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低溫共燒陶瓷 （ Low Temperature Co-Fired Ceramics, LTCC ） 封裝能將不同種類的芯片等元器件組裝集成于同一封裝體內(nèi)以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的某些功能，是實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小型化、集成化、多功能化和高可靠性的重要手段?？偨Y(jié)了 LTCC 基板所采用的封裝方式，闡述了 LTCC 基板的金屬...
作為全球最大的芯片代工廠，臺(tái)積電正在美國亞利桑那州建設(shè)一座價(jià)值120億美元的工廠。臺(tái)積電此前曾透露，亞利桑那州工廠建成后采用5nm制程工藝，預(yù)計(jì)2024年投產(chǎn)，每月將量產(chǎn)2萬片晶圓。...
全光網(wǎng)絡(luò)是大容量光通信的基礎(chǔ)，全光纖摻鉺光纖放大器（EDFA）是長距離（陸地和海底）光通信網(wǎng)絡(luò)重要組成部分。...
晶體缺陷就是實(shí)際晶體中偏離理想結(jié)構(gòu)的不完整區(qū)域。根據(jù)晶體中結(jié)構(gòu)不完整區(qū)域的形狀及大小, 晶體缺陷常分為如下三類。...
束流消除器：兩個(gè)平行板電極之間的直流偏置(~42 v)是否垂直于電子路徑，使電子偏離軸，從而“轉(zhuǎn)動(dòng)”關(guān)閉/阻塞/被下面的孔所覆蓋。...
1985年7月,FUJI推出首臺(tái)帶影像處理功能的高速貼片機(jī)(CP-I) 1994年,FUJI推出超高速貼片機(jī)(CP6) 21世紀(jì)以來，自動(dòng)貼片機(jī)邁進(jìn)“兼?zhèn)涓咚倥c多功能”的時(shí)代....
是的！光刻機(jī)本身的原理，其實(shí)和相機(jī)非常相似，同學(xué)們可以把光刻機(jī)就想成是一臺(tái)巨大的單反相。機(jī)。相機(jī)的原理，是被攝物體被光線照射所反射的光線，透過相機(jī)的鏡頭，將影像投射并聚焦在相機(jī)的底片（感光元件）上， 如此便可把被攝物體的影像復(fù)制到底片上。...
Chiplet 芯片一般采用先進(jìn)的封裝工藝，將小芯片組合代替形成一個(gè)大的單片芯片。利用小芯片（具有相對(duì)低的面積開銷）的低工藝和高良率可以獲得有效降低成本開銷。...
2019年第四季度，中芯國際就表示14nm已投入量產(chǎn)。2021年時(shí)傳出消息，中芯國際14nm的良率達(dá)到95%，已經(jīng)追平臺(tái)積電。（目前7nm也已小規(guī)模投產(chǎn)）...
納米技術(shù)涉及到材料的操縱和結(jié)構(gòu)和系統(tǒng)的建立它們以原子的規(guī)模存在，分子=納米尺度。...
等離子體工藝廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中。比如，IC制造中的所有圖形化刻蝕均為等離子體刻蝕或干法刻蝕，等離子體增強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積(PECVD)和高密度等離子體化學(xué)氣相沉積 (HDP CVD)廣泛用于電介質(zhì)沉積。離子注入使用等離子體源制造晶圓摻雜所需的離子，并提供電子中和晶圓表面上的正電荷。物理氣相沉積(P...
據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，這次成立的公司由日本東京電氣（Tokyo Electro，全球半導(dǎo)體設(shè)備大廠）的前社長東哲郎等人主導(dǎo)， 吸引了日本豐田、索尼、鎧俠、NEC、軟銀、電裝等8家公司聯(lián)合投資，每家出資10億日元。...
深度亞微米技術(shù)的進(jìn)步，以及增加多種功能以降低成本，結(jié)合現(xiàn)有操作規(guī)模，意味著SoC的設(shè)計(jì)變得更加復(fù)雜。...
二十多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們?cè)絹碓蕉嗟年P(guān)注。與硅相比，碳化硅具有很多優(yōu)點(diǎn)，如：碳化硅的禁帶寬度更大，這使碳化硅器件擁有更低的漏電流及更高的工作溫度，抗輻照能力得到提升;碳化硅材料擊穿電場是硅的 10 倍，因此，其器件可設(shè)計(jì)更高的摻雜濃度...
激光退火系統(tǒng)采用激光光源的能量來快速加熱晶圓表面到臨界溶化點(diǎn)溫度。由于硅的高導(dǎo)熱性，硅片表面可以在約1/10 ns范圍快速降溫冷卻。激光退火系統(tǒng)可以在離子注入后以最小的雜質(zhì)擴(kuò)散激活摻雜物離子，這種技術(shù)已被用于后45nm工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)。激光退火系統(tǒng)可用于尖峰退火系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的結(jié)果。...
縱觀整個(gè)制造業(yè)，芯片的制造流程可以說是最復(fù)雜的之一，這項(xiàng)點(diǎn)石成金術(shù)可分為八個(gè)大步驟，如下圖所示，這些步驟又可細(xì)分為上百道工序。...
BSPDN可以理解為Chiplet技術(shù)的演變(圖自：IMEC) 目前主流的 FinFET(過去被稱為 3D 晶體管)是 10nm 工藝發(fā)展過程中的關(guān)鍵芯片設(shè)計(jì)技術(shù)，采用三面包覆式的柵極設(shè)計(jì)，可以在三個(gè)側(cè)面圍起電流通道，以此減少漏電流(電子泄露)。...
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