隔離式柵極驅(qū)動器提供電平轉(zhuǎn)換、隔離和柵極驅(qū)動強度，以便操作功率器件。這些柵極驅(qū)動器的隔離特性允許高側(cè)和低側(cè)器件驅(qū)動，并且能夠在使用合適的器件時提供安全柵。示例應用程序如圖 1 所示。VDD1和 V
2022-12-19 11:46:18
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日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器，其速度比同等光學柵極驅(qū)動器快40%。
2012-10-11 14:04:331700 近日，德州儀器 （TI） 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅(qū)動器的工作電壓可達到600V。
2015-10-16 16:32:111184 本文通過分析低側(cè)柵極驅(qū)動器的等效電路來計算如何合理的選取RGATE電阻的阻值，既要保持MOS管的良好開關(guān)性能，還要有效抑制振鈴的產(chǎn)生。
2024-02-26 18:14:341732 
Diodes 公司推出 DGD0579U 高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器。這款高頻裝置內(nèi)建自舉式二極管，能夠在半橋配置中驅(qū)動兩個通常用于控制馬達及 DC-DC 電力傳輸?shù)?N 通道 MOSFET。
2022-02-24 17:56:531254 
：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設計用于驅(qū)動
2024-05-23 11:23:22709 
MIC4414YFT EV，MIC4414評估板是一款低側(cè)MOSFET驅(qū)動器，設計用于在低側(cè)開關(guān)應用中切換N溝道增強型MOSFET。 MIC4414是一款非反相驅(qū)動器。該驅(qū)動器具有短延遲和高峰值電流
2020-04-16 10:14:10
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MOSFET柵極驅(qū)動器LTC4441資料下載內(nèi)容主要介紹了：LTC4441功能和特點LTC4441引腳功能LTC4441內(nèi)部方框圖LTC4441典型應用電路LTC4441電氣參數(shù)
2021-03-29 06:26:56
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
為何需要柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器的關(guān)鍵參數(shù)
2020-12-25 06:15:08
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
180度?！ 「叨?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動器 高端驅(qū)動器設計用于驅(qū)動浮動低RDS（ON）N溝道MOSFET驅(qū)動電源和下沉柵極電流的最大輸出電阻為5Ω。低輸出電阻允許驅(qū)動器在3nF負載下有20ns的上升和下降時間。高壓側(cè)
2020-07-21 15:49:18
CRT彩電存儲器IX0715CE的代換資料下載內(nèi)容包括：IX0715CE引腳電壓值
2021-03-24 07:34:26
到低壓側(cè)的柵極MOSFET（LGATE）。轉(zhuǎn)換器的輸出電壓為然后受到低邊MOSFET閾值的限制為微處理器提供一些保護，如果在初始啟動期間，MOSFET短路。這些驅(qū)動器還具有一個三態(tài)PWM輸入
2020-09-30 16:47:03
特征用于同步整流的雙MOSFET驅(qū)動器轉(zhuǎn)換器快速外部MOSFET的高驅(qū)動電流切換集成自舉二極管高頻操作啟用引腳自適應死區(qū)管理柔性門驅(qū)動器：5 V至12 V兼容輸出的高阻抗（HiZ）管理階段停堆初步
2020-09-22 16:32:27
電壓引腳具有欠壓鎖定（UVLO）保護。特性：通用：雙低壓側(cè)、雙高壓側(cè)或半橋驅(qū)動器工作溫度范圍–40至+125°C開關(guān)參數(shù)：19納秒典型傳播延遲最小脈沖寬度為10ns5-ns最大延遲匹配5-ns最大脈寬
2021-12-08 09:47:42
溫度為-40°C至105°C應用開關(guān)電源DC/DC轉(zhuǎn)換器電機控制器線路驅(qū)動器D類開關(guān)放大器說明UCC27423/4/5系列高速雙MOSFET驅(qū)動器可以將大峰值電流傳輸?shù)诫娙葚撦d。提供三種標準邏輯選項-雙
2020-10-14 16:57:53
LTC1163的典型應用 - 三路1.8V至6V高側(cè)MOSFET驅(qū)動器。 LTC1163 / LTC1165三路低壓MOSFET驅(qū)動器可通過低至1.8V電源的廉價低RDS（ON）N通道開關(guān)切換電源或接地參考負載
2020-04-17 10:09:17
，使用雙極結(jié)型晶體管(BJT)圖騰柱驅(qū)動低側(cè)配置中的電源開關(guān)。但是，由于柵極驅(qū)動器IC的諸多優(yōu)勢及其附加特性，它日益取代了這些分立式解決方案。圖2顯示了典型BJT圖騰柱配置與典型柵極驅(qū)動器IC。 圖 2
2022-11-04 06:40:48
什么是MOSFET驅(qū)動器？MOSFET驅(qū)動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
