一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

安世半導(dǎo)體P溝道LFPAK56 MOSFET特性概述

安世半導(dǎo)體 ? 來源:安世半導(dǎo)體 ? 作者:安世半導(dǎo)體 ? 2024-07-25 11:30 ? 次閱讀

Nexperia(安世半導(dǎo)體)將向您展示H橋直流電機(jī)控制電路參考設(shè)計(jì)。

H橋電路是一個(gè)全橋DC-DC轉(zhuǎn)換器,支持有刷直流電動(dòng)機(jī)(最大電壓48 V、最小電壓12 V、最大電流5 A)運(yùn)行。該控制電路的輸入電壓范圍為12-48V,適用于功率高達(dá)250 W的電機(jī)。本設(shè)計(jì)的主要特色是所有電子功能均采用汽車級Nexperia分立器件、MOSFET器件和邏輯器件(經(jīng)濟(jì)高效,無需微控制器或軟件)。此外,該H橋電機(jī)控制器PCB還為用戶提供了三種Nexperia MOSFET封裝選項(xiàng)(LFPAK33、LFPAK56D或LFPAK56)。

采用P溝道LFPAK56 MOSFET
符合車規(guī)級AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)
·LFPAK56(Power-SO8)
·強(qiáng)大封裝技術(shù)
·30V-60V
,低至10 m Ros(on)
·適用于:
·極性反接保護(hù)
·管腳尺寸縮減多達(dá)50%
主要優(yōu)勢
微型化
·Nexperia封裝產(chǎn)品組合提供一系列經(jīng)過優(yōu)化的封裝,可以提高空間利用效率
模塊化自適應(yīng)設(shè)計(jì)
·易于修改.既可使用完整電路。也可選用單個(gè)元件
供應(yīng)與成本效率
·采用分立式器件,具有更高的供應(yīng)靈活性,成本低于集成解決方案

Nexperia (安世半導(dǎo)體)

Nexperia(安世半導(dǎo)體)總部位于荷蘭,是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導(dǎo)體公司,目前在歐洲、亞洲和美國共有14,000多名員工。作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件開發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者,Nexperia(安世半導(dǎo)體)的器件被廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、移動(dòng)和消費(fèi)等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,幾乎為世界上所有電子設(shè)計(jì)的基本功能提供支持。

Nexperia(安世半導(dǎo)體)為全球客戶提供服務(wù),每年的產(chǎn)品出貨量超過1,000億件。這些產(chǎn)品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面成為行業(yè)基準(zhǔn),獲得廣泛認(rèn)可。Nexperia(安世半導(dǎo)體)擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴(kuò)充的產(chǎn)品范圍,并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,充分體現(xiàn)了公司對于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴(yán)苛要求的堅(jiān)定承諾。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    148

    文章

    7824

    瀏覽量

    217396
  • 安世半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6

    文章

    166

    瀏覽量

    23056

原文標(biāo)題:Demo展示 | 采用P溝道LFPAK56 MOSFET的汽車H橋DC電機(jī)控制參考設(shè)計(jì)

文章出處:【微信號:Nexperia_China,微信公眾號:安世半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    超小尺寸P溝道FemtoFET MOSFET測試EVM

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《超小尺寸P溝道FemtoFET MOSFET測試EVM.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 12-21 10:41 ?0次下載
    超小尺寸<b class='flag-5'>P</b><b class='flag-5'>溝道</b>FemtoFET <b class='flag-5'>MOSFET</b>測試EVM

    半導(dǎo)體榮獲2024行家極光獎(jiǎng)年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)

    在2024年12月12日落幕的行家說三代半年會(huì)上,行業(yè)內(nèi)上下游主流企業(yè)及行業(yè)精英匯聚深圳,共同探討行業(yè)趨勢,深化交流合作。半導(dǎo)體作為其中的重要一員,憑借其領(lǐng)先產(chǎn)品“針對工業(yè)和可再生能源
    的頭像 發(fā)表于 12-17 17:38 ?703次閱讀

    半導(dǎo)體推出微型無引腳邏輯IC

    基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(半導(dǎo)體)近日發(fā)布了一系列采用微型車規(guī)級MicroPak XSON5無引腳封裝的新型邏輯IC。這些微型邏輯IC專為空間受限的應(yīng)用而
    的頭像 發(fā)表于 12-17 14:29 ?508次閱讀

    半導(dǎo)體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)

