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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例-變壓器T1的設(shè)計(jì)(1)
從本文開(kāi)始進(jìn)入具體的設(shè)計(jì),比如計(jì)算相關(guān)電路常數(shù)等。首先是變壓器T1的設(shè)計(jì)。計(jì)算步驟如下。這與“隔離型反激式轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計(jì):變壓器設(shè)計(jì)(數(shù)值計(jì)算)”中的思...
2023-02-17 標(biāo)簽:變壓器MOSFET諧振轉(zhuǎn)換器 1224 0
反向電流阻斷電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法介紹
反向MOS 反向MOS雖然可阻斷輸出到輸入的反電流,但缺點(diǎn)是從輸入到輸出總有一條體二極管通路,而且不夠智能,當(dāng)輸出大于輸入時(shí),不能關(guān)斷MOS,還需加電壓...
800V系統(tǒng)將重構(gòu)電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)鏈,這些技術(shù)和產(chǎn)品最受益
汽車電動(dòng)化趨勢(shì)正在不斷加快。過(guò)去兩年,受疫情和芯片短缺影響,全球汽車市場(chǎng)整體表現(xiàn)不佳,但新能源車卻一枝獨(dú)秀,延續(xù)這幾年的強(qiáng)勁增長(zhǎng)勢(shì)頭,2021年實(shí)現(xiàn)銷量...
2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFETIGBT 1222 0
新型LTC1266開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器可在10A負(fù)載條件下提供高效率
新型 LTC?1266 是一款同步、降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓控制器,能夠驅(qū)動(dòng)兩個(gè)外部、N 溝道 MOSFET 開(kāi)關(guān)。N 溝道 MOSFET 的卓越性能使 LTC1...
2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFET 1222 0
一文解析SMPD封裝設(shè)計(jì)的優(yōu)勢(shì)
表面貼裝功率器件(SMPD) 封裝提供了功率能力、功耗以及易于布局和組裝的最佳組合,可幫助設(shè)計(jì)人員在不顯著增加所構(gòu)建系統(tǒng)的尺寸和重量的情況下增加輸出功率。
飛兆開(kāi)發(fā)出二極管的器件FDZ3N513ZT,專為智能電話的顯示屏提供照明
飛兆半導(dǎo)體 (NYSE: FCS) 開(kāi)發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT,占位面積僅為1mm x 1mm。 FDZ3N5...
從本文開(kāi)始,將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人,與其詳細(xì)研究...
英飛凌StrongIRFET 2:提供高效可靠的功率開(kāi)關(guān)解決方案
TO-220和TO-220 FullPack 封裝的StrongIRFET 2是新一代功率MOSFET技術(shù),它解決了廣泛的應(yīng)用,如適配器,電視、電機(jī)驅(qū)動(dòng)...
晶體管的工作原理就像電子開(kāi)關(guān),它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒(méi)有任何動(dòng)作部件的開(kāi)關(guān),晶體管類似于繼電器,因?yàn)槟憧梢杂盟鼇?lái)打開(kāi)或...
隨著全球能源需求的不斷增長(zhǎng)和環(huán)境污染問(wèn)題的日益嚴(yán)峻,太陽(yáng)能光伏發(fā)電作為一種清潔、環(huán)保的可再生能源技術(shù),得到了前所未有的重視和快速發(fā)展。光伏逆變器是將太陽(yáng)...
電力電子將在未來(lái)幾年發(fā)展,尤其是對(duì)于組件,因?yàn)?WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來(lái)越流行。高工作溫度、電壓和開(kāi)關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料...
納微半導(dǎo)體3.3kV碳化硅MOSFETs如何變革并網(wǎng)儲(chǔ)能方式
電網(wǎng)通過(guò)輸電和配電網(wǎng)絡(luò)從發(fā)電機(jī)向用戶提供電能。在美國(guó),由于儲(chǔ)能成本高昂并且設(shè)計(jì)和運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn)有限,利用電力儲(chǔ)存來(lái)支持和優(yōu)化輸配電一直受到限制。
ST 600-650V MDmesh DM9 超結(jié)快速恢復(fù)功率MOSFET提高效率和穩(wěn)健性
新型硅基快速恢復(fù)體二極管超結(jié) MOSFET系列為全橋相移ZVS拓?fù)涮峁├硐氲男屎涂煽啃?? ST超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷(Qr...
2023-02-22 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體快恢復(fù)二極管 1210 0
5S2P AR111燈LED驅(qū)動(dòng)器的參考設(shè)計(jì)
本參考設(shè)計(jì)以MAX16819為主控制器,為5S2P AR111 LED燈提供buck-boost驅(qū)動(dòng)方案。 圖1為電路原理圖,圖2給出了設(shè)計(jì)布局圖。
從理論上講,碳化硅(SiC)技術(shù)比硅(Si)具有優(yōu)勢(shì),這使得它看起來(lái)可以作為電力電子中現(xiàn)有MOSFET的直接替代品。這在一定程度上是正確的,但只要關(guān)注該...
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