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隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)技術(shù)的蓬勃發(fā)展,智能家居、工業(yè)自動(dòng)化、智慧城市等領(lǐng)域?qū)o(wú)線通信技術(shù)的需求日益增長(zhǎng)。藍(lán)牙Mesh與WiFi Mesh作為兩種主流的無(wú)線組網(wǎng)技術(shù),各自擁有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和適用場(chǎng)景。本文將對(duì)藍(lán)牙Mesh與WiFi Mesh組網(wǎng)技術(shù)進(jìn)行深度對(duì)比,從組網(wǎng)原理、網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等多個(gè)...
OBC+DCDC+PDU集成方案技術(shù)解析 一、技術(shù)架構(gòu)與核心功能 =? 系統(tǒng)組成 ?= =? OBC(車(chē)載充電機(jī)) ?= :負(fù)責(zé)將交流電(AC)轉(zhuǎn)換為直流電(DC),支持單相/三相輸入,功率范圍覆蓋6.6kW至22kW,部分方案支持雙向充放電(V2L/V2G)?。 =? DCDC(直流轉(zhuǎn)換器) ?=...
本文介紹了基于小華HC32F334數(shù)字電源控制器的兩路交錯(cuò)無(wú)橋圖騰柱TCM_PFC參考設(shè)計(jì):著重介紹了工頻過(guò)零點(diǎn)電流畸變控制、工頻過(guò)零點(diǎn)附近的邏輯處理、輕載效率和THD優(yōu)化、準(zhǔn)確負(fù)電流檢測(cè)與防干擾設(shè)計(jì)、變頻交錯(cuò)功能實(shí)現(xiàn)、以及保護(hù)功能設(shè)計(jì),更多功能期待大家親測(cè)品鑒。...
作者:京東科技 蔡欣彤 一、引言:AI時(shí)代的挑戰(zhàn)與DeepSeek的崛起 在大模型時(shí)代,AI技術(shù)的飛速發(fā)展帶來(lái)了前所未有的機(jī)遇,但也伴隨著巨大的挑戰(zhàn)。隨著模型規(guī)模的不斷擴(kuò)大,算力需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),訓(xùn)練成本飆升,而性能提升的邊際收益卻逐漸遞減,形成了所謂的“Scaling Law”瓶頸。與此同時(shí),Op...
前言基于微滴的微流控技術(shù)已成為一種用途廣泛的工具,在生物化學(xué)分析與合成等諸多領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用,而微滴的產(chǎn)生和操控是這些應(yīng)用的基礎(chǔ)?;诼晫W(xué)的微滴操控技術(shù)已展現(xiàn)出良好的生物相容性和大范圍可調(diào)節(jié)性的優(yōu)勢(shì)。近期,來(lái)自上海交通大學(xué)機(jī)械與動(dòng)力工程學(xué)院的研究團(tuán)隊(duì),就針對(duì)上述方向進(jìn)行了液滴微流控相關(guān)研究,該研究成...
以萬(wàn)全之力,筑成東數(shù)西算的token經(jīng)濟(jì)走廊...
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,小體積、高性能的電感器越來(lái)越廣泛地應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。其中,底部電極式一體成型電感憑借其結(jié)構(gòu)緊湊、高可靠性、優(yōu)異性能等特點(diǎn),成為高密度、高頻化電子系統(tǒng)的優(yōu)選元件。尤其在追求小型化、高可靠性和低EMI的場(chǎng)景中,其綜合性能優(yōu)于傳統(tǒng)繞線電感。本文針對(duì)底部電極式一體成型電感的優(yōu)勢(shì)及...
MOS管損耗的8個(gè)組成部分在器件設(shè)計(jì)選擇過(guò)程中需要對(duì)MOSFET的工作過(guò)程損耗進(jìn)行先期計(jì)算(所謂先期計(jì)算是指在沒(méi)能夠測(cè)試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格書(shū)提供的參數(shù)及工作電路的計(jì)算值和預(yù)計(jì)波形,套用公式進(jìn)行理論上的近似計(jì)算)。MOSFET的工作損耗基本可分為如下幾部分:01導(dǎo)通損耗Pon導(dǎo)通損耗,指...
通過(guò)對(duì)AC/DC開(kāi)關(guān)電源的沖擊電流控制和散熱設(shè)計(jì)研究,可進(jìn)一步表明電源的沖擊電流控制和散熱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)是決定產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵,采用升/降壓橫流電路優(yōu)化設(shè)計(jì)可提高電源的使用效率,減少電源熱能的消耗,進(jìn)一步提高了光電轉(zhuǎn)換效率。通過(guò)對(duì)散熱結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)、散熱材料優(yōu)化選取以及通過(guò)熱管和均溫板的散熱方式設(shè)計(jì)可大幅度提...
