半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展。氮化鎵和硅的制造工藝非常相似，12英寸氮化鎵技術(shù)發(fā)展的一大優(yōu)勢(shì)是可以利用現(xiàn)有的12英寸硅晶圓制造設(shè)備。全面規(guī)?；?b class="flag-6" style="color: red">量產(chǎn)12英寸氮化鎵生產(chǎn)將有助于氮化鎵
2024-10-25 11:25:36
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等第三代半導(dǎo)體而言，它們還有提升空間。 ? 就在9月11日，英飛凌宣布率先開(kāi)發(fā)出全球首項(xiàng)300 mm（12英寸）氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)，英飛凌也成為了全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。 ? 推動(dòng)功率氮
2024-09-23 07:53:006509 
` 本帖最后由 firstchip 于 2015-1-20 10:54 編輯
北京飛特馳科技有限公司對(duì)外提供6英寸半導(dǎo)體工藝代工服務(wù)和工藝加工服務(wù)，包括：產(chǎn)品代工、短流程加工、單項(xiàng)工藝加工等
2015-01-07 16:15:47
大家都知道臺(tái)積電世界第一名的晶圓代工廠，不過(guò)，你知道晶圓和芯片到底是什么，又有多重要嗎？認(rèn)識(shí)晶圓和芯片之前，先認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體地球上的各種物質(zhì)和材料具有不同的導(dǎo)電性，導(dǎo)電效果好的稱(chēng)為“導(dǎo)體”，無(wú)法導(dǎo)電
2022-09-06 16:54:23
扮演著關(guān)鍵的角色。與此同時(shí)，美國(guó)國(guó)防部還通過(guò)了高級(jí)研究計(jì)劃局 (DARPA) 的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù) (WBST) 計(jì)劃，該計(jì)劃在氮化鎵的早期開(kāi)發(fā)中發(fā)揮了積極的推動(dòng)作用。該項(xiàng)計(jì)劃于 2001 年正式啟動(dòng)，力求
2017-08-15 17:47:34
可以做得更大，成長(zhǎng)周期更短。MACOM現(xiàn)在已經(jīng)在用8英寸晶圓生產(chǎn)氮化鎵器件，與很多仍然用4英寸設(shè)備生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵的廠商不同。MACOM的氮化鎵技術(shù)用途廣泛，在雷達(dá)、軍事通信、無(wú)線和有線寬帶方面都有
2017-09-04 15:02:41
民幣5220元）以下的晶圓才適用于功率半導(dǎo)體的量產(chǎn)。成功獲得適用于量產(chǎn)功率半導(dǎo)體的、高質(zhì)量、大尺寸氮化鎵晶圓氮化鎵晶片存在以上問(wèn)題的根源是其晶體生長(zhǎng)方式。目前批量生產(chǎn)的 Bulk氮化鎵晶片采用以下方式制造，利用
2023-02-23 15:46:22
半導(dǎo)體晶圓（晶片）的直徑為4到10
英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤(pán)，在制造過(guò)程中可承載非本征
半導(dǎo)體。它們是正（P）型
半導(dǎo)體或負(fù)（N）型
半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見(jiàn)的
半導(dǎo)體晶片，因?yàn)楣?/div>
2021-07-23 08:11:27
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為落地量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開(kāi)關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號(hào)，轉(zhuǎn)化為無(wú)損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