    基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(半導(dǎo)體)近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新
    的頭像 發(fā)表于 12-12 11:35 ?2484次閱讀

    半導(dǎo)體與德國汽車零件供應(yīng)商達(dá)成合作

    和供應(yīng)由KOSTAL設(shè)計(jì)和驗(yàn)證的寬禁帶功率電子器件。此次合作初期將專注于開發(fā)用于電動(dòng)汽車(EV)、車載充電器(OBC)的頂部散熱(TSC)QDPAK封裝的碳化硅(SiC)MOSFET器件。 據(jù)悉,
    的頭像 發(fā)表于 11-08 11:33 ?852次閱讀

    簡單認(rèn)識P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管

    ),是一種基于溝道型效應(yīng)晶體管的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它的工作原理和特性使其在集成電路和電子設(shè)備中發(fā)揮著重要作用。以下是對P
    的頭像 發(fā)表于 09-23 17:08 ?2292次閱讀

    半導(dǎo)體攜多款先進(jìn)產(chǎn)品和解決方案亮相PCIM Asia 2024

    8月28日至30日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商半導(dǎo)體在PCIM Asia 2024展會(huì)上大放異彩,展示了其強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力與創(chuàng)新成果。此次參展,
    的頭像 發(fā)表于 09-03 14:40 ?889次閱讀

    p半導(dǎo)體是怎么形成的

    p半導(dǎo)體(也稱為空穴半導(dǎo)體)的形成是一個(gè)涉及半導(dǎo)體材料摻雜和物理性質(zhì)變化的過程。以下是對p半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 08-15 17:02 ?5219次閱讀

    P溝道與N溝道MOSFET的基本概念

    P溝道與N溝道MOSFET作為半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵元件,在電子電路設(shè)計(jì)中扮演著重要角色。它們各自具有獨(dú)特的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)以及應(yīng)用場景。
    的頭像 發(fā)表于 08-13 17:02 ?3483次閱讀

    半導(dǎo)體斥資2億美元擴(kuò)產(chǎn)德國基地,聚焦寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)

    在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日新月異的今天,芯片制造商N(yùn)experia(半導(dǎo)體)再次展現(xiàn)了其前瞻性的戰(zhàn)略布局。近日,該公司宣布將投資高達(dá)2億美元,用于在德國漢堡工廠開發(fā)下一代寬禁帶
    的頭像 發(fā)表于 06-29 10:03 ?822次閱讀

    半導(dǎo)體宣布2億美元投資,加速寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)

    在全球半導(dǎo)體市場日新月異的今天,荷蘭半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia(半導(dǎo)體)近日邁出了重大的一步。這家以技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品質(zhì)量著稱的公司宣布,
    的頭像 發(fā)表于 06-28 11:12 ?850次閱讀

    MOSFET的基本結(jié)構(gòu)與工作原理

    MOS柵結(jié)構(gòu)是MOSFET的重要組成部分,一個(gè)典型的N溝道增強(qiáng)型結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。其中柵極、源極和漏極位于同一個(gè)平面內(nèi),半導(dǎo)體的另一個(gè)平面可以稱為體端,所以在一些書籍和資料中,也將MOSF
    發(fā)表于 06-13 10:07

    Nexperia()發(fā)布高性能碳化硅MOSFET,滿足工業(yè)應(yīng)用增長需求

    近日,全球知名的半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia()半導(dǎo)體推出采用D2PAK-7SMD封裝的高度先進(jìn)的1200V碳化硅(SiC)MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 05-23 10:57 ?705次閱讀
    Nexperia(<b class='flag-5'>安</b><b class='flag-5'>世</b>)發(fā)布高性能碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>,滿足工業(yè)應(yīng)用增長需求

    半導(dǎo)體宣布推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET

    Nexperia(半導(dǎo)體)近日宣布,公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7 表面貼裝器件(SMD)封裝,有30、40、60和80 m
    的頭像 發(fā)表于 05-22 10:38 ?1269次閱讀

    半導(dǎo)體公布2023年財(cái)務(wù)業(yè)績

    近日,Nexperia(半導(dǎo)體)發(fā)布了其2023年度的財(cái)務(wù)業(yè)績報(bào)告,報(bào)告中突顯了公司在關(guān)鍵汽車細(xì)分市場的顯著增長以及研發(fā)投資的積極增加。盡管面臨半導(dǎo)體行業(yè)整體的市場需求疲軟和收入下
    的頭像 發(fā)表于 05-08 14:55 ?2755次閱讀