內(nèi)存(DRAM-Random Access Memory)作為現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的核心組件之一,在計(jì)算機(jī)、汽車(chē)與消費(fèi)電子產(chǎn)品上可謂無(wú)所不在。...
30KPA168A單向二極管:高耐壓,低損耗,性能卓越...
總述:在數(shù)字化與智能化深度融合的當(dāng)下,數(shù)據(jù)處理能力已成為推動(dòng)各行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵要素。無(wú)論是智能設(shè)備對(duì)環(huán)境數(shù)據(jù)的精準(zhǔn)采集,還是工業(yè)系統(tǒng)對(duì)生產(chǎn)參數(shù)的嚴(yán)格監(jiān)測(cè)與調(diào)控,乃至通信領(lǐng)域?qū)π盘?hào)的高效處理,都離不開(kāi)精準(zhǔn)、穩(wěn)定的數(shù)據(jù)處理作為智能化的基石。放大器作為數(shù)據(jù)處理鏈路中的重要部分,其性能直接影響數(shù)據(jù)質(zhì)量和系統(tǒng)效...
Vivado的時(shí)序約束是保存在xdc文件中,添加或創(chuàng)建設(shè)計(jì)的工程源文件后,需要?jiǎng)?chuàng)建xdc文件設(shè)置時(shí)序約束。時(shí)序約束文件可以直接創(chuàng)建或添加已存在的約束文件,創(chuàng)建約束文件有兩種方式:Constraints Wizard和Edit Timing Constraints,在綜合后或?qū)崿F(xiàn)后都可以進(jìn)行創(chuàng)建。...
在關(guān)鍵尺寸的在線量測(cè)環(huán)節(jié),所運(yùn)用的設(shè)備主要涵蓋 CD-SEM 以及 OCD(optical critical dimention,光學(xué)關(guān)鍵尺寸)量測(cè)設(shè)備。...
基于電源模塊的低噪聲二次電源模擬電路設(shè)計(jì) 引言 模擬電子技術(shù)作為一門(mén)入門(mén)性質(zhì)的技術(shù)基礎(chǔ)課,其內(nèi)容與后續(xù)的大量專(zhuān)業(yè)課都直接關(guān)聯(lián),因此各理工類(lèi)院校所有涉及電類(lèi)的專(zhuān)業(yè)都將其作為后續(xù)專(zhuān)業(yè)課的重要基礎(chǔ)課。但由于模電課程本身所具有的課程特點(diǎn),初學(xué)者在剛開(kāi)始接觸這門(mén)課程時(shí)常會(huì)感到枯燥、抽象,難以入手。所以本文將實(shí)...
當(dāng)一只PF-A系列功率因數(shù)校正模塊的輸出功率不能滿足負(fù)載的要求時(shí),或者想通過(guò)減少每只模塊的輸出功率來(lái)提高供電系統(tǒng)的可靠性時(shí),可以采用多只PF-A模塊并聯(lián)。交流輸入電壓在85-255V時(shí),只要將各模塊的PC腳接在一起,各模塊即可平均分配負(fù)載電流。...
頻譜擴(kuò)展(FSS)技術(shù)廣泛應(yīng)用于功率變換器中,用于降低電磁干擾(EMI)噪聲。在實(shí)際應(yīng)用中,設(shè)計(jì)人員需要仔細(xì)考量 FSS 設(shè)計(jì)中的多個(gè)參數(shù),在優(yōu)化 EMI 性能的同時(shí)盡量減少副作用。...
PWM(脈寬調(diào)制)開(kāi)關(guān)電源基本原理是通過(guò)對(duì)輸出電壓采樣,并把采樣的結(jié)果反饋給控制電路,控制電路把它與基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較,根據(jù)比較結(jié)果控制脈寬調(diào)制器輸出占空比,達(dá)到調(diào)整輸出電壓的目的。...
即便是不起眼的保險(xiǎn)絲,也不可避免地受到技術(shù)進(jìn)步的沖擊,以往簡(jiǎn)單的玻璃管保險(xiǎn)絲正逐步被功能更強(qiáng)大、更先進(jìn)的智能電子保險(xiǎn)絲(eFuse)所取代。...
LPDDR5X:面向高性能與能效的增強(qiáng)型移動(dòng)內(nèi)存 概述 LPDDR5X(低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X)是LPDDR5 DRAM的升級(jí)版本,專(zhuān)為移動(dòng)設(shè)備優(yōu)化設(shè)計(jì)。該標(biāo)準(zhǔn)由JEDEC于2021年推出,作為L(zhǎng)PDDR5的可選擴(kuò)展版本,旨在滿足5G通信、AI邊緣計(jì)算、高分辨率AR/VR等領(lǐng)域?qū)?nèi)存性能的更高需求。...