安森美半導(dǎo)體全球制造高級(jí)副總裁Mark Goranson最近訪問(wèn)了Mountain Top廠，其8英寸晶圓廠正慶祝制造8英寸晶圓20周年。1997年，Mountain Top點(diǎn)開(kāi)設(shè)了一個(gè)新建的8英寸
2018-10-25 08:57:58
在硅頂部生長(zhǎng)氮化鎵外延層，可以使用現(xiàn)有的硅制造供應(yīng)鏈而免于使用昂貴的特定生產(chǎn)地點(diǎn)。供應(yīng)鏈利用現(xiàn)成的大直徑硅晶圓以低成本進(jìn)行量產(chǎn)，并與具備豐富經(jīng)驗(yàn)的合作伙伴進(jìn)行大批量后端生產(chǎn)。由于氮化鎵器件比硅器件
2023-06-25 14:17:47
12英寸晶圓片的外觀檢測(cè)方案？那類(lèi)探針臺(tái)可以全自動(dòng)解決12英寸晶圓片的外觀缺陷測(cè)試？ 本人郵箱chenjuhua@sidea.com.cn,謝謝
2019-08-27 05:56:09
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
晶圓雙雄產(chǎn)能計(jì)劃增長(zhǎng) 恐致產(chǎn)能過(guò)剩
最近臺(tái)灣兩家主要的半導(dǎo)體代工商臺(tái)積電和聯(lián)電公司均宣布今年將進(jìn)一步拓展其12英寸晶圓的產(chǎn)能，兩家廠商并宣布將提升今年
2010-02-08 09:47:51773 
英特爾和臺(tái)積電日前先后宣布投資設(shè)備大廠ASML，掀起半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)卡位18英寸晶圓世代大戰(zhàn)，聯(lián)電和GlobalFoundries在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的市占率排名上也持續(xù)進(jìn)行拉鋸戰(zhàn)
2012-08-13 14:17:28863 美國(guó)飛兆半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor；紐約證券交易所代號(hào)：FCS），全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，在韓國(guó)富川市正式開(kāi)啟八英寸晶圓制造線。該新的微芯片生產(chǎn)廠象征公司對(duì)創(chuàng)新功率半導(dǎo)體解決方案的重視，以及在改進(jìn)質(zhì)量和應(yīng)對(duì)新興市場(chǎng)動(dòng)態(tài)方面的投資。
2013-07-10 13:14:111325 氮化鎵單晶材料生長(zhǎng)難度非常大，蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實(shí)現(xiàn)了“中國(guó)造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展非常快，同樣也是氮化物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:018360 全球第三大半導(dǎo)體硅晶圓廠環(huán)球晶圓董事長(zhǎng)徐秀蘭昨（25）日表示，半導(dǎo)體硅晶圓供不應(yīng)求，環(huán)球晶圓產(chǎn)能到2020年全滿，至少四年看不到價(jià)格反轉(zhuǎn)跡象，且搶貨潮從主流的12英寸一路向下延伸至8英寸、甚至6英寸。
2018-06-26 15:24:006440 去年下半年以來(lái)，全球8英寸晶圓代工產(chǎn)能就開(kāi)始走俏。根據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電、聯(lián)電、中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體等代工廠均出現(xiàn)8英寸產(chǎn)能吃緊的狀況。而這一情況的出現(xiàn)，除了促使部分國(guó)際半導(dǎo)體制造大廠加速擴(kuò)大8英寸產(chǎn)能之外，也導(dǎo)致這些公司增強(qiáng)了對(duì)中國(guó)大陸特色工藝代工市場(chǎng)的滲透。
2018-07-31 15:20:034070 力晶集團(tuán)為重返上市，4日宣布旗下鉅晶更名為力積電，計(jì)劃明年收購(gòu)力晶科技所屬的3座12英寸晶圓廠，2020年力積電將以專(zhuān)業(yè)晶圓代工產(chǎn)業(yè)定位，重新在中國(guó)臺(tái)灣上市，并銜接苗栗銅鑼廠的新12英寸投資。
