完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
文章:5685個(gè) 瀏覽:220347次 帖子:1132個(gè)
汽車區(qū)域控制器架構(gòu)趨勢(shì)下的SmartFET應(yīng)用
汽車市場(chǎng)正在轉(zhuǎn)向區(qū)域控制器架構(gòu)的趨勢(shì)方向,而汽車區(qū)域控制器架構(gòu)正朝著分布式、集成化、智能化的方向發(fā)展,以實(shí)現(xiàn)更高效的數(shù)據(jù)處理、功能整合與自動(dòng)駕駛支持。
在選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)時(shí),需要考慮多個(gè)因素以確保所選器件能夠滿足特定的應(yīng)用需求,同時(shí)保證電路的性能和可靠性。以下是一個(gè)詳細(xì)的選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管的指南...
2024-09-23 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1171 0
使用4200A-SCS軟件和矩陣開關(guān)搭建可靠性評(píng)估平臺(tái)
在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子(CHC)誘導(dǎo)的退化是一個(gè)重要的與可靠性相關(guān)的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場(chǎng)加速時(shí)獲得動(dòng)能。當(dāng)大多數(shù)載流子到...
2024-12-11 標(biāo)簽:MOSFETNMOS矩陣開關(guān) 1171 0
柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器,它接受來自控制器IC的低功耗輸入,并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母唠娏鳀艠O驅(qū)動(dòng)。隨著對(duì)電力電子器件的要求不斷提高,柵極驅(qū)動(dòng)器電路的設(shè)...
電源技術(shù)的不斷發(fā)展創(chuàng)新,使電源管理ic在手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、移動(dòng)硬盤等便攜式產(chǎn)品的應(yīng)用不斷擴(kuò)大。
一種新型3.6-kV/400-A SiC IPM可提升電源應(yīng)用的性能
高能效對(duì)于多種大電流電源應(yīng)用至關(guān)重要,包括工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、可再生能源系統(tǒng)和固態(tài)變壓器。盡管硅長(zhǎng)期以來一直是這些應(yīng)用中使用的主要半導(dǎo)體,但由于SiC提供的...
在上期的芝識(shí)課堂中,我們和大家簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)了邏輯IC的基本知識(shí)和分類,并且特別提到CMOS邏輯IC因成本、系統(tǒng)復(fù)雜度和功耗的平衡性最好,因此得到了最廣泛應(yīng)用...
如何有效地比較CMOS開關(guān)和固態(tài)繼電器的性能
源極和漏極之間的關(guān)斷電容CDS(OFF)可用來衡量關(guān)斷開關(guān)后,源極信號(hào)耦合到漏極的能力。它是固態(tài)繼電器(如PhotoMOS?、OptoMOS?、光繼電器...
高效率、20A、單芯片靜音開關(guān)穩(wěn)壓器適用于SoC和微處理器應(yīng)用
LTC7150S 提高了工業(yè)和汽車電源的高性能標(biāo)準(zhǔn)。它具有高效率、小尺寸和低 EMI 的特點(diǎn)。集成的高性能 MOSFET 和熱管理功能可從高達(dá) 20V ...
MOSFET在便攜儲(chǔ)能上的應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)
針對(duì)便攜儲(chǔ)能市場(chǎng)應(yīng)用,龍騰半導(dǎo)體的高壓SJMOS,其產(chǎn)品優(yōu)勢(shì): 針對(duì)QR反激拓?fù)?,?yōu)化開關(guān)速度,更容易通過EMI測(cè)試; 針對(duì)諧振拓?fù)?,?yōu)化體二極...
2024-03-13 標(biāo)簽:MOSFETDC-DC移動(dòng)電源 1164 0
MOSFET開關(guān):電源變換器基礎(chǔ)知識(shí)及應(yīng)用
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當(dāng)壓控電流源,并主要用作開關(guān)或用于放大電信號(hào)。MOSF...
降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的最新進(jìn)展已經(jīng)消除了檢流電阻,而是用壓降代替低側(cè)MOSFET(同步整流器)兩端。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)節(jié)省了檢測(cè)電阻的成本和空間,并適度...
2023-01-23 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC-DC 1163 0
緊湊型四通道降壓型穩(wěn)壓器用于N溝道保護(hù)方案
汽車、工業(yè)和分布式應(yīng)用通常會(huì)使降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器承受各種各樣的電源電壓瞬變。高壓功率尖峰和輸入電壓驟降會(huì)破壞敏感電路并危及系統(tǒng)可靠性。為避免損壞...
2023-04-18 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器MOSFET 1163 0
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)因其優(yōu)異的性能,如高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高工作溫度,逐漸成為高...
目前主流的實(shí)現(xiàn)方式是使用絕緣體上硅(Silicon on Insulator)技術(shù)。使用等離子體浸沒注入或者晶圓鍵合技術(shù)制造SOI Wafer,在硅下面...
法國(guó)和瑞士科學(xué)家首次使用氮化鎵在(100)-硅(晶體取向?yàn)?00)基座上,成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管(HEMTs)。
適用于36V電池系統(tǒng)的特定應(yīng)用MOSFET
36V 鋰離子電池是當(dāng)今工具和戶外動(dòng)力設(shè)備的常用電源。由 36V 電池供電的產(chǎn)品得益于高功率輸出和較長(zhǎng)的電池壽命,同時(shí)也相對(duì)較輕且易于使用。然而,36V...
2023-04-24 標(biāo)簽:鋰離子電池MOSFET電池系統(tǒng) 1160 0
在現(xiàn)代電子學(xué)的宏偉建筑中,場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET-Field Effect Transistor)是其不可或缺的基石。這些精巧的電子組件以其卓越的性能優(yōu)勢(shì)...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |