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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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基于國(guó)產(chǎn)單晶襯底的150mm 4H-SiC同質(zhì)外延技術(shù)進(jìn)展
本文研究了一種用于5G通信的射頻微系統(tǒng)與天線(xiàn)一體化三維扇出型集成封裝技術(shù). 通過(guò)在玻璃晶圓 上使用雙面布線(xiàn)工藝,實(shí)現(xiàn)毫米波天線(xiàn)陣列的制作. 將TSV轉(zhuǎn)接...
碳化硅MOSFET在數(shù)據(jù)中心能源管理中的應(yīng)用
數(shù)據(jù)中心通常依靠高頻功率轉(zhuǎn)換來(lái)有效地分配和管理電力,而SiC MOSFET具有低開(kāi)關(guān)損耗和快速開(kāi)關(guān)速度,可實(shí)現(xiàn)高頻操作。
2023-12-06 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器不間斷電源 1248 0
ASMPT 太平洋科技有限公司是全球領(lǐng)先的先進(jìn)半導(dǎo)體封裝設(shè)備及微電子封裝解決方案的最主要的供應(yīng)商,SilverSAM 銀燒結(jié)設(shè)備具備專(zhuān)利防氧化及均勻壓力...
2024-01-03 標(biāo)簽:MOSFET散熱器半導(dǎo)體封裝 1247 0
芯茂微推出可靠性媲美MOSFET的12W內(nèi)置BJT的PSR電源解決方案
充電器和適配器是我們生活中非常常見(jiàn)的產(chǎn)品,我們很多人可能只知道這些產(chǎn)品是用來(lái)充電的,但是可能不知道具體是如何實(shí)現(xiàn)充電的,本文就帶大家詳細(xì)了解一下。
SiC MOSFET采用S-MOS單元技術(shù)提高效率
初創(chuàng)公司 mqSemi 推出了適用于基于功率 MOS 的器件的單點(diǎn)源 MOS (S-MOS) 單元設(shè)計(jì)。使用 Silvaco Victory 工藝和設(shè)備...
在開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)
碳化硅CoolSiC? 器件的體二極管正向電壓(VF)是硅CoolMOS?器件的四倍。如果不對(duì)電路進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整,很有機(jī)會(huì)在諧振LLC轉(zhuǎn)換器上在輕負(fù)載時(shí)效...
2020-12-14 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源電源轉(zhuǎn)換器 1246 0
使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅(qū)動(dòng)器的能源效率
兩種元件都已經(jīng)利用雙脈波測(cè)試,從動(dòng)態(tài)的角度加以分析。兩者的比較是以應(yīng)用為基礎(chǔ),例如600 V匯流排直流電壓,開(kāi)啟和關(guān)閉的dv/dt均設(shè)定為5 V/ns。
2020-06-04 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅工業(yè)驅(qū)動(dòng)器 1245 0
安森美VE-Trac SiC用于主驅(qū)逆變器的優(yōu)勢(shì)
雙碳目標(biāo)正加速推進(jìn)汽車(chē)向電動(dòng)化發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新助力汽車(chē)從燃油車(chē)過(guò)渡到電動(dòng)車(chē),新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)因獨(dú)特優(yōu)勢(shì)將改變電動(dòng)車(chē)的未來(lái),如在關(guān)鍵...
《杰發(fā)微課堂》今天開(kāi)講第五課啦!杰發(fā)科技首款功能安全MCU芯片AC7840x已經(jīng)順利量產(chǎn)半年,考慮到客戶(hù)端對(duì)多電機(jī)應(yīng)用的強(qiáng)烈需求,杰發(fā)科技在已經(jīng)成熟的A...
離網(wǎng)場(chǎng)景下SiC MOSFETs應(yīng)用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢(shì)
*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/工商業(yè)側(cè)儲(chǔ)能正以其經(jīng)濟(jì)性,電網(wǎng)友好性等特點(diǎn)蓬勃發(fā)展,其中離網(wǎng)應(yīng)用場(chǎng)景下,不平衡負(fù)載帶載能力,諧波畸變度等都是其...
內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC助推工廠(chǎng)智能化
各行各業(yè)的工廠(chǎng)都在擴(kuò)大生產(chǎn)線(xiàn)的智能化程度,在生產(chǎn)線(xiàn)上的裝置和設(shè)備旁邊導(dǎo)入先進(jìn)信息通信設(shè)備的工廠(chǎng)越來(lái)越多。
2024-02-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1232 0
這是CPU的截面視圖,可以清晰的看到層狀的CPU結(jié)構(gòu),芯片內(nèi)部采用的是層級(jí)排列方式,這個(gè)CPU大概是有10層。其中最下層為器件層,即是MOSFET晶體管。
驅(qū)動(dòng)電流對(duì)MOSFET性能有什么影響
驅(qū)動(dòng)電流對(duì)MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)性能有著顯著的影響。MOSFET作為現(xiàn)代電子系統(tǒng)中常用的開(kāi)關(guān)元件,其性能直接決定了系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定...
2024-07-24 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電流 1229 0
同步降壓轉(zhuǎn)換器有哪些優(yōu)缺點(diǎn)
同步降壓轉(zhuǎn)換器(Synchronous Buck Converter)作為一種高效的直流電壓轉(zhuǎn)換裝置,在電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。其通過(guò)控制開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通...
2024-08-14 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)管同步降壓轉(zhuǎn)換器 1229 0
功率MOSFET封裝向來(lái)尺寸較大,因?yàn)檫@提供了更好的散熱和性能,提高了器件整體安全性和可靠性。 TO-220、TO-247、I2PAK、DPAK和D2P...
2023-02-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET封裝 1227 0
詳解電動(dòng)汽車(chē)的區(qū)域控制架構(gòu)
向軟件定義汽車(chē) (SDV) 的轉(zhuǎn)型促使汽車(chē)制造商不斷創(chuàng)新,在區(qū)域控制器中集成受保護(hù)的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。電子保險(xiǎn)絲和 SmartFET 可為負(fù)載、傳感器和執(zhí)行器...
2025-05-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET控制器 1227 0
主要內(nèi)容:利用運(yùn)放環(huán)路穩(wěn)定性判據(jù)對(duì)MOSFET線(xiàn)性電源進(jìn)行頻域與時(shí)域工作特性分析
2023-11-07 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)放線(xiàn)性電源 1226 0
非線(xiàn)性損耗模型:提升SiC變換器性能估算的準(zhǔn)確性
由于硅碳化物(SiC)MOSFET器件具有高電壓能力、較低的導(dǎo)通電阻、高溫操作的耐受性以及相對(duì)于硅更高的功率密度等固有特性,越來(lái)越受到電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)師的青...
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