2018-09-08 11:41:345959 力晶集團(tuán)為重返上市，4日宣布旗下鉅晶更名為力積電，計(jì)劃明年收購(gòu)力晶科技所屬的3座12英寸晶圓廠，2020年力積電將以專(zhuān)業(yè)晶圓代工產(chǎn)業(yè)定位，重新在中國(guó)臺(tái)灣上市，并銜接苗栗銅鑼廠的新12英寸投資。
2018-09-09 11:50:4311015 8英寸晶圓代工需求轉(zhuǎn)趨疲軟！臺(tái)積電證實(shí)，旗下8英寸晶圓代工生產(chǎn)線產(chǎn)能松動(dòng)；市場(chǎng)關(guān)注，8英寸晶圓代工需求轉(zhuǎn)弱后，是否對(duì)硅晶圓材料報(bào)價(jià)走勢(shì)造成影響。
2018-10-22 14:27:382903 8英寸晶圓代工需求轉(zhuǎn)趨疲軟！臺(tái)積電證實(shí)，旗下8英寸晶圓代工生產(chǎn)線產(chǎn)能松動(dòng)；市場(chǎng)關(guān)注，8英寸晶圓代工需求轉(zhuǎn)弱后，是否對(duì)硅晶圓材料報(bào)價(jià)走勢(shì)造成影響。
2018-10-23 10:31:143006 根據(jù)韓國(guó)媒體《ETnews》的報(bào)道指出，近年來(lái)在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）及車(chē)用電子需求的帶動(dòng)下，晶圓制造的產(chǎn)能需求開(kāi)始由12英寸廠轉(zhuǎn)移到8英寸廠上，這也促成了晶圓龍頭臺(tái)積電在日前宣布，將在南科興建一座新的8英寸廠，也滿足當(dāng)前市場(chǎng)上的需求。
2018-12-18 15:15:583148 除了臺(tái)積電的8英寸廠廠能因?yàn)槭袌?chǎng)的需求提高，其他半導(dǎo)體大廠都紛紛提升8英寸廠的產(chǎn)能。
2018-12-20 08:58:113459 近日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“耐威科技”）發(fā)布公告稱(chēng)，其控股子公司聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“聚能晶源”）成功研制“8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”，聚
2018-12-20 14:45:207215 耐威科技表示，本次“8 英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”的研制成功，使得聚能晶源成為截至目前公司已知全球范圍內(nèi)領(lǐng)先的可提供具備長(zhǎng)時(shí)可靠性的 8 英寸 GaN 外延晶圓的生產(chǎn)企業(yè)，且在
2018-12-20 15:21:176330 日前，海辰半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司所承擔(dān)的新建8英寸非存儲(chǔ)晶圓廠正式封頂，SK海力士的晶圓代工業(yè)務(wù)布局提速。
2019-02-28 16:43:0815533 晶圓代工廠法說(shuō)會(huì)落幕，臺(tái)積電、聯(lián)電和世界先進(jìn)三大廠對(duì)本季展望透露手機(jī)芯片升溫，連帶12英寸晶圓代工訂單回升；8英寸晶圓代工產(chǎn)能則受功率半導(dǎo)體和大尺寸驅(qū)動(dòng)IC訂單轉(zhuǎn)弱影響，產(chǎn)能利用率下滑。 臺(tái)積電、聯(lián)電和世界已相繼舉辦第1季業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)，并提出本季營(yíng)運(yùn)展望。
2019-05-14 09:56:333391 近日，中芯晶圓的首批8英寸（200mm）半導(dǎo)體硅拋光片順利下線，自打下第一根樁，到第一批硅片產(chǎn)出，杭州中芯晶圓僅用了16個(gè)月的時(shí)間。
2019-07-04 17:42:334056 威科技從投建8英寸氮化鎵（GaN）外延材料項(xiàng)目到正式投產(chǎn)，僅用了15個(gè)月，進(jìn)展之快，讓業(yè)界對(duì)這家新晉半導(dǎo)體公司的實(shí)力有了新的認(rèn)識(shí)。
2019-09-11 16:33:127399 臺(tái)積電昨日宣布，與意法半導(dǎo)體合作加速市場(chǎng)采用氮化鎵產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候?qū)⑹着鷺悠方唤o其主要客戶(hù)。
