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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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以雙極性方式驅(qū)動(dòng)單極柵極驅(qū)動(dòng)器
如果特定功率器件需要正極和負(fù)柵極驅(qū)動(dòng),電路設(shè)計(jì)人員無(wú)需尋找專門處理雙極性操作的特殊柵極驅(qū)動(dòng)器。使用這個(gè)簡(jiǎn)單的技巧使單極性柵極驅(qū)動(dòng)器提供雙極性電壓!
2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1189 0
上海貝嶺150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品介紹
上海貝嶺推出150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品。貝嶺150V SGT系列產(chǎn)品采用業(yè)界先進(jìn)工藝,使得器件具有良好的柵極漏電流IGSS性能;采用深溝槽、...
2025-01-03 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電機(jī) 1187 0
為了滿足更小的方案尺寸以降低系統(tǒng)成本,小型化和高功率密度成為了近年來(lái)DCDC和LDO的發(fā)展趨勢(shì),這也對(duì)方案的散熱性能提出了更高的要求。本文借助業(yè)界比...
使用耗盡型MOSFET簡(jiǎn)化PD3.1快充設(shè)計(jì)(上)
盡管說(shuō)如今的充電器,集成度越來(lái)越高,外圍器件的數(shù)量越來(lái)越少。但是PD3.1的推出,支持28V及以上的輸出電壓,更寬的輸出電壓范圍,超出了高耐壓的原邊控制...
安森美EliteSiC MOSFET與柵極驅(qū)動(dòng)器在電動(dòng)汽車電力系統(tǒng)的應(yīng)用
在歐盟2035年零排放目標(biāo)等雄心勃勃的計(jì)劃推動(dòng)下,從化石燃料向電動(dòng)汽車(EV)的轉(zhuǎn)型正在加速。為了吸引消費(fèi)者,電動(dòng)汽車必須擁有足夠的續(xù)航里程,支持快速充...
2025-07-10 標(biāo)簽:MOSFET安森美電力系統(tǒng) 1185 0
寬禁帶半導(dǎo)體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作,在高效功率轉(zhuǎn)換,射頻功放,以及極端環(huán)境電子應(yīng)用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢(shì)。
2023-08-09 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 1184 0
從數(shù)據(jù)手冊(cè)中可以看出,IS802是個(gè) push pull 架構(gòu)的電源,一共6個(gè)腳,看完示意圖唯一不太清楚的是Ext clock,所以我們?nèi)タ纯碋xt c...
當(dāng)MOSFET關(guān)斷時(shí),如圖2b所示,原邊電路中的功率被切斷,原邊繞組上的電壓將反轉(zhuǎn),直到點(diǎn)端被D3鉗位返回,非點(diǎn)端被D4鉗位到VIN。因此,每個(gè) MOS...
2023-08-07 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電壓 1184 0
如何利用IT2800源表快速實(shí)現(xiàn)MOSFET器件的I-V特性測(cè)試?
MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,是電路設(shè)計(jì)中常用的功率開關(guān)器件,為壓控器件;其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流,具備驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,驅(qū)動(dòng)功率小,開關(guān)...
2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管功率器件 1182 0
安世半導(dǎo)體P溝道LFPAK56 MOSFET特性概述
Nexperia(安世半導(dǎo)體)將向您展示H橋直流電機(jī)控制電路參考設(shè)計(jì)。 H橋電路是一個(gè)全橋DC-DC轉(zhuǎn)換器,支持有刷直流電動(dòng)機(jī)(最大電壓48 V、最小電...
2024-07-25 標(biāo)簽:MOSFET安世半導(dǎo)體 1181 0
針對(duì)車載充電應(yīng)用的七款新型二極管和MOSFET功率模塊
器件EMIPAK封裝采用矩陣式方法,在同樣的63 mm x 34 mm x 12 mm小型封裝中內(nèi)置各種定制電路配置。
上周收到了羅姆的評(píng)估板,初步分析看了下需要做的技術(shù)準(zhǔn)備工作較多,同時(shí)也需要自己設(shè)計(jì)方案,需要的時(shí)間較多。所以先寫一個(gè)測(cè)試計(jì)劃。
同步整流芯片U7612內(nèi)部集成有智能開通檢測(cè)功能,可以有效防止反激電路中由于寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開關(guān)誤開通,提高了系統(tǒng)效率及可靠性,是一款高頻率、...
硅基MOSFET和IGBT過(guò)去一直在電力電子應(yīng)用行業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位,這些應(yīng)用包括不間斷電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、泵以及電動(dòng)汽車(EV)等。然而,市場(chǎng)對(duì)更小型化產(chǎn)...
2025-01-02 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET安森美 1177 0
電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中,必須防止電流過(guò)大,以便為電路提供可靠的保護(hù)。同樣在充電寶中,必須防止電池放電。放電電流過(guò)高會(huì)導(dǎo)致電...
保持直流/直流解決方案簡(jiǎn)單易用,適用于成本敏感型應(yīng)用
由于稱為引線框上倒裝芯片(FCOL)的封裝技術(shù)的最新進(jìn)展,TI現(xiàn)在可以制造無(wú)引線鍵合的直流/直流轉(zhuǎn)換器。芯片通過(guò)銅凸塊直接連接到引線框架,這降低了MOS...
2023-04-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET揚(yáng)聲器 1176 0
ASDM40P55KQ還具備其他令人印象深刻的特性。它具有低開關(guān)電阻和快速開關(guān)速度,可以在高電流負(fù)載下提供穩(wěn)定和可靠的性能。通過(guò)使用ASDM40P55K...
2023-06-03 標(biāo)簽:MOSFET電源管理負(fù)載開關(guān) 1175 0
電子產(chǎn)品節(jié)能的呼吁可能很難與電子產(chǎn)品節(jié)能的呼聲聯(lián)系起來(lái),因?yàn)檫@意味著您的電費(fèi)只需減少幾美分或?qū)p少全球 CO 2排放量的貢獻(xiàn)很小,但是當(dāng)電動(dòng)汽車的效率更...
2022-07-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFETSiC 1174 0
MAX1864為低成本、多輸出轉(zhuǎn)換器,由開關(guān)降壓電路和兩個(gè)正線性穩(wěn)壓器組成。雖然該IC的基本應(yīng)用電路提供低成本、多輸出電源,但需要更低噪聲的應(yīng)用可以從本...
2023-03-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET穩(wěn)壓器 1174 0
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