W USB Type-C? 電力輸送 (P...
TI LMG3624 具有集成式驅(qū)動器和電流檢測仿真功能的 650V 170m? GaN FET技術(shù)文檔
LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝...
UCC28780 1MHz 高頻有源鉗位反激式控制器數(shù)據(jù)手冊
UCC28780 是一款高頻有源鉗位反激式控制器,可實現(xiàn)高密度 AC-DC 電源,符合嚴(yán)格的全球能效標(biāo)準(zhǔn),如 DoE VI 級和歐盟 CoC V5 Ti...
TI LMG3624 具有集成驅(qū)動器、保護和電流檢測功能的 650V 170mΩ GaN FET
LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝...
GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的...
2025-03-07 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊HEMT 459 0
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