Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設計用于驅(qū)動工業(yè)應用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。
IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動器
IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出,支持量身定制的導通和關斷時序,同時將開關損耗降至最低。內(nèi)部負電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶可選的負柵極驅(qū)動偏置,以實現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。該驅(qū)動器的工作電壓范圍(VDD - VSS)高達35V,具有出色的靈活性和性能。
IX4352NE的突出功能之一是配備內(nèi)部負電荷泵調(diào)節(jié)器,無需外部輔助電源設備或DC/DC轉(zhuǎn)換器。該功能對于關斷SiC MOSFET尤其實用,可以節(jié)省外部邏輯電平轉(zhuǎn)換器電路通常所需的寶貴空間。邏輯輸入與標準TTL或CMOS邏輯電平兼容,進一步增強了節(jié)省空間的能力。
IX4352NE非常適合在各類工業(yè)應用中驅(qū)動SiC MOSFET,例如:
車載和非車載充電器
DC/DC轉(zhuǎn)換器
卓越的性能使其成為電動汽車、工業(yè)、替代能源、智能家居和樓宇自動化市場中要求苛刻的電力電子應用的理想選擇。
憑借其全面的功能,IX4352NE簡化了電路設計并提供了更高的集成度。內(nèi)置保護功能,如帶軟關斷灌電流驅(qū)動器的去飽和檢測(DESAT)、欠壓鎖定(UVLO)和熱關斷(TSD)等,可確保功率器件和柵極驅(qū)動器得到保護。集成的開漏FAULT輸出向微控制器發(fā)出故障信號,增強了安全性和可靠性。此外,IX4352NE還能節(jié)省寶貴的PCB空間并提高電路密度,有助于提高整體系統(tǒng)效率。
對現(xiàn)有IX4351NE的顯著改進包括:
由DESAT啟動的安全軟關斷
高閾值精度熱關斷
電荷泵在熱關斷期間的工作能力
新款IX4352NE與引腳兼容,可無縫替換指定使用現(xiàn)有Littelfuse IX4351NE的設計,該設計于2020年發(fā)布。
“IX4352NE通過一種新型9A拉/灌電流驅(qū)動器擴展了我們廣泛的低側(cè)柵極驅(qū)動器系列,簡化了SiC MOSFET所需的柵極驅(qū)動電路?!盠ittelfuse集成電路部(SBU)產(chǎn)品經(jīng)理June Zhang表示,“其各種內(nèi)置保護功能和集成電荷泵提供了可調(diào)的負柵極驅(qū)動電壓,能提高dV/dt抗擾度和關斷速度。因此,該產(chǎn)品可以用來驅(qū)動任何SiC MOSFET或功率IGBT,無論是Littelfuse器件還是市場上任何其他類似器件。”
審核編輯:劉清
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原文標題:【新品介紹】用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動器
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