到低壓側(cè)的柵極MOSFET（LGATE）。轉(zhuǎn)換器的輸出電壓為然后受到低邊MOSFET閾值的限制為微處理器提供一些保護，如果在初始啟動期間，MOSFET短路。這些驅(qū)動器還具有一個三態(tài)PWM輸入
2020-09-29 17:38:58
概述：IX0948是一款CRT彩電場輸出電路，它采用7腳單列直插式封裝并帶散熱片，IX0948可與AN5515、AN5521直接互換。IX0948是一款適用于25英寸以上大屏幕彩電的場輸出電路中。
2021-04-09 07:02:51
EV6R11評估板采用ISOSMARTTM半橋驅(qū)動器CHIPSET-IX6R11和IXDP630死區(qū)時間發(fā)生器，在雙面PCB上實現(xiàn)單電源相臂電路。該評估板包括一個帶有兩個功率器件的組裝和測試PCB。只需按照本文檔中的說明操作，即可將電路板連接到負載和電源
2020-04-23 08:42:24
IGBT 或 SiC MOSFET。具有可調(diào)消隱時間的過流保護。先進的主動箝位保護欠壓和過壓鎖定保護。兩個 1 安培脈沖變壓器驅(qū)動器，用于故障信號通信。IX6611設計用于為高功率開關(guān)器件提供柵極驅(qū)動
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動器，但我們遇到了設備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動器的問題。首先，是否有任何關(guān)于正確設置柵極驅(qū)動器輸出的應用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
概述：IX0512CE是一款開關(guān)穩(wěn)壓電源專用厚膜電路，它為5腳單列直插式陶瓷封裝工藝，IX0512CE可用IX0465CE、IX0645CE、HKD41090、STR40090、STR41090、56A246等
2021-04-06 07:17:57
驅(qū)動器的可靠性。 同時本文也介紹了TI最新推出的 UCC27624是雙路低側(cè)柵極驅(qū)動器，，低至-10V輸入端口負壓承受能力以及強大的抗電流反灌能力，使得該芯片適合高噪聲和輔助供電變壓器驅(qū)動的應用場景;具有
2022-11-03 08:28:01
如果一個特殊的功率器件需要正負柵極驅(qū)動，電路設計人員無需特別尋找可進行雙極性操作的特殊柵極驅(qū)動器。使用一個簡單的技巧，就可以使單極性柵極驅(qū)動器提供雙極性電壓！
2019-08-06 06:08:24
概述：IX0260CE是一般作用于CRT彩電電視機上的電視頻段選擇器，它單列9腳封裝，雙極結(jié)構(gòu)，工作電源電壓=15V，最大功耗=0.2W，彩電遙控器用，靜態(tài)電流=60mA，輸出漏電流=50uA。
2021-04-12 06:37:18
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對
2018-11-01 11:35:35
驅(qū)動器UCC277144A，600V 高側(cè)及低側(cè)驅(qū)動器15ns，15ns支持UCC27524A5A，高速低側(cè)雙驅(qū)動器7ns，6ns支持UCC27211A4A，120V 高側(cè)及低側(cè)驅(qū)動器7.2ns
2019-08-07 04:45:12
，低側(cè)FET導通并開始通過其通道導通。相同的原理適用于通常在DC / DC電源和電動機驅(qū)動設計中發(fā)現(xiàn)的其它同步半橋配置。負責高速接通的一個重要的柵極驅(qū)動器參數(shù)是導通傳播延遲。這是在柵極驅(qū)動器的輸入端
2019-03-08 06:45:10
MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配設計本應用筆記將詳細討論與MOSFET 柵極電荷和工作頻率相關(guān)的MOSFET 驅(qū)動器功耗。還將討論如何根據(jù)MOSFET 所需的導通和截止時間將MOSFET 驅(qū)動器的
2010-06-11 15:23:20
213 DGD05473FNQ 產(chǎn)品簡介DIODES 的DGD05473FNQ這是一款能夠驅(qū)動 N 溝道 MOSFET 的高頻柵極驅(qū)動器。浮動高側(cè)驅(qū)動器的額定電壓高達 50V
2023-10-24 10:17:47
DGD0597FUQ 產(chǎn)品簡介DIODES 的DGD0597FUQ這是一款高頻高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動半橋配置中的 N 溝道 MOSFET。浮動高側(cè)驅(qū)動器的額定電壓高達
2023-10-24 10:45:14
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動單個MOSFET或IGBT而設計的柵極驅(qū)動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006608 
TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護模塊以及監(jiān)控特性的數(shù)字雙路同步降壓功率驅(qū)動器，
2010-02-23 09:26:57763 高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:005064 
德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動器。
2012-02-11 09:59:081484 
德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業(yè)界領先速度及驅(qū)動電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動器
