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LM5113-Q1系列 用于 GaNFET 的汽車級 1.2A/5A、100V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LM5113-Q1 旨在以同步降壓、升壓或半橋配置驅(qū)動汽車應(yīng)用中的高壓側(cè)和低壓側(cè)增強型氮化鎵 (GaN) FET 或硅 MOSFET。該器件具有集成的 ...
UCC27444 具有-5V輸入能力的 4A 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27444 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器,可有效驅(qū)動 MOSFET 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27444-Q1 的典型峰值驅(qū)動強度為 4 ...
2025-05-15 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)GaN 271 0
LMG1020 具有 5V UVLO 的 7A/5A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LMG1020 器件是一款單通道低側(cè)驅(qū)動器,設(shè)計用于在高速應(yīng)用中驅(qū)動 GaN FET 和邏輯電平 MOSFET,包括 LiDAR、飛行時間、面部識別以及...
UCC21540A-Q1 汽車5.7kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動器,具有5V UVLO和3.3mm通道間距數(shù)據(jù)手冊
UCC21540-Q1 器件是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動器,具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。它采用 4 A...
UCC27611 具有 4V UVLO 和 5V 穩(wěn)壓輸出的 4A/6A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27611 是一款針對 5V 驅(qū)動優(yōu)化的單通道高速柵極驅(qū)動器,專門針對增強型 GaN FET 進行尋址。驅(qū)動電壓 VREF 由內(nèi)部線性穩(wěn)壓器精確控...
Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅(qū)動器是一款100V器件,集成了頂部和底部驅(qū)動器級、驅(qū)動器邏輯控制和保護功能。該驅(qū)動器可配...
UCC5320 3k/5kVrms、2A/2A 單通道隔離柵極驅(qū)動器,UVLO 以 GND 或分離輸出為基準數(shù)據(jù)手冊
UCC53x0 是單通道隔離式柵極驅(qū)動器系列,設(shè)計用于驅(qū)動 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350SBD)。...
TPS7H6023-SP 抗輻射 QMLV 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括 T...
2025-05-15 標(biāo)簽:FET場效應(yīng)晶體管GaN 228 0
LMG1205 適用于GaNFET和MOSFET的1.2A、5A、90V、具有 5V UVLO 的半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
該 LMG1205 設(shè)計用于在同步降壓、升壓或半橋配置中驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè)增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件具有集成的 100V 自舉二極管以及用...
Analog Devices Inc. LTC7892兩相升壓控制器數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices LTC7892兩相升壓控制器可驅(qū)動所有N溝道同步氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)功率級,輸出電壓高達100V。高性能...
UCC21231 具有 4A 拉電流和 6A 灌電流的高速雙通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC21231 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。UCC21231 采用 ...
UCC27444-Q1 具有 -5V 輸入能力的汽車類 4A 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27444-Q1 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器,可有效驅(qū)動 MOSFET 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27444-Q1 的典型峰值驅(qū)動強度為...
2025-05-16 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)電源開關(guān) 211 0
E-GaN電源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型號,ID(A)(TJ=125℃)4.0,耐壓700V,推薦功率60W,采用的是ESOP-7封裝。
UCC27332-Q1 具有 20V VDD 和使能功能的汽車類 9A/9A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27332-Q1 是一款單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器,能夠有效驅(qū)動 MOSFET 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27332-Q1 的典型峰值驅(qū)動強度...
2025-05-16 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)電源開關(guān) 204 0
Analog Devices Inc. EVAL-LTC7892-BZ評估板數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices EVAL-LTC7892-BZ評估板設(shè)計用于演示LTC7892 GaN FET控制器。LTC7892優(yōu)化采用100V Ga...
耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限,若輸入電壓超過該值(如動態(tài)波動或負載突變),可能引發(fā)擊穿或永久損壞,直接影響器件可靠性、性能表現(xiàn)及系統(tǒng)適配性。高耐壓芯...
Analog Devices Inc. ADPA1116 GaN功率放大器數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices ADPA1116 GaN功率放大器具有39.5dBm飽和輸出功率(P ~OUT~ ),功率附加效率(PAE)為40%,輸入...
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