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納米線是一種很長很細的納米材料。在技術術語中，這意味著它們具有高縱橫比。考慮到這是一個與傳統(tǒng)電線相似的幾何形狀，它們在電子和納米電子設備中具有很大的潛力。...
基于環(huán)的 VCO 也使用 Pcells 從 N40 手動和自動遷移到 N22 節(jié)點。通過使用自動化流程，生產率提高了 2 倍。Pcells 有更多的限制，所以生產率的提高有點少。...
為解決銅絲硬度大帶來的鍵合難度，半導體封裝企業(yè)通常選擇應用超聲工藝或鍵合壓力工藝提升鍵合效果，這也導致焊接期間需要耗費更多的時間完成鍵合工作。...
工業(yè)系統(tǒng)是一個層層嵌套分割的系統(tǒng)。一個工業(yè)企業(yè)系統(tǒng)可以分為資源和任務（目標）這兩個子系統(tǒng)。...
熱平衡等離子體中，電子和離子的能量服從玻爾茲曼分布(見下圖)。電容耦合型等離子體源的平均電子能量為2?3eV。等離子體中離子能量主要取決于反應室的溫度，是200~400℃或0.04?0.06eV。...
Beyne 說，由此產生的壓降讓芯片設計師越來越頭疼?！半娫幢仨毻ㄟ^意大利面條網絡連接到晶體管。由于高壓降，晶體管上的 0.7 伏不再是 0.7 伏。電阻太高。...
清洗質量的好壞將直接影響到器件的成品率、性能和可靠性，國內外各大公司、研究機構等對清洗工藝的研究從未停止，但一些特殊問題仍未得到徹底解決。...
電子封裝（ packaging）通常是在后道工序中完成的，其定義為：利用膜技術和微連接技術，將微電子器件及其它構成要素在框架或基板上布置、固定及連接、引出接線端子，并通過可塑性絕緣介質灌封固定，構成整體立體結構的工藝。...
當核心區(qū)域和 I/O 區(qū)域都已經生長晶體管后，沉積多晶硅層（Poly-Si）和硬掩模層（薄的SiON和PECVD二氧化硅）。沉積柵疊層(Cate-Stack）后，進行圖形化硬掩模（經過光刻步驟)。...
本文件適應于以下場合：制造、處理、組裝、安裝、標識、返工與返修、測試、檢測或其它類似處置電子元器件時可能遭受人體模式（HBM）下不小于100V靜電電壓損害零件、組件及儀器設備。...
目前，微電子產業(yè)已演變?yōu)樵O計、制造和封裝三個相對獨立的產業(yè)。與前2者相比，電子封裝涉及的范圍廣，帶動的基礎產業(yè)多，特別是與之相關的基礎材料更是“硬中之硬”，亟待在我國迅速發(fā)展。目前，電子封裝已成為整個微電子產業(yè)的瓶頸，在全世界范圍內，電子信息產業(yè)的競爭從某種意義.上說講主要體現(xiàn)在電子封裝上。...
封裝基板正在成為封裝領域一個重要的和發(fā)展迅速的行業(yè)，國內現(xiàn)在的基板主要依靠進口，如日韓以及臺灣地區(qū)等等。...
還有一些工作流樣式的應用程序包含真實硅的數(shù)字孿生，可以為其設置警報。因此，如果互連延遲大于 500 毫秒，例如，它可以觸發(fā)警報，指示軟件堆棧中某處存在問題需要修復。...
英特爾正在為 300 毫米硅基 GaN 晶圓打造一條可行的道路，讓世界離超越 5G 更近一步并解決能效挑戰(zhàn)。英特爾在這一領域的突破表明，增益是行業(yè)標準 GaN 的 20 倍，并創(chuàng)下了高性能功率傳輸?shù)男袠I(yè)記錄。...
由下圖可以看出當氣體密度較高時MFP較短(a);而當氣體密度較低時，MFP就較長(b)。大粒子的截面積較大，掃過的空間也較大。與一般或較小的離子相比，大粒子有更多概率和其他粒子發(fā)生碰撞，使其具有較短的MFP。改變壓力會改變粒子密度，因此會影響MFP，即λ反比于壓力p。...
稱TFT-LCD技術基于半導體IC制造加工。TFT-LCD技術的獨特之處在于它使用玻璃基板，而不是傳統(tǒng)的硅晶圓。對于TFT制造工藝，薄膜形成，如CVD，PVD等工藝，都是非常重要得環(huán)節(jié)。在彩色濾光片和TFT基板的組裝過程中，已經開發(fā)了ODF工藝，并將其應用于大尺寸LCD。...
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