2012-04-24 09:56:411513 
10 月 1 日 – 凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器 LTC4440A-5，該器件能以高達 80V
2013-10-09 15:41:271117 
iX6500系列維修手冊
2015-11-30 17:26:5120 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231486 UCC2752x 系列產(chǎn)品是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器，此器件能夠高效地驅(qū)動MOSFET 和絕緣柵極型功率管(IGBT) 電源開關(guān)。
2016-07-22 15:38:230 的柵極驅(qū)動要求等。與在這種設計中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動電路的尺寸和復雜度上都有相當大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進取得了設備適用于電源的應用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應用。許多設計者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 LTC7001 強大的 1Ω 柵極驅(qū)動器可憑借非常短的轉(zhuǎn)換時間和 35ns 傳播延遲，非常方便地驅(qū)動柵極電容很大的 MOSFET，因此很適合高頻開關(guān)和靜態(tài)開關(guān)應用。
2017-09-06 10:48:5010267 
，簡稱 ADI） 旗下凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 LTC7004，該器件用高達 60V 的電源電壓運行
2017-09-11 09:36:582940 
The IX2113 is a high voltage integrated circuit that can drive high speed MOSFETs and IGBTs
2017-09-11 11:31:3518 The IX4423， IX4424， and IX4425 are dual high-speed， low-side gate drivers. Each of the two outputs
2017-09-11 12:19:4415 The IX4423， IX4424， and IX4425 are dual high-speed， low-side gate drivers. Each of the two outputs
2017-09-11 12:23:441 The IX4423， IX4424， and IX4425 are dual high-speed， low-side gate drivers. Each of the two outputs
2017-09-11 12:28:0110 LTC7004 強大的 1Ω 柵極驅(qū)動器能夠以非常短的轉(zhuǎn)換時間和 35ns 傳播延遲，容易地驅(qū)動柵極電容很大的 MOSFET，非常適合高頻開關(guān)和靜態(tài)開關(guān)應用。
2017-09-18 10:49:385043 高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動器電路：
2017-10-19 16:02:3723 ADP3110A是一個單相12V MOSFET柵極驅(qū)動器，它被優(yōu)化成在同步降壓轉(zhuǎn)換器中同時驅(qū)動高_側(cè)和低_側(cè)功率MOSFET的柵極。高_側(cè)和低_側(cè)驅(qū)動器能夠以25ns的傳播延遲和30ns的過渡時間驅(qū)動3000pF負載。
2018-08-27 10:44:0078 近日，Hirose擴充了其堅固耐用的IX Industrial系列產(chǎn)品，新產(chǎn)品包括用于更快安裝的 絕緣位移連接器 (IDC)插頭組件和用于非以太網(wǎng)應用的B鍵版本。 IX工業(yè)系列將小巧堅固的設計與高速
2018-10-06 22:40:02347 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:395407 
廣瀨電機株式會社正式公布，SIEMENS AG開發(fā)的伺服驅(qū)動系統(tǒng)的編碼器連接部分采用了符合IEC規(guī)格標準的小型連接器ix Industrial。
2019-06-04 14:44:401188 安森美半導體NCP51530 MOSFET柵極驅(qū)動器是高頻、700V、2A高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器，適用于交流/直流電源和逆變器。NCP51530可在較高工作頻率下提供同類最佳的傳播延遲、低靜態(tài)電流和低開關(guān)電流。這些NCP51530驅(qū)動器適用于在高頻下工作的高效電源。
2019-10-03 09:32:003480 
DRV832x 系列器件是適用于三相 應用的集成式柵極驅(qū)動器。這些器件具有三個半橋柵極驅(qū)動器，每個驅(qū)動器都能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。 DRV832x 使用集成電荷泵為高側(cè)
