1. 傳蘋果確認(rèn)iPhone 16系列將采用臺積電第二代3nm工藝N3E
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蘋果近日確認(rèn)iPhone 16系列將采用臺積電第二代3nm工藝N3E。據(jù)悉，蘋果在 iPhone 15 Pro 和 iPhone 15 Pro Max 兩款機(jī)型上，搭載了采用N3B （3nm）工藝的A17 Pro芯片，而即將到來的N3E將在此基礎(chǔ)上，進(jìn)一步削減成本、增強(qiáng)芯片性能和能效。蘋果將是臺積電N3E工藝的最大客戶。
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臺積電工廠目前正推進(jìn)N3E工藝量產(chǎn)，并計(jì)劃2024年替代N3工藝。預(yù)計(jì)2024年開始，除三星外其他幾家主要的芯片玩家，包括高通、聯(lián)發(fā)科、AMD、英偉達(dá)、英特爾等廠商，都將采用該先進(jìn)工藝。
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2. 首次采用EUV技術(shù)！英特爾宣布Intel 4已大規(guī)模量產(chǎn)
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近日，英特爾宣布已開始采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)（HVM）Intel 4制程節(jié)點(diǎn)。采用該制程、產(chǎn)品代號為Meteor Lake的英特爾酷睿Ultra處理器將于今年12月14日發(fā)布。
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據(jù)悉，作為英特爾首個采用極紫外光刻技術(shù)生產(chǎn)的制程節(jié)點(diǎn)，Intel 4與先前的節(jié)點(diǎn)相比，在性能、能效和晶體管密度方面均實(shí)現(xiàn)了顯著提升。此前有消息指出，Intel 4工藝的性能與三星電子3nm和臺積電3nm相似。
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3. 美國擬對通用LG新能源合資電池廠罰款27萬美元
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近日，美國調(diào)查人員建議對通用汽車和LG新能源位于俄亥俄州的一座合資電池廠處以27萬美元的罰款，原因是該廠違反了安全和健康規(guī)定。
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美國職業(yè)安全與健康管理局（OSHA）的調(diào)查人員在調(diào)查這座電池工廠（Ultium Cells）3月份發(fā)生的爆炸和火災(zāi)的原因時，在工廠內(nèi)發(fā)現(xiàn)了19項(xiàng)違反安全與健康規(guī)定的行為，其中17項(xiàng)屬于嚴(yán)重違規(guī)。OSHA檢查員發(fā)現(xiàn)，該公司沒有對工人進(jìn)行安全和應(yīng)急程序培訓(xùn)，導(dǎo)致他們暴露在危險(xiǎn)之中，并且沒有遵守個人防護(hù)設(shè)備使用的聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn)。
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4. 臺積電美國4 納米廠 初期月產(chǎn)能增至3萬片
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近期供應(yīng)鏈消息傳出，美國4 納米廠初期月產(chǎn)能規(guī)劃將達(dá)到3 萬片，目標(biāo)2025 年第三季量產(chǎn)， 3 納米則預(yù)計(jì)在后一年到位，合計(jì)初期月產(chǎn)能將達(dá)5 萬片。在此之前，臺積電將先建置mini line（小量試產(chǎn)線），預(yù)計(jì)2024 年第一季完成。
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自臺積電2020年宣布將在美國興建5納米晶圓廠后，建廠進(jìn)度一直是市場討論焦點(diǎn)，更頻頻傳出不順利的消息。公司原本預(yù)定2024年初投產(chǎn)，惟因面臨熟練安裝設(shè)備的專業(yè)人員不足、當(dāng)?shù)毓棺h、海外安規(guī)差異等眾多挑戰(zhàn)，裝機(jī)時程出現(xiàn)延宕，投產(chǎn)時間推延到2025年，業(yè)界消息指出，最快會在該年第三季量產(chǎn)。
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5. 消息稱小米 14 系列手機(jī)下周開始預(yù)熱，標(biāo)準(zhǔn)版提供“專為女性設(shè)計(jì)”機(jī)身
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博主 @智慧皮卡丘爆料，小米 14 系列手機(jī)本周起（10 月 16 日-10 月 23 日）就要開始（官方）預(yù)熱了。同時，他還聲稱“這次發(fā)布會內(nèi)容很多，標(biāo)準(zhǔn)版還有專門為女性設(shè)計(jì)的機(jī)身”。
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@智慧皮卡丘 在更早之前的博文對于小米 14 系列的爆料，包括全系都有 1T 存儲版本預(yù)案、14 系列仍是 5000 萬像素路線等等。至于這個“專為女性設(shè)計(jì)”，倒是可以參考 @數(shù)碼閑聊站 更早之前的一則爆料：“量產(chǎn)落地的粉色真的很好看，搭配刷記錄的 1mm 級別極窄屏幕，馬達(dá)是有一定升級的未公開新型號，新系統(tǒng)主打一個絲滑流暢，底層修改應(yīng)該不少”。
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6. 非光刻方案，佳能開始銷售 5nm 芯片生產(chǎn)設(shè)備
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佳能（Canon）公司近日發(fā)布新聞，開始銷售芯片生產(chǎn)設(shè)備 FPA-1200NZ2C，表示采用不同于復(fù)雜光刻技術(shù)的方案，可以制造 5 nm 芯片。
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佳能表示這套生產(chǎn)設(shè)備的工作原理和行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 ASML 不同，并非光刻，而更類似于印刷，沒有利用圖像投影的原理將集成電路的微觀結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到硅晶圓上。這套設(shè)備可以應(yīng)用于最小 14 平方毫米的硅晶圓，從而可以生產(chǎn)相當(dāng)于 5nm 工藝的芯片。佳能表示會繼續(xù)改進(jìn)和發(fā)展這套系統(tǒng)，未來有望用于生產(chǎn) 2nm 芯片。
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