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mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例-變壓器T1的設(shè)計(jì)(1)

使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例-變壓器T1的設(shè)計(jì)(1)

從本文開(kāi)始進(jìn)入具體的設(shè)計(jì),比如計(jì)算相關(guān)電路常數(shù)等。首先是變壓器T1的設(shè)計(jì)。計(jì)算步驟如下。這與“隔離型反激式轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計(jì):變壓器設(shè)計(jì)(數(shù)值計(jì)算)”中的思...

2023-02-17 標(biāo)簽:變壓器MOSFET諧振轉(zhuǎn)換器 1224 0

一種用于制造晶體管的單原子厚度材料

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這些材料中最著名的當(dāng)然是石墨烯,它是一種六邊形的蜂窩狀碳片,具有出色的導(dǎo)熱性、電導(dǎo)率、奇特的光學(xué)性能和難以置信的機(jī)械強(qiáng)度。

2022-10-27 標(biāo)簽:MOSFET晶體管數(shù)字器件 1224 0

MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別

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由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但耐壓能力沒(méi)有IGBT強(qiáng)。

2023-08-25 標(biāo)簽:二極管MOSFETIGBT 1223 0

反向電流阻斷電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法介紹

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反向MOS 反向MOS雖然可阻斷輸出到輸入的反電流,但缺點(diǎn)是從輸入到輸出總有一條體二極管通路,而且不夠智能,當(dāng)輸出大于輸入時(shí),不能關(guān)斷MOS,還需加電壓...

2023-06-15 標(biāo)簽:二極管MOSFET反向電流 1222 0

800V系統(tǒng)將重構(gòu)電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)鏈,這些技術(shù)和產(chǎn)品最受益

800V系統(tǒng)將重構(gòu)電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)鏈,這些技術(shù)和產(chǎn)品最受益

汽車電動(dòng)化趨勢(shì)正在不斷加快。過(guò)去兩年,受疫情和芯片短缺影響,全球汽車市場(chǎng)整體表現(xiàn)不佳,但新能源車卻一枝獨(dú)秀,延續(xù)這幾年的強(qiáng)勁增長(zhǎng)勢(shì)頭,2021年實(shí)現(xiàn)銷量...

2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFETIGBT 1222 0

新型LTC1266開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器可在10A負(fù)載條件下提供高效率

新型 LTC?1266 是一款同步、降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓控制器,能夠驅(qū)動(dòng)兩個(gè)外部、N 溝道 MOSFET 開(kāi)關(guān)。N 溝道 MOSFET 的卓越性能使 LTC1...

2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFET 1222 0

一文解析SMPD封裝設(shè)計(jì)的優(yōu)勢(shì)

表面貼裝功率器件(SMPD) 封裝提供了功率能力、功耗以及易于布局和組裝的最佳組合,可幫助設(shè)計(jì)人員在不顯著增加所構(gòu)建系統(tǒng)的尺寸和重量的情況下增加輸出功率。

2022-09-29 標(biāo)簽:MOSFET充電器碳化硅 1221 0

飛兆開(kāi)發(fā)出二極管的器件FDZ3N513ZT,專為智能電話的顯示屏提供照明

飛兆半導(dǎo)體 (NYSE: FCS) 開(kāi)發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT,占位面積僅為1mm x 1mm。 FDZ3N5...

2018-08-31 標(biāo)簽:二極管mosfet顯示屏 1220 0

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

從本文開(kāi)始,將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人,與其詳細(xì)研究...

2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFET晶體管SiC 1219 0

正高壓熱插拔控制器電路圖

正高壓熱插拔控制器電路圖

這是帶有功率限制器的正高壓熱插拔控制器電路。

2023-12-18 標(biāo)簽:MOSFET控制器電路原理圖 1219 0

FDV303N N溝道MOSFET的功能特性

FDV303N N溝道MOSFET的功能特性

FDV303N是一款N溝道 MOSFET。這種器件通常用于開(kāi)關(guān)和放大電路中,可以控制電流流動(dòng)并放大信號(hào)。

2023-11-03 標(biāo)簽:放大器三極管MOSFET 1219 0

英飛凌StrongIRFET 2:提供高效可靠的功率開(kāi)關(guān)解決方案

英飛凌StrongIRFET 2:提供高效可靠的功率開(kāi)關(guān)解決方案

TO-220和TO-220 FullPack 封裝的StrongIRFET 2是新一代功率MOSFET技術(shù),它解決了廣泛的應(yīng)用,如適配器,電視、電機(jī)驅(qū)動(dòng)...

