潘明東 朱悅 楊陽(yáng) 徐一飛 陳益新 （長(zhǎng)電科技宿遷股份公司） 摘要： 鋁帶鍵合作為粗鋁線鍵合的延伸和發(fā)展，鍵合焊點(diǎn)根部損傷影響了該工藝的發(fā)展和推廣，該文簡(jiǎn)述了鋁帶鍵合工藝過程，分析了導(dǎo)致鋁帶鍵合點(diǎn)
2024-11-01 11:08:07
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多年來，半導(dǎo)體晶片鍵合一直是人們感興趣的課題。使用中間有機(jī)或無機(jī)粘合材料的晶片鍵合與傳統(tǒng)的晶片鍵合技術(shù)相比具有許多優(yōu)點(diǎn)，例如相對(duì)較低的鍵合溫度、沒有電壓或電流、與標(biāo)準(zhǔn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶片的兼容性
2022-04-26 14:07:044037 
晶片鍵合是指通過一系列物理過程將兩個(gè)或多個(gè)基板或晶片相互連接和化學(xué)過程。晶片鍵合用于各種技術(shù)，如MEMS器件制造，其中傳感器組件封裝在應(yīng)用程序中。其他應(yīng)用領(lǐng)域包括三維集成、先進(jìn)的封裝技術(shù)和CI制造業(yè)在晶圓鍵合中有兩種主要的鍵合，臨時(shí)鍵合和永久鍵合，兩者都是在促進(jìn)三維集成的技術(shù)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
2022-07-21 17:27:433349 作為半導(dǎo)體制造的后工序，封裝工藝包含背面研磨(Back Grinding)、劃片(Dicing)、芯片鍵合(Die Bonding)、引線鍵合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步驟。
2023-03-27 09:33:3714045 鋁線鍵合是目前工業(yè)上應(yīng)用最廣泛的一種芯片互連技術(shù)，鋁線鍵合技術(shù)工藝十分成熟，且價(jià)格低廉。鋁線根據(jù)直徑的不同分為細(xì)錫線和粗鋁線兩種，直徑小于100um的鋁線被稱為細(xì)鋁線，直徑大于100um小于500um的鋁線被稱為粗鋁線。粗鋁線鍵合實(shí)物如圖1所示。
2023-03-27 11:15:575017 相對(duì)于傳統(tǒng)金線鍵合，銅線鍵合設(shè)備焊接過程工藝窗口更小，對(duì)焊接的一致性要求更高。通過對(duì)銅線鍵合工藝窗口的影響因素進(jìn)行分析，探索了設(shè)備焊接過程的影響和提升辦法，為銅線鍵合技術(shù)的推廣應(yīng)用提供技術(shù)指導(dǎo)。
2023-10-31 14:10:16980 
在微電子封裝中，引線鍵合是實(shí)現(xiàn)封裝體內(nèi)部芯片與芯片及芯片與外部管腳間電氣連接、確保信號(hào)輸入輸出的重要方式，鍵合的質(zhì)量直接關(guān)系到微電子器件的質(zhì)量和壽命。針對(duì)電路實(shí)際生產(chǎn)中遇到的測(cè)試短路、內(nèi)部鍵合絲脫落
2023-11-02 09:34:051185 
芯片鍵合，作為切割工藝的后道工序，是將芯片固定到基板（substrate）上的一道工藝。引線鍵合（wire bonding）則作為芯片鍵合的下道工序，是確保電信號(hào)傳輸?shù)囊粋€(gè)過程。wire bonding是最常見一種鍵合方式。
2023-11-07 10:04:534486 
為了提高功率模塊銅線鍵合性能，采用6因素5水平的正交試驗(yàn)方法，結(jié)合BP（Back Propaga‐tion）神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)與遺傳算法，提出了一種銅線鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)方案。首先，對(duì)選定樣品進(jìn)行正交試驗(yàn)
2024-01-03 09:41:19961 
銅引線鍵合由于在價(jià)格、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率等方面的優(yōu)勢(shì)有望取代傳統(tǒng)的金引線鍵合, 然而 Cu/Al 引線鍵合界面的金屬間化合物 (intermetallic compounds, IMC) 的過量生長(zhǎng)將增大接觸電阻和降低鍵合強(qiáng)度, 從而影響器件的性能和可靠性。
2025-03-01 15:00:09696 