2020-02-21 15:41:182875 在8寸晶圓產(chǎn)能方面，臺(tái)廠聯(lián)電、臺(tái)積電、世界先進(jìn)是8寸晶圓產(chǎn)能的主力，其中，聯(lián)電產(chǎn)能占據(jù)整體8寸晶圓產(chǎn)能的50%以上。
2021-01-11 11:53:261849 據(jù)介紹，中欣晶圓8英寸半導(dǎo)體硅片年產(chǎn)量可達(dá)420萬(wàn)枚，填補(bǔ)了杭州集成電路產(chǎn)業(yè)制造環(huán)節(jié)的短板，也是目前國(guó)內(nèi)規(guī)模最大的半導(dǎo)體大晶圓片生產(chǎn)商。
2020-11-05 13:44:184815 8英寸晶圓被認(rèn)為是落后產(chǎn)線，更關(guān)注12英寸晶圓產(chǎn)線的建設(shè)和量產(chǎn)。然而，就是這一比12英寸晶圓古老多年的產(chǎn)品，目前其產(chǎn)能依然很緊張。 供不應(yīng)求的8英寸晶圓與逐年下滑的生產(chǎn)線 目前全球代工廠產(chǎn)能爆滿，臺(tái)
2020-11-23 14:00:393365 8英寸晶圓被認(rèn)為是落后產(chǎn)線，然而，就是這一比12英寸晶圓“古老”多年的產(chǎn)品，目前其產(chǎn)能依然很緊張。
2020-11-24 11:23:342042 臺(tái)積電、聯(lián)華電子在內(nèi)的芯片代工商將8英寸晶圓代工報(bào)價(jià)提高了10%-20%。 據(jù)悉，從2018年開(kāi)始就出現(xiàn)了8英寸晶圓產(chǎn)能
2020-11-24 16:06:192229 ? ? 最近半導(dǎo)體商似乎混進(jìn)了一種新的“流行”，大家見(jiàn)面不再問(wèn)“你，吃了嗎？”，而是變成了“你，有8英寸晶圓嗎？”。 ?8英寸（200mm）晶圓到底有多缺？ 這一切還得從8英寸晶圓的前世今生說(shuō)起
2020-12-09 09:46:5014045 12月18日消息，據(jù)英文媒體報(bào)道，在第一大芯片代工商臺(tái)積電取消2021年12英寸晶圓代工折扣，芯片代工產(chǎn)能緊張狀況有從8英寸晶圓廠延伸到12英寸晶圓廠的趨勢(shì)的消息出現(xiàn)之后，也有代工商在謀劃擴(kuò)大12英寸晶圓代工廠的產(chǎn)能。
2020-12-19 09:13:322522 2020年半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵詞就是缺貨，下半年開(kāi)始產(chǎn)能緊張傳遍了整個(gè)行業(yè)，不只是高端的先進(jìn)工藝缺產(chǎn)能，偏向中低端及特殊產(chǎn)品的8英寸晶圓產(chǎn)能更緊張，連代工老大臺(tái)積電也沒(méi)余力了。
2020-12-19 10:43:392880 2020年半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵詞就是缺貨，下半年開(kāi)始產(chǎn)能緊張傳遍了整個(gè)行業(yè)，不只是高端的先進(jìn)工藝缺產(chǎn)能，偏向中低端及特殊產(chǎn)品的8英寸晶圓產(chǎn)能更緊張，連代工老大臺(tái)積電也沒(méi)余力了。 最近一段時(shí)間，半導(dǎo)體行業(yè)
2020-12-19 10:56:403004 近期的半導(dǎo)體市場(chǎng)，尤其是8英寸晶圓的產(chǎn)能為什么這么緊張？ 跟隨摩爾定律演進(jìn)，集成電路制造所用的主流晶圓直徑從 4 英寸、6 英寸、8 英寸到12 英寸。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片
2020-12-24 14:10:4210871 
產(chǎn)能緊缺從晶圓代工傳導(dǎo)至封測(cè)、設(shè)計(jì)、晶圓、再到模組供應(yīng)商、下游終端廠商等，捎帶著6英寸和12英寸晶圓，一路缺貨到明年。
2020-12-24 17:02:224299 第二季度達(dá)到滿載。第三季度產(chǎn)能緊張進(jìn)一步加劇，華虹半導(dǎo)體、華潤(rùn)微的8英寸線也紛紛滿載。在緊張的供求關(guān)系推動(dòng)下，8英寸晶圓價(jià)格上漲，據(jù)統(tǒng)計(jì)，除三星、臺(tái)積電外，2020年第四季度聯(lián)電、格芯和世界先進(jìn)等公司