2023-07-19 標(biāo)簽:英飛凌MOSFETUPS 1218 0

晶體管BJT和MOSFET是如何工作的?

晶體管的工作原理就像電子開(kāi)關(guān),它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒(méi)有任何動(dòng)作部件的開(kāi)關(guān),晶體管類似于繼電器,因?yàn)槟憧梢杂盟鼇?lái)打開(kāi)或...

2023-03-25 標(biāo)簽:二極管MOSFET晶體管 1217 0

MOS管在光伏逆變器中的應(yīng)用

MOS管在光伏逆變器中的應(yīng)用

隨著全球能源需求的不斷增長(zhǎng)和環(huán)境污染問(wèn)題的日益嚴(yán)峻,太陽(yáng)能光伏發(fā)電作為一種清潔、環(huán)保的可再生能源技術(shù),得到了前所未有的重視和快速發(fā)展。光伏逆變器是將太陽(yáng)...

2024-07-05 標(biāo)簽:MOSFET晶體管光伏逆變器 1216 0

具有SiC和GaN的高功率

具有SiC和GaN的高功率

電力電子將在未來(lái)幾年發(fā)展,尤其是對(duì)于組件,因?yàn)?WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來(lái)越流行。高工作溫度、電壓和開(kāi)關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料...

2022-07-27 標(biāo)簽:MOSFETSiCGaN 1215 0

納微半導(dǎo)體3.3kV碳化硅MOSFETs如何變革并網(wǎng)儲(chǔ)能方式

納微半導(dǎo)體3.3kV碳化硅MOSFETs如何變革并網(wǎng)儲(chǔ)能方式

電網(wǎng)通過(guò)輸電和配電網(wǎng)絡(luò)從發(fā)電機(jī)向用戶提供電能。在美國(guó),由于儲(chǔ)能成本高昂并且設(shè)計(jì)和運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn)有限,利用電力儲(chǔ)存來(lái)支持和優(yōu)化輸配電一直受到限制。

2023-09-15 標(biāo)簽:MOSFET逆變器碳化硅 1214 0

ST 600-650V MDmesh DM9 超結(jié)快速恢復(fù)功率MOSFET提高效率和穩(wěn)健性

新型硅基快速恢復(fù)體二極管超結(jié) MOSFET系列為全橋相移ZVS拓?fù)涮峁├硐氲男屎涂煽啃?? ST超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷(Qr...

2023-02-22 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體快恢復(fù)二極管 1210 0

5S2P AR111燈LED驅(qū)動(dòng)器的參考設(shè)計(jì)

5S2P AR111燈LED驅(qū)動(dòng)器的參考設(shè)計(jì)

本參考設(shè)計(jì)以MAX16819為主控制器,為5S2P AR111 LED燈提供buck-boost驅(qū)動(dòng)方案。 圖1為電路原理圖,圖2給出了設(shè)計(jì)布局圖。

2023-06-08 標(biāo)簽:ledMOSFET控制器 1210 0

用碳化硅(SiC)重新思考軟開(kāi)關(guān)效率

用碳化硅(SiC)重新思考軟開(kāi)關(guān)效率

從理論上講,碳化硅(SiC)技術(shù)比硅(Si)具有優(yōu)勢(shì),這使得它看起來(lái)可以作為電力電子中現(xiàn)有MOSFET的直接替代品。這在一定程度上是正確的,但只要關(guān)注該...

2024-06-19 標(biāo)簽:電阻MOSFETSiC 1209 0

SiC MOSFET在光伏逆變器的應(yīng)用

SiC MOSFET在光伏逆變器的應(yīng)用

光伏逆變器是將太陽(yáng)能光伏電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的關(guān)鍵設(shè)備。

2023-11-15 標(biāo)簽:MOSFET光伏光伏逆變器 1209 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫(xiě),字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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    STM32F103C8T6
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場(chǎng)合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開(kāi)關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    +關(guān)注
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    光模塊
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    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說(shuō),光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào),通過(guò)光纖傳送后,接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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    COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品,這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展,并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過(guò)模擬,賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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