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GaN 的普及根植于其高電源和高電壓功能。這些特性使其適用于許多應(yīng)用,包括微波射頻 (RF) 和功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
技術(shù)資料#LMG3526R050 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)報(bào)告的 650V 50mΩ GaN FET
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,針對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍岣叩叫碌乃健? LMG3...
2025-02-24 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器電壓檢測(cè)GaN 398 0
具有集成驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)
德州儀器(TI)推出了一種新的集成氮化鎵(GaN)功率級(jí)產(chǎn)品家族,該家族采用了一種低成本緊湊的四方扁平無(wú)引線(OFN)封裝,封裝尺寸為12毫米x12毫米...
LMG3622EVM-082:LMG3622用于帶 USB Type-C? PD 的 65W準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器的評(píng)估模塊
LMG3622EVM-082 使用具有電流感應(yīng)仿真功能的 LMG3622 集成 GaN FET 演示了 65W USB Type-C? 供電 (PD) ...
2025-02-24 標(biāo)簽:反激式轉(zhuǎn)換器GaN電流感應(yīng) 392 0
ADPA1106 46 dBm (40W)、2.7GHz至3.5 GHz GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)
ADPA1106是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器,在2.7 GHz至3.1 GHz的帶寬內(nèi),可提供46 dBm (40 W)和56%的典型功率附加效...
技術(shù)資料#LMG3411R150 具有集成驅(qū)動(dòng)器和逐周期過(guò)流保護(hù)的 600V 150mΩ GaN
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,...
2025-02-25 標(biāo)簽:MOSFET電子系統(tǒng)GaN 388 0
HMC7885 2GHz至6GHz,45dBm功率放大器技術(shù)手冊(cè)
HMC7885是一款32 W氮化鎵(GaN)、單芯片微波集成電路(MMIC)功率放大器(PA)模塊,工作頻率范圍為2 GHz至6 GHz,提供18引腳密...
TMS320F280034-Q1 汽車級(jí) C2000? 32 位 MCU 120MHz 128KB 閃存數(shù)據(jù)手冊(cè)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包括但不...
LMG1025-Q1 具有 5V UVLO 的汽車類 7A/5A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LMG1025-Q1 是一款單通道低側(cè)增強(qiáng)型 GaN FET 和邏輯電平 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器,適用于高開(kāi)關(guān)頻率汽車應(yīng)用。窄脈沖寬度能力、快速開(kāi)關(guān)規(guī)格和...
2025-05-17 標(biāo)簽:二極管MOSFET驅(qū)動(dòng)器 386 0
HMC7149 10W GaN MMIC功率放大器,6-18GHz技術(shù)手冊(cè)
HMC7149是一款10W氮化鎵(GaN) MMIC功率放大器,工作頻率范圍為6至18 GHz。 通常情況下,該放大器提供20 dB的小信號(hào)增益、+40...
ADPA1105 46 dBm (40W)、0.9GHz至1.6GHz GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)
ADPA1105是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器,在帶寬范圍為0.9 GHz至1.4 GHz時(shí)提供46 dBm (40 W)功率和60%典型功率附加...
30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅(qū)動(dòng)電流分檔功能,通過(guò)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電流檔位,可以減少電磁干擾(EMI),優(yōu)化系統(tǒng)的整體性能和待機(jī)功耗。具體來(lái)...
PMP22244:具有 GaN 的 60W USB Type-C? 高密度有源鉗位反激式參考設(shè)計(jì)
此參考設(shè)計(jì)是一款適用于 USB Type-C 應(yīng)用的高密度 60W 115VAC 輸入電源,使用 UCC28782 有源鉗位反激式控制器、LMG2610...
LMG3624EVM-081評(píng)估模塊:用于帶 USB Type-C? PD 的 65W 準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器
LMG3624EVM-081 使用具有電流感應(yīng)仿真功能的 LMG3624 集成 GaN FET 演示了 65W USB Type-C? 功率傳輸 (PD...
2025-02-21 標(biāo)簽:適配器反激式轉(zhuǎn)換器FET 378 0
ADPA1107 45.0 dBm (35W)、4.8GHz到6.0GHz、GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)
ADPA1107 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器,可在 4.8 GHz 至 6.0 GHz 帶寬范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 45.0 dBm (35 W) 輸...
安森美高效電源方案:基于GaN技術(shù)的1KW智能工業(yè)電源
安森美推出了一款基于GaNFETNCP58921與次級(jí)控制芯片NCL38046的智能工業(yè)電源解決方案,支持通過(guò)Analog與PWM方式調(diào)整輸出功率,最大...
LMG3614 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 170mΩ GaN FET概述
LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 ...
2025-02-21 標(biāo)簽:FETGaN柵極驅(qū)動(dòng)器 375 0
ICP1543 12-18 GHz、20W GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)
ICONICRF公司的ICP1543是一款采用裸芯片形式的三級(jí)單片微波集成電路(MMIC)功率放大器,采用碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC)技術(shù)制造...
PMP31349 具有GaN開(kāi)關(guān)的30V至60V輸入、240W 降壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)
此參考設(shè)計(jì)是一種可從標(biāo)稱 48V 電池輸入(30V 至 60V 范圍)生成 12V 穩(wěn)壓輸出的電源。該電路設(shè)計(jì)為支持 20A 的連續(xù)輸出電流。LM514...
2025-02-21 標(biāo)簽:電源降壓轉(zhuǎn)換器GaN 374 0
BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
該產(chǎn)品是工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的一流產(chǎn)品。這是在這些應(yīng)用中使用的最佳產(chǎn)品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過(guò)...
2025-03-09 標(biāo)簽:ICGaN數(shù)據(jù)手冊(cè) 373 0
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