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標(biāo)簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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慧榮科技亮相2025上海國(guó)際汽車工業(yè)展覽會(huì)
當(dāng)前,中國(guó)汽車產(chǎn)業(yè)正加速向電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化轉(zhuǎn)型,智能駕駛、車聯(lián)網(wǎng)和車載信息娛樂(lè)系統(tǒng)的快速發(fā)展對(duì)存儲(chǔ)解決方案提出了前所未有的高要求。每一次自動(dòng)駕駛系...
揭秘美光G9 NAND移動(dòng)UFS 4.1解決方案
在快節(jié)奏的今天,手機(jī)早已不是單純的通訊工具,隨著AI技術(shù)的不斷發(fā)展,智能手機(jī)正在成為人類的AI助手。這背后,都依賴大容量高速存儲(chǔ)系統(tǒng)!這一趨勢(shì)將進(jìn)一步推...
2025慕尼黑上海電子展于4月15日盛大開(kāi)幕,現(xiàn)場(chǎng)人流躥動(dòng),東芯半導(dǎo)體亮相新國(guó)際博覽中心N5館517展臺(tái),五大系列產(chǎn)品、七大熱門應(yīng)用領(lǐng)域布局清晰,展臺(tái)現(xiàn)...
兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash
今日,兆易創(chuàng)新宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash,該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理(BBM)功能,可有效解決傳統(tǒng)S...
東芯半導(dǎo)體榮獲2025中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)之年度最佳存儲(chǔ)器
2025年是IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)舉辦的第23年,一路伴隨和見(jiàn)證產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)與發(fā)展,是中國(guó)電子業(yè)界最重要的技術(shù)獎(jiǎng)項(xiàng)之一,頒獎(jiǎng)典禮已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖的年度盛會(huì)及行...
2025-03-31 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)器IC設(shè)計(jì) 338 0
SK海力士已完成收購(gòu)英特爾NAND業(yè)務(wù)部門的第二(最終)階段交易
3 月 28 日消息,根據(jù) SK 海力士向韓國(guó)金融監(jiān)管機(jī)構(gòu) FSS 披露的文件,該企業(yè)已在當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日完成了收購(gòu)英特爾 NAND 閃存及 SSD 業(yè)務(wù)案...
存儲(chǔ)技術(shù)探秘 NAND Flash vs NOR Flash:藏在芯片里的"門道之爭(zhēng)"
門電路玄機(jī) NOR Flash:Intel 1988 年革命性突破,終結(jié) EPROM/EEPROM 壟斷時(shí)代 NAND Flash:東芝 1989 年發(fā)...
2025-03-18 標(biāo)簽:芯片NAND存儲(chǔ)技術(shù) 262 0
從eMMC到NAND,嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)的軟件優(yōu)化策略
在嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)領(lǐng)域,存儲(chǔ)器作為信息交互的核心載體,其技術(shù)特性直接影響著系統(tǒng)性能與穩(wěn)定性。然而,有些人在面對(duì)Linux、安卓等復(fù)雜操作系統(tǒng)環(huán)境時(shí),理解其...
鎧俠與閃迪發(fā)布下一代3D閃存技術(shù),實(shí)現(xiàn)4.8Gb/s NAND接口速度
兩家公司預(yù)展第十代3D閃存技術(shù),為性能、能效和位密度設(shè)立新標(biāo)準(zhǔn)舊金山,國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)——鎧俠株式會(huì)社與閃迪公司聯(lián)合發(fā)布一項(xiàng)尖端3D閃存技...
NAND閃存價(jià)格預(yù)測(cè):2025年將呈V型走勢(shì)
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce近日對(duì)2025年NAND閃存價(jià)格走勢(shì)進(jìn)行了預(yù)測(cè),預(yù)計(jì)全年價(jià)格將呈現(xiàn)V型波動(dòng)。 據(jù)TrendForce分析,2025年一季...
DDR4內(nèi)存價(jià)格下跌,NAND閃存減產(chǎn)效果未顯
TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告顯示,DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢(shì)。
DRAM與NAND閃存市場(chǎng)低迷,DRAM現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)下滑
近日,據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報(bào)告指出,DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場(chǎng)近期均呈現(xiàn)出低迷的走勢(shì)。 特別是在DRAM市場(chǎng)方面,春...
西部數(shù)據(jù)正式通知減產(chǎn)15%以縮減庫(kù)存
近日,據(jù)外媒報(bào)道,全球NAND Flash存儲(chǔ)市場(chǎng)中的一大重要參與者——西部數(shù)據(jù),已經(jīng)正式向其客戶發(fā)出了減產(chǎn)通知。這一決定旨在縮減當(dāng)前庫(kù)存水平,以應(yīng)對(duì)市...
2025-02-06 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)西部數(shù)據(jù) 355 0
根據(jù)知名研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦(TrendForce)最新發(fā)布的研究報(bào)告,NAND Flash產(chǎn)業(yè)預(yù)計(jì)在2025年將持續(xù)面臨需求疲弱與供給過(guò)剩的雙重嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。這一...
SK海力士計(jì)劃減產(chǎn)NAND Flash存儲(chǔ)器以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)下滑
近日,據(jù)韓媒最新報(bào)道,全球NAND Flash存儲(chǔ)器市場(chǎng)正面臨供過(guò)于求的嚴(yán)峻挑戰(zhàn),導(dǎo)致價(jià)格連續(xù)四個(gè)月呈現(xiàn)下滑趨勢(shì)。為應(yīng)對(duì)這一不利局面,各大存儲(chǔ)器廠商紛紛...
近日,三星電子已做出決定,將減少其位于中國(guó)西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。 當(dāng)前,全球NAND閃存...
韓廠首傳減產(chǎn)消息,NAND Flash市場(chǎng)迎供需平衡預(yù)期
近期,NAND Flash市場(chǎng)再次迎來(lái)重要變動(dòng)。據(jù)媒體報(bào)道,繼鎧俠、美光相繼宣布減產(chǎn)后,市場(chǎng)又傳出三星、SK海力士?jī)纱箜n廠也將減產(chǎn)消費(fèi)級(jí)NAND Fla...
TrendForce預(yù)測(cè)2025年Q1 NAND Flash價(jià)格將大幅下跌
近日,知名市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce發(fā)布預(yù)測(cè)報(bào)告指出,2025年第一季度,NAND Flash市場(chǎng)將面臨前所未有的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。據(jù)其調(diào)查與分析,該季度...
美光調(diào)整NAND晶圓生產(chǎn)策略應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求放緩
近日,根據(jù)美光方面發(fā)布的2025財(cái)年第一財(cái)季財(cái)報(bào)電話會(huì)議文稿,公司高管在會(huì)上確認(rèn)了針對(duì)當(dāng)前閃存市場(chǎng)需求放緩的應(yīng)對(duì)措施。 美光執(zhí)行副總裁兼首席財(cái)務(wù)官M(fèi)ar...
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