2020-12-31 15:52:574029 ? ? 據(jù)臺(tái)媒經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，晶圓代工廠聯(lián)電接單暢旺，繼8英寸晶圓代工價(jià)格陸續(xù)調(diào)漲后，12英寸晶圓代工價(jià)格也開(kāi)始跟進(jìn)調(diào)漲。 集微網(wǎng)消息，據(jù)臺(tái)媒經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，晶圓代工廠聯(lián)電接單暢旺，繼8英寸晶圓代工
2021-01-06 09:46:302601 1月22日，眾合科技在互動(dòng)平臺(tái)表示，海納半導(dǎo)體目前已實(shí)現(xiàn)8英寸產(chǎn)品的小批量生產(chǎn)，暫無(wú)量產(chǎn)12英寸硅片產(chǎn)品，相關(guān)技術(shù)和產(chǎn)品正在積極研發(fā)中。 天眼查顯示，海納半導(dǎo)體成立于2002年，是眾合科技的全資
2021-01-25 10:52:383366 納微半導(dǎo)體今日正式宣布，其出貨量創(chuàng)下最新紀(jì)錄，已向市場(chǎng)成功交付超過(guò)1300萬(wàn)顆氮化鎵（GaN）功率IC實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品零故障。
2021-01-27 16:43:142066 ? 最近半導(dǎo)體商似乎混進(jìn)了一種新的“流行”，大家見(jiàn)面不再問(wèn)“你，吃了嗎？”，而是變成了“你，有8英寸晶圓嗎？”。 8英寸（200mm）晶圓到底有多缺？ ? 這一切還得從8英寸晶圓的前世今生說(shuō)起
2021-02-01 10:39:4610499 
近日有消息透露，明年初晶圓代工價(jià)格已經(jīng)敲定，不僅聯(lián)電8寸和12寸的晶圓代工價(jià)格繼續(xù)上漲，晶圓代工龍頭臺(tái)積電也將漲價(jià)，部分8寸和12寸制程價(jià)格上漲一到兩成，且12寸制程漲幅高于8寸。臺(tái)積電發(fā)言人表示
2021-06-25 15:45:431327 納微半導(dǎo)體向福布斯詳細(xì)介紹了納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的相關(guān)信息，并且介紹了氮化鎵功率芯片在電動(dòng)汽車(chē)以及電動(dòng)交通工具等方面的應(yīng)用。
2021-08-24 09:39:211727 
截至 2021 年 5 月，超過(guò) 2000 萬(wàn)片納微 GaNFast?? 氮化鎵功率芯片已經(jīng)成功出貨。
2021-08-24 09:42:301462 
全球氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體，在北京小米科技園舉辦的 2021 被投企業(yè) Demo Day 上，展示了下一代功率電源和手機(jī)快充產(chǎn)品。
2021-11-02 09:51:311061 
德州儀器今日宣布計(jì)劃于明年在德克薩斯州（簡(jiǎn)稱(chēng)“德州”） 北部謝爾曼（Sherman）開(kāi)始建造新的12英寸半導(dǎo)體晶圓制造廠。
2021-11-22 14:33:121624 
目前世界500強(qiáng)正威集團(tuán)計(jì)劃投資53億，在陽(yáng)邏建設(shè)硅基8-12英寸SOI半導(dǎo)體材料項(xiàng)目，投產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)70萬(wàn)片8英寸SOI晶圓片和30萬(wàn)片12英寸SOI晶圓片。
2022-01-23 09:56:331676 氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導(dǎo)體以其專(zhuān)有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù)，集成了氮化鎵功率場(chǎng)效應(yīng)管（GaN Power［FET］）、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)模塊在單個(gè)SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:131971 格科微0.153μm晶圓, CIS工藝量產(chǎn) 中芯國(guó)際年報(bào)出爐 ,臺(tái)積電擔(dān)憂大陸封城影響半導(dǎo)體需求.