金絲鍵合主要依靠熱超聲鍵合技術(shù)來達(dá)成。熱超聲鍵合融合了熱壓鍵合與超聲鍵合兩者的長(zhǎng)處。通常情況下，熱壓鍵合所需溫度在300℃以上，而在引入超聲作用后，熱超聲鍵合所需溫度可降至200℃以下。如此一來
2025-03-12 15:28:38497 
晶圓與載板分離。 當(dāng)前，激光拆鍵合是主要的拆鍵合技術(shù)發(fā)展方向。激光拆鍵合技術(shù)是將臨時(shí)鍵合膠通過旋涂的方式涂在器件晶圓上，并配有激光響應(yīng)層，當(dāng)減薄、TSV加工和金屬化等后面工藝完成之后，再通過激光掃描的方式，分離
2024-03-26 00:23:003251 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)韓媒報(bào)道，三星近日與長(zhǎng)江存儲(chǔ)簽署了3D NAND混合鍵合專利許可協(xié)議，從第10代V-NAND開始，將使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù)，特別是在“混合鍵合”技術(shù)方面。 ? W2W技術(shù)是指
2025-02-27 01:56:00573 
目前在做砷化鎵和磷化銦，在研究bongder和debonder工藝， 主要是超薄片很難處理，so暫定臨時(shí)鍵合解鍵合和薄片清洗流程，因?yàn)檎嬗斜Ｗo(hù)可以做背面工藝，這里有前輩做過這個(gè)嗎？
2018-12-17 13:55:06
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:11 編輯
connex金線鍵合機(jī)編程
2012-05-19 09:03:56
請(qǐng)教：最近在書上講解電感時(shí)提到一個(gè)名詞——鍵合線，望大家能給出通俗詳細(xì)解釋
2014-06-22 13:21:45
找了一圈，發(fā)現(xiàn)做線鍵合機(jī)的比較多，想知道做晶圓鍵合wafer bonding的中國(guó)廠家。
2021-04-28 14:34:57
中所見的現(xiàn)有技術(shù)難以實(shí)現(xiàn)該目的。需要其他電路來提供更高的精度和帶寬。一種可能的解決方案是使用大量數(shù)據(jù)濾波來降低很大一部分可能源于設(shè)備本身的噪聲[14]。我們注意到，如果目標(biāo)是在引單一線鍵合點(diǎn)剝離（即
2019-03-20 05:21:33
任務(wù)要求：
了解微電子封裝中的引線鍵合工藝，學(xué)習(xí)金絲引線鍵合原理，開發(fā)引線鍵合工藝仿真方法，通過數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)分析和仿真結(jié)果，分析得出引線鍵合工序關(guān)鍵工藝參數(shù)和參數(shù)窗口，并給出工藝參數(shù)和鍵合質(zhì)量之間的關(guān)系
2024-03-10 14:14:51
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:43 編輯
急求關(guān)于面鍵合技術(shù)的相關(guān)資料，面鍵合！！
2012-12-11 22:25:48
求解鋁絲鍵合機(jī)工作原理！?。。≈x謝 盡可能詳細(xì)點(diǎn)求大神指點(diǎn)
2017-08-06 09:59:05
硅-硅直接鍵合技術(shù)主要應(yīng)用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結(jié)構(gòu)又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
硅襯底和砷化鎵襯底金金鍵合后，晶圓粉碎是什么原因，偶發(fā)性異常，找不出規(guī)律，有大佬清楚嗎，求助！
2023-03-01 14:54:11
芯片封裝鍵合技術(shù)各種微互連方式簡(jiǎn)介微互連技術(shù)簡(jiǎn)介定義：將芯片凸點(diǎn)電極與載帶的引線連接，經(jīng)過切斷、沖壓等工藝封裝而成。載帶：即帶狀載體，是指帶狀絕緣薄膜上載有由覆 銅箔經(jīng)蝕刻而形成的引線框架，而且芯片
2012-01-13 14:58:34
鍵合圖法在傳感器優(yōu)化配置的應(yīng)用
2009-01-09 17:47:47
20 銅線以其良好的電器機(jī)械性能和低成本特點(diǎn)已在半導(dǎo)體分立器件的內(nèi)引線鍵合工藝中得到廣泛應(yīng)用,但銅線的金屬活性和延展性也在鍵合過程中容易帶來新的失效問題,文中對(duì)這種
