模擬單元設計和遷移的世界與數(shù)字單元有很大不同，因為模擬單元的輸入和輸出通常具有隨時間連續(xù)變化的電壓電平，而不僅僅是在 1 和 0 之間切換。臺積電的 Kenny Hsieh 就該主題發(fā)表了演講在最近的北美OIP 活動中研究模擬cell的遷移，我觀看了他的演講以更多地了解他們應對這些挑戰(zhàn)的方法。

模擬單元挑戰(zhàn)

從 N7 到 N5 再到 N3，模擬設計規(guī)則的數(shù)量急劇增加，同時需要考慮更多的布局效果。模擬單元高度往往是不規(guī)則的，因此沒有像標準單元那樣的鄰接。附近的晶體管布局會影響相鄰的晶體管性能，需要花費更多時間進行驗證。

臺積電從 N5 節(jié)點開始的模擬單元的方法是使用具有固定單元高度的布局，支持單元鄰接以形成陣列，重復使用 Metal 0 及以下的預繪制布局，并且經(jīng)過硅驗證。模擬單元的 PDK 內(nèi)部是有源單元，加上所有其他參數(shù)：CMOS、保護環(huán)、CMOS 抽頭、去電容和變?nèi)?a target="_blank">二極管。

模擬單元現(xiàn)在使用固定高度，放置在軌道中，您可以在其中使用基臺（abutment），甚至可以自定義transition, tap 和保護區(qū)域。模擬單元的所有可能組合都經(jīng)過詳盡的預驗證。

模擬單元

通過這種模擬電池方法，可以實現(xiàn)均勻的氧化物擴散 (OD) 和多晶硅 (PO)，從而提高硅良率。

模擬單元布局

自動化模擬單元布局

通過限制模擬單元內(nèi)的模擬晶體管使用更規(guī)則的模式，可以更容易地使用布局自動化，例如：使用模板、自動布局、具有電氣感知寬度和空間的自動布線，以及添加備用晶體管以支持任何 ECO在設計過程的后期到達。

模擬單元的常規(guī)布局

在節(jié)點之間遷移時，原理圖拓撲被重新使用，而每個設備的寬度和長度確實發(fā)生了變化。APR 設置針對單元格的每個模擬組件進行調整。電流和寄生匹配等模擬指標的 APR 約束使該過程更加智能。為了支持 ECO 流程，有一個自動備用晶體管插入功能。自 2021 年以來， Cadence和Synopsys都與臺積電合作，以實現(xiàn)這種改進的模擬自動化方法。

將模擬電路遷移到新的工藝節(jié)點需要一系列設備映射、電路優(yōu)化、版圖重用、模擬 APR、EM 和 IR 修復以及版圖后仿真。在映射期間，使用 Id 飽和方法，其中設備由其上下文自動識別。

偽布局后仿真可以使用估計值和一些完全提取的值來縮短分析循環(huán)。Cadence 和 Synopsys 對 IC 版圖工具的增強現(xiàn)在支持原理圖遷移、電路優(yōu)化和版圖遷移步驟。

使用自動化步驟和模板方法將 N4 的 VCO 布局遷移到 N3E 節(jié)點，重用差分對和電流鏡像設備的布局和方向。將新的自動化遷移方法與手動方法進行比較，其中手動遷移所需時間為 50 天，而自動化僅需 20 天，因此生產(chǎn)率提高了 2.5 倍。早期的 EM、IR 和寄生 RC 檢查是實現(xiàn)生產(chǎn)力提升的基礎。

N4 到 N3E VCO 布局遷移

基于環(huán)的 VCO 也使用 Pcells 從 N40 手動和自動遷移到 N22 節(jié)點。通過使用自動化流程，生產(chǎn)率提高了 2 倍。Pcells 有更多的限制，所以生產(chǎn)率的提高有點少。

總結

臺積電通過以下方式面臨模擬單元遷移的挑戰(zhàn)：與 Cadence 和 Synopsys 等 EDA 供應商合作修改他們的工具，使用具有固定高度的模擬單元以允許更多布局自動化，以及采用與數(shù)字流程類似的策略。兩個遷移示例表明，使用較小的節(jié)點（如 N5 到 N3）時，生產(chǎn)率提高可以達到 2.5 倍。即使使用像 N40 這樣的成熟節(jié)點，使用 Pcell 也可以預期將生產(chǎn)率提高 2 倍。

編輯：黃飛

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