2022-03-31 16:55:582813 近日，據(jù)外媒報(bào)道稱(chēng)，SK海力士收購(gòu)啟方半導(dǎo)體的交易已經(jīng)接近尾聲，即將完成。 去年10月份，SK海力士宣布將要斥資5758億韓元來(lái)收購(gòu)啟方半導(dǎo)體，并表示將通過(guò)這次收購(gòu)來(lái)提高8英寸晶圓代工的產(chǎn)能
2022-05-31 16:44:572766 2022年7月26日，Anker安克創(chuàng)新舉辦“2022安克旗艦新品發(fā)布會(huì)”，5款氮化鎵“芯”品強(qiáng)勢(shì)降世。納微半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Gene Sheridan現(xiàn)身直播間，揭秘納微如何助力
2022-07-29 16:17:44771 
按晶圓尺寸計(jì)算，GaN半導(dǎo)體器件市場(chǎng)的6英寸及以上GaN晶圓部分預(yù)計(jì)在預(yù)測(cè)期內(nèi)將錄得更高的復(fù)合年增長(zhǎng)率。此尺寸范圍的晶圓使制造商能夠提高生產(chǎn)力并在單個(gè)批次中生產(chǎn)大量設(shè)備。這反過(guò)來(lái)又有助于降低制造6
2023-02-12 17:35:24597 由于同質(zhì)外延結(jié)構(gòu)帶來(lái)的晶格匹配和熱匹配，自支撐氮化鎵襯底在提升氮化鎵基器件性能方面有著巨大潛力，如發(fā)光二極管，激光二極管，功率器件和射頻器件等。相比異質(zhì)襯底外延， 基于自支撐氮化鎵晶圓片的同質(zhì)外延可能是大多氮化鎵基器件的絕佳選擇。
2023-02-14 09:18:101199 
領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實(shí)時(shí)、智能的傳感和保護(hù)電路，
進(jìn)一步提高了納微半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性，同時(shí)增加了
2023-02-22 13:48:05
3 據(jù)統(tǒng)計(jì)，在2017 年，8英寸晶圓代工主力華虹半導(dǎo)體的8英寸晶圓產(chǎn)能為168K/月，中芯國(guó)際的產(chǎn)能為234K/月，占總產(chǎn)能的比例超過(guò)40%。
2023-03-06 14:25:27858 月正式投片，2023年6月2日流片完成，元器件電性(WAT)測(cè)試結(jié)果全部達(dá)標(biāo)。充分驗(yàn)證了積塔半導(dǎo)體12英寸特色工藝產(chǎn)線已具備量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)積塔未來(lái)的工藝技術(shù)提升、產(chǎn)品開(kāi)拓、產(chǎn)線擴(kuò)建具有重要意義。 積塔12英寸汽車(chē)芯片工藝線項(xiàng)目，著力90nm到40nm車(chē)規(guī)級(jí)微處理器(MCU
2023-06-24 21:21:523608 
2023年2月正式投片，2023年6月2日流片完成，元器件電性(WAT)測(cè)試結(jié)果全部達(dá)標(biāo)。充分驗(yàn)證了積塔半導(dǎo)體12英寸特色工藝產(chǎn)線已具備量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)積塔未來(lái)的工藝技術(shù)提升、產(chǎn)品開(kāi)拓、產(chǎn)線擴(kuò)建具有重要意義。 積塔12英寸汽車(chē)芯片工藝線項(xiàng)目，著力90nm到40nm車(chē)
2023-06-26 17:37:031100 
三星詳細(xì)介紹了他們的2納米制造工藝量產(chǎn)計(jì)劃和性能水平，并宣布從2025年開(kāi)始提供8英寸氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體代工服務(wù)，以滿足人工智能技術(shù)的需求。這種半導(dǎo)體具有高性能低功耗的特點(diǎn)，在消費(fèi)類(lèi)電子、數(shù)據(jù)中心和汽車(chē)等領(lǐng)域?qū)⒌玫綇V泛應(yīng)用。
2023-06-29 14:48:151324 具體到三星方面，在今年三月，有報(bào)道指出，三星已支出約2,000億韓元（約1.54億美元），準(zhǔn)備開(kāi)始生產(chǎn)碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體，用于電源管理IC，而且計(jì)劃采用8吋晶圓來(lái)生產(chǎn)這類(lèi)芯片，跳過(guò)多數(shù)功率半導(dǎo)體業(yè)者著手的入門(mén)級(jí)6吋晶圓。