2020-03-05 08:00:000 BS2103F是一種單片高低壓側(cè)柵極驅(qū)動芯片，可驅(qū)動高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器，并具有自舉功能。浮動通道可用于驅(qū)動高達600V的N通道功率MOSFET或IGBT。邏輯輸入可用于3.3V和5.0V。當VCC和VBS低于規(guī)定的閾值電壓時，欠壓鎖定（UVLO）電路可防止故障。
2020-04-10 08:00:005 來源：羅姆半導體社區(qū) 柵極驅(qū)動器的作用 柵極驅(qū)動器可以驅(qū)動開關(guān)電源如MOSFET,JFET等，因為MOSFET有個柵極電容，在導通之前要先對該電容充電，當電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH
2022-11-16 17:50:181259 本應用筆記涵蓋了計算柵極驅(qū)動光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動光耦合器用于驅(qū)動、導通和關(guān)斷、功率半導體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動功率計算可分為三部分；驅(qū)動器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:003628 
M2205是一個高頻，同步整流，單相雙MOSFET驅(qū)動器。每個驅(qū)動器能夠驅(qū)動3000pF負載，具有快速上升/下降時間和快速傳播延遲。該器件只需一個外部電容就可以在上柵極上實現(xiàn)自舉二極管。這降低了實現(xiàn)
2020-12-02 08:00:007 摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3821 快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482 LTC4441：N溝道MOSFET柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-26 08:42:545 ADI隔離柵極驅(qū)動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 ROHM不僅提供電機驅(qū)動器IC，還提供適用于電機驅(qū)動的非隔離型柵極驅(qū)動器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動器，再介紹ROHM超級結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:512587 。圖1顯示了由低側(cè)MOSFET/IGBT電源開關(guān)驅(qū)動的典型PTC加熱器方框圖。
圖1：汽車內(nèi)部加熱器模塊的方框圖
過去，使用雙極結(jié)型晶體管(BJT)圖騰柱驅(qū)動低側(cè)配置中的電源開關(guān)。但是，由于柵極
2022-01-12 14:47:171774 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1769 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）為其TCK42xG系列MOSFET 柵極驅(qū)動器IC 的產(chǎn)品陣容增加面向可穿戴設備等移動設備的五款新品。該系列的新產(chǎn)品配備了過壓鎖定功能，并根據(jù)輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。
2022-06-09 10:00:301865 
STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011695 
MOSFET驅(qū)動器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動器，可利用一個同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達100V的電源電壓來驅(qū)動兩個N溝道MOSFET。強大的驅(qū)動能力降低了具高柵極電容MOSFET中的開關(guān)損耗。針對
2022-10-25 09:19:341691 
低側(cè)柵極驅(qū)動器的應用回顧和比較評估
2022-11-14 21:08:330 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機驅(qū)動器等系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個設備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對于IGBT，它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:121514 
如果特定功率器件需要正極和負柵極驅(qū)動，電路設計人員無需尋找專門處理雙極性操作的特殊柵極驅(qū)動器。使用這個簡單的技巧使單極性柵極驅(qū)動器提供雙極性電壓！
2023-02-16 11:04:58759 
柵極驅(qū)動參考 1.PWM直接驅(qū)動2.雙極Totem-Pole驅(qū)動器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動器4.速度增強電路5.dv/dt保護 1.PWM直接驅(qū)動 在電源應用中，驅(qū)動主開關(guān)
2023-02-23 15:59:0024 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動器 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動可按照所驅(qū)動的器件類型或涉及的驅(qū)動電路類型來分類。相應地，無論是
