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標(biāo)簽 > hbm
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HBM供應(yīng)商議價(jià)提前,2025年HBM產(chǎn)能產(chǎn)值或超DRAM 3分
至于為何供應(yīng)商提前議價(jià),吳雅婷解釋道,首先,HBM買家對(duì)于人工智能需求前景十分樂(lè)觀;其次,HBM3e的TSV良率目前只有40%-60%,買家期望獲得品...
SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計(jì)劃至2025年
SK海力士宣布,計(jì)劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品,而16層堆疊版本的推出將會(huì)稍后。根據(jù)該公司上月與臺(tái)積電簽署的HBM基...
HBM內(nèi)存市場(chǎng)旺盛,2025年產(chǎn)能與市場(chǎng)份額將攀升
該報(bào)告顯示,2023 年 HBM 在市場(chǎng)中的占比僅為 2%,但預(yù)計(jì)今年將增至 5%,明年則有望突破 10%;而在市場(chǎng)份額上,從去年的 8%上升至今年的 ...
Q1半導(dǎo)體設(shè)備廠商財(cái)報(bào),GAA和HBM成為最大增長(zhǎng)點(diǎn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))作為整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的上游,半導(dǎo)體設(shè)備廠商的財(cái)報(bào)向來(lái)反映了芯片生產(chǎn)制造需求上所發(fā)生的變化。隨著半導(dǎo)體設(shè)備大廠們紛紛公布了今年...
2024-05-02 標(biāo)簽:應(yīng)用材料ASML季度財(cái)報(bào) 4386 0
三星和AMD日前宣布達(dá)成了一項(xiàng)價(jià)值30億美元的合作協(xié)議,引起了半導(dǎo)體領(lǐng)域的巨大轟動(dòng)。
臺(tái)積電表示A16工藝不需NAEU,新一代CoWoS封裝獲重大突破
在封裝技術(shù)的研發(fā)道路上,臺(tái)積電從未停止過(guò)前進(jìn)的腳步。而除了CoWoS封裝技術(shù)的巨大進(jìn)展,該公司還首次對(duì)外公布了其A16制程工藝。
SK海力士將采用臺(tái)積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片
HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺(tái)積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議,首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。
AI時(shí)代的存儲(chǔ)墻,哪種存算方案才能打破?
回顧計(jì)算行業(yè)幾十年的歷史,芯片算力提升在幾年前,還在遵循摩爾定律??呻S著如今摩爾定律顯著放緩,算力發(fā)展已經(jīng)陷入瓶頸。而且禍不單行,陷入同樣困境的還有存儲(chǔ)...
SK海力士與臺(tái)積電達(dá)成研發(fā)合作,推動(dòng)HBM4和下一代封裝技術(shù)發(fā)展?
據(jù)協(xié)議內(nèi)容,雙方首先致力于提升 HBM 封裝中的基礎(chǔ)裸片(Base Die)性能。HBM 由多個(gè) DRAM 裸片(Core Die)堆疊在基礎(chǔ)裸片之上,...
三星計(jì)劃應(yīng)用TC-NCF工藝生產(chǎn)16層HBM4內(nèi)存
TC-NCF是有凸塊的傳統(tǒng)多層DRAM間鍵合工藝,相比無(wú)凸塊的混合鍵合技術(shù)更為成熟,然而由于凸塊的存在,采用TC-NCF生產(chǎn)的同層數(shù)HBM內(nèi)存厚度會(huì)相應(yīng)增加。
2024-04-19 標(biāo)簽:DRAM三星半導(dǎo)體HBM 1006 0
SK海力士與臺(tái)積電共同研發(fā)HBM4,預(yù)計(jì)2026年投產(chǎn)
自 HBM3E(第五代 HBM 產(chǎn)品)起,SK海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn);然而,從 HMB4(第六代 HBM 產(chǎn)品)開始,該公司將...
三星聯(lián)席CEO在AI合作交流中力推HBM內(nèi)存
慶桂顯此行主要推廣三星的HBM內(nèi)存,并探索AI合作可能性。然而,由于此前在HBM策略上出現(xiàn)失誤,三星已被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士超越;位于第三位的美光近年來(lái)也...
消息稱三星Q2供應(yīng)超微HBM3E 下半年啟動(dòng)大規(guī)模量產(chǎn)
HBM,即高帶寬內(nèi)存,以其獨(dú)特的“樓房設(shè)計(jì)”概念,打破了傳統(tǒng)DDR內(nèi)存的設(shè)計(jì)局限,憑借出色的性能在市場(chǎng)中贏得了廣泛認(rèn)可。
2024-04-15 標(biāo)簽:DDR內(nèi)存HBM三星 1224 0
三星與SK海力士加速移動(dòng)內(nèi)存堆疊技術(shù)量產(chǎn)
隨著人工智能在智能手機(jī)、筆記本等移動(dòng)設(shè)備上的廣泛應(yīng)用,端側(cè)AI已經(jīng)成為行業(yè)熱議的焦點(diǎn)。為了支持端側(cè)運(yùn)行模型的高效運(yùn)行,移動(dòng)DRAM的性能要求也在不斷提升。
了解到,2.5D封裝技術(shù)能夠有效地將CPU、GPU、I/O接口、HBM芯片等多種芯片以橫向方式置于中間層之上。如臺(tái)積電所采取的CoWoS技術(shù)以及三星的I...
押注HBM3E和PCle5.0 SSD, 四家存儲(chǔ)芯片大廠旗艦新品匯總
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 4月1日,韓國(guó)股市開盤后,存儲(chǔ)大廠SK海力士一度漲幅超過(guò)4%,市值已超過(guò) 1,000 億美元,受益于投資者持續(xù)買入AI相關(guān)股票...
三星電子力推AI存儲(chǔ)芯片和算力芯片競(jìng)爭(zhēng)力提升
在 AI 存儲(chǔ)芯片方面,慶桂顯示三星組建了以DRAM產(chǎn)品與技術(shù)掌門人Hwang Sang-joon為首的HBM內(nèi)存產(chǎn)能與質(zhì)素提升團(tuán)隊(duì),這是今年成立的第二...
漢高:碳化硅、HBM存儲(chǔ)等高成長(zhǎng),粘合劑技術(shù)如何助力先進(jìn)封裝
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)漢高粘合劑主要用于半導(dǎo)體封裝、模塊和消費(fèi)電子設(shè)備的組裝。只有集成電路設(shè)計(jì)和晶圓制造方面的材料,漢高暫未涉及。漢高在德國(guó)總部...
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