2023-06-29 15:03:09934 該研究提出模塊化局域元素供應(yīng)生長(zhǎng)技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體性二維過(guò)渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備，晶圓尺寸可從2英寸擴(kuò)展至與現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝兼容的12英寸，有望推動(dòng)二維半導(dǎo)體材料由實(shí)驗(yàn)研究向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用過(guò)渡，為新一代高性能半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展奠定了材料基礎(chǔ)。
2023-07-10 18:20:391315 
研究人員針對(duì)擴(kuò)大二維半導(dǎo)體晶圓尺寸和批量制備的核心科學(xué)問(wèn)題，提出了一種全新的模塊化局域元素供應(yīng)生長(zhǎng)策略，成功實(shí)現(xiàn)了最大尺寸為12英寸的二維半導(dǎo)體晶圓的批量制備。
2023-07-13 11:16:00531 該研究提出模塊化局域元素供應(yīng)生長(zhǎng)技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體性二維過(guò)渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備，晶圓尺寸可從2英寸擴(kuò)展至與現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝兼容的12英寸，有望推動(dòng)二維半導(dǎo)體材料由實(shí)驗(yàn)研究向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用過(guò)渡，為新一代高性能半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展奠定了材料基礎(chǔ)。
2023-07-13 16:06:49993 據(jù)業(yè)界傳聞，受終端需求不振和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的影響，臺(tái)積電與世界先進(jìn)近期陸續(xù)調(diào)降了8寸晶圓代工的報(bào)價(jià)，最高降幅達(dá)到30%。盡管8寸晶圓代工并非臺(tái)積電的主要營(yíng)收來(lái)源，但臺(tái)積電過(guò)去在價(jià)格上相對(duì)堅(jiān)定，不輕易漲價(jià)也不會(huì)隨便降價(jià)，因此目前的降幅引發(fā)了人們的關(guān)注。
2023-08-10 16:41:151352 業(yè)界評(píng)價(jià)說(shuō)：“臺(tái)積電的主要銷(xiāo)售和收益動(dòng)力雖然來(lái)自12英寸晶圓代工和高端制程，但是由于8英寸晶圓代工的價(jià)格下滑，給tsmc帶來(lái)的沖擊是有限的?！钡挥惺澜缦冗M(jìn)的8英寸晶片項(xiàng)目，如果用晶片生產(chǎn)工程推算約3個(gè)月，相關(guān)沖擊將在今年10月至11月以后出現(xiàn)，世界先進(jìn)第四季度的業(yè)績(jī)可能會(huì)受到影響。
2023-08-11 10:36:45898 臺(tái)積電熊本新廠勢(shì)如破竹，產(chǎn)能將迎來(lái)大幅提升，計(jì)劃逐步達(dá)到每月5.5萬(wàn)片的12英寸晶圓產(chǎn)能。據(jù)了解，新廠的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃將從2024年第4季開(kāi)始實(shí)施。此次的戰(zhàn)略舉措不僅是對(duì)海外市場(chǎng)布局的重大突破，更是對(duì)日
2023-12-18 14:52:281207 德州儀器正在將其多個(gè)工廠的氮化鎵（GaN）芯片生產(chǎn)從6英寸晶圓轉(zhuǎn)換為8英寸晶圓。模擬芯片公司正在為達(dá)拉斯和日本會(huì)津的8英寸晶圓準(zhǔn)備設(shè)備，這將使其能夠提供更具價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的氮化鎵芯片。
2024-03-20 09:11:141035 
近日，捷捷微電8英寸功率半導(dǎo)體器件芯片項(xiàng)目和通富微電先進(jìn)封裝項(xiàng)目簽約落戶(hù)蘇錫通科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)。
2024-05-20 09:30:231122 近日，捷捷微電8英寸功率半導(dǎo)體器件芯片項(xiàng)目與通富微電先進(jìn)封裝項(xiàng)目在蘇錫通科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)正式簽約。兩大行業(yè)巨頭再度攜手，為園區(qū)注入強(qiáng)勁的發(fā)展動(dòng)力。