2023-02-23 15:35:241 LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器，選用高達 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個擔任全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵，因此使其可以無限期地堅持導通。
2023-03-23 09:46:45931 SCT52A40是一種寬電源，高頻柵極驅(qū)動器，包括高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動器，用于半橋、全橋和降壓電路和驅(qū)動離散N型MOSFET的轉(zhuǎn)換器。4A峰值電流和匯電流能力可提高功率轉(zhuǎn)換器的功率效率
2023-07-03 17:31:24599 
介紹
在設計電源開關(guān)系統(tǒng)（例如電機驅(qū)動器或電源）時，設計人員必須做出重要決定。什么電機或變壓器符合系統(tǒng)要求？什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機或變壓器？以及哪種柵極驅(qū)動器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 在電機驅(qū)動系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動器或“預驅(qū)動器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅(qū)動電機所需的大電流。在選擇驅(qū)動器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無源元件時，有很多需要考量的設計因素。如果對這個過程了解不透徹，將導致實現(xiàn)方式的差強人意。
2023-08-02 18:18:341183 
本應用筆記介紹了采用表面貼裝封裝的 n 通道雙 MOSFET 的低壓電機驅(qū)動設計。它描述了使用不同電壓應用的設計，以及自適應 MOSFET 柵極驅(qū)動器，這是驅(qū)動雙 n 溝道半橋的第三種方法。
2023-10-05 15:20:001084 
圣邦微電子推出 SGM42403，一款四路低壓側(cè)驅(qū)動器。器件可應用于低壓側(cè)開關(guān)、單極步進電機驅(qū)動器、繼電器驅(qū)動器和電磁閥驅(qū)動器。
2023-09-28 10:06:151046 
圣邦微電子推出 SGM48541/2/3/4/5 系列，一款耐受 -10V 輸入電壓的單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動器。 該系列器件被廣泛應用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、太陽能和電機驅(qū)動器中的功率 MOSFET
2023-12-13 10:10:01646 Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設計用于驅(qū)動工業(yè)應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:30666 近日，Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，這款新型驅(qū)動器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
2024-05-23 11:34:21603 柵極驅(qū)動器芯片的原理是什么 柵極驅(qū)動器芯片是一種用于控制功率電子器件（如IGBT、MOSFET等）柵極電壓的集成電路。它在電力電子領域中具有重要應用，如電機驅(qū)動、開關(guān)電源、太陽能逆變器等。本文將詳細
2024-06-10 17:23:00947 柵極驅(qū)動器的選型標準是什么 柵極驅(qū)動器（Gate Driver）是用于驅(qū)動IGBT（絕緣柵雙極晶體管）或MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）等功率器件的電子設備。在電力電子領域，柵極驅(qū)動器
2024-06-10 17:24:00474 柵極驅(qū)動器（Gate Driver）是一種電路，主要用于增強場效應晶體管（MOSFET）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的柵極信號，以便控制器能夠更好地控制這些半導體開關(guān)的操作。它通過將控制器輸出
2024-07-19 17:15:276774 柵極驅(qū)動器（Gate Driver）是一種電路，其主要功能在于增強場效應晶體管（MOSFET）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的柵極信號，以便控制器能夠更好地控制這些半導體開關(guān)的操作。柵極驅(qū)動器通過
2024-07-24 16:15:27387 IX0689電源電路圖
2024-08-27 11:46:320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用單輸出柵極驅(qū)動器實現(xiàn)高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動.pdf》資料免費下載
2024-09-03 11:50:110
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