2024-05-20 09:48:48999 在電力電子領(lǐng)域，納微半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù)，已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日，該公司受邀參加6月11日至13日在德國(guó)紐倫堡舉行的PCIM 2024電力電子展，并在“納微芯球”展臺(tái)上展示其最新技術(shù)成果。
2024-05-30 14:43:08867 隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，碳化硅(SiC)材料因其卓越的性能而備受矚目。近期，8英寸SiC晶圓投資熱潮更是席卷全球，各大半導(dǎo)體廠商紛紛加大投入，積極布局這一新興產(chǎn)業(yè)。8英寸SiC晶圓相較于傳統(tǒng)
2024-06-12 11:04:31741 
加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）近日宣布其GaNFast氮化鎵功率芯片獲
2024-06-21 14:45:442086 日本半導(dǎo)體材料巨頭信越化學(xué)近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破，成功研發(fā)并制造出專(zhuān)用于氮化鎵（GaN）外延生長(zhǎng)的300毫米（即12英寸）晶圓，標(biāo)志著公司在高性能半導(dǎo)體材料領(lǐng)域邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。此次推出的QST
2024-09-10 17:05:241493 近日，納微半導(dǎo)體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能，在手機(jī)和筆記本電腦充電器、電視電源以及固態(tài)照明電源等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大潛力。
2024-10-17 16:02:31760 近日，日本功率器件大廠羅姆半導(dǎo)體（ROHM）宣布，將在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域深化與臺(tái)積電的合作，其氮化鎵產(chǎn)品將全面交由臺(tái)積電代工生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著氮化鎵市場(chǎng)的代工趨勢(shì)正在加速發(fā)展。
2024-10-29 11:03:391017 ，但是行業(yè)龍頭企業(yè)已經(jīng)開(kāi)始研發(fā)基于8英寸SiC晶圓的下一代器件和芯片。 近日，廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司丁雄杰博士團(tuán)隊(duì)聯(lián)合廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司、芯三代半導(dǎo)體科技（蘇州）股份有限公司在《人工晶體學(xué)報(bào)》2
2024-12-07 10:39:361204 
1月8日消息，日本豐田合成株式會(huì)社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功開(kāi)發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm（8英寸）氮化鎵 （GaN）單晶晶圓。 據(jù)介紹，與使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:22884 近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:08608 
的導(dǎo)電型摻雜，為下游客戶(hù)提供更加豐富的產(chǎn)品選擇，助力行業(yè)發(fā)展。該VB法氧化鎵長(zhǎng)晶設(shè)備及工藝包已全面開(kāi)放銷(xiāo)售。 【圖1】鎵仁半導(dǎo)體VB法4英寸導(dǎo)電型氧化鎵單晶底面 【圖2】 鎵仁半導(dǎo)體VB法4英寸導(dǎo)電型氧化鎵單晶頂面 2025年1月，鎵仁半導(dǎo)體在
2025-02-14 10:52:40450 
日訊——納微半導(dǎo)體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過(guò) AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項(xiàng)車(chē)規(guī)認(rèn)證，這標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的應(yīng)用正式邁入了全新階段。 ? 納微半導(dǎo)體的高功率旗艦——第四代GaNSafe產(chǎn)品家族， 集成了控制、驅(qū)動(dòng)、感測(cè)以及關(guān)鍵的保護(hù)功能
2025-04-17 15:09:261791 
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