2009-03-07 10:30:5716 分析了陽(yáng)極鍵合技術(shù)的原理和當(dāng)前陽(yáng)極鍵合技術(shù)的研究進(jìn)展,綜述了微傳感器對(duì)陽(yáng)極鍵合的新需求,展望了陽(yáng)極鍵合技術(shù)在傳感器領(lǐng)域的應(yīng)用前景。關(guān)鍵詞:陽(yáng)極鍵合; 傳感器; 硅片
2009-07-18 09:37:4926 摘要：本文簡(jiǎn)述了混合電路以及半導(dǎo)體器件內(nèi)引線鍵合技術(shù)原理，分析了影響內(nèi)引線鍵合系統(tǒng)質(zhì)量的因素，重點(diǎn)分析了最常見的幾種失效模式：鍵合強(qiáng)度下降、鍵合點(diǎn)脫落等，并提
2010-05-31 09:38:0430 原子間的鍵合
1.2.1 金屬鍵???金屬中的自由電子和金屬正離子相互作用所構(gòu)成鍵合稱為金屬鍵。金屬鍵的基本特點(diǎn)是電子的共有化。
2009-08-06 13:29:315272 從超聲引線鍵合的機(jī)理入手，對(duì)大功率IGBT 模塊引線的材料和鍵合界面特性進(jìn)行了分析，探討了鍵合參數(shù)對(duì)鍵合強(qiáng)度的影響。最后介紹了幾種用于檢測(cè)鍵合點(diǎn)強(qiáng)度的方法，利用檢測(cè)結(jié)果
2011-10-26 16:31:3366 在回顧現(xiàn)行的引線鍵合技術(shù)之后,本文主要探討了集成電路封裝中引線鍵合技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。球形焊接工藝比楔形焊接工藝具有更多的優(yōu)勢(shì)，因而獲得了廣泛使用。傳統(tǒng)的前向拱絲越來越
2011-10-26 17:13:5686 Lumex 推出“倒裝晶片”式 TitanBrite 無線鍵合 LED ，亮度號(hào)稱比市場(chǎng)上任何其他 LED 高出15%。除了標(biāo)準(zhǔn)的3W和6W的LED， Lumex 的 TitanBrite 無線鍵合LED還可提供9W的規(guī)格，確保Lumex的無線鍵合LED能夠提供業(yè)內(nèi)最高亮度的光源。
2013-07-03 11:40:17777 不同狀態(tài)的SiAl絲對(duì)鍵合點(diǎn)根部損傷的影響和基礎(chǔ)工作
2017-09-14 14:26:1313 引線鍵合是LED封裝制造工藝中的主要工序，其作用是實(shí)現(xiàn)LED芯片電極與外部引腳的電路連接。引線鍵合工藝的方法和質(zhì)量直接影響著LED燈珠的可靠性和成本。 檢測(cè)內(nèi)容： 1. 引線直徑、形貌、成分檢測(cè)、線
2017-10-23 11:52:5714 已有研究表明，鍵合線老化脫落失效是影響絕緣柵雙極型晶體管（ IGBT）可靠性的主要因素之一。以此為研究背景，首先根據(jù)IGBT模塊內(nèi)部鍵合線的結(jié)構(gòu)布局與物理特性，分析鍵合線等效電阻與關(guān)斷暫態(tài)波形的關(guān)系
2018-01-02 11:18:145 提高功率調(diào)節(jié)器件的電流容量和性能，導(dǎo)熱性能好金31.kW/m2k 銅39.5kW/m2K? ? 6.傳熱效率更高，機(jī)械性質(zhì)高? ? 7.IMC生長(zhǎng)較為溫和，從而提高鍵合強(qiáng)度降低金屬間生長(zhǎng)速度，提高
2018-04-24 14:52:551798 由一下成分組成：Ag＞99.99%,Cu＜1%,Au＜1%,Fe≤1.1ppm，Pb≤1.0ppm，Ni≤1.0ppm，Mg≤2.0ppm，Zn≤2.0ppm。鍵合銀絲是在高純銀材料的基礎(chǔ)上，采取
2018-04-26 17:28:362276 1969年，美國(guó)的Wallis和Pomerantz兩位研究人員首次提出了陽(yáng)極鍵合技術(shù)，其鍵合方法如圖1所示。陽(yáng)極鍵合目前在硅片與玻璃鍵合中得到了較為廣泛的應(yīng)用，技術(shù)發(fā)展相對(duì)較為成熟。其基本原理如圖2
2020-06-17 11:33:1413408 銀線二焊鍵合點(diǎn)剝離LED死燈的案子時(shí)常發(fā)生，大家通常爭(zhēng)論是鍍銀層結(jié)合力差的問題，還是鍵合線工藝問題，而本案例，金鑒從百格實(shí)驗(yàn)和FIB截面觀察的角度來判定為鍵合工藝導(dǎo)致。
2021-05-16 11:53:122767 
引線鍵合是LED封裝制造工藝中的主要工序，其作用是實(shí)現(xiàn)LED芯片電極與外部引腳的電路連接。引線鍵合工藝的方法和質(zhì)量直接影響著LED燈珠的可靠性和成本。 服務(wù)客戶： LED封裝廠 檢測(cè)手段： 掃描電鏡
2021-11-21 11:15:262118 結(jié)合離子注入工藝、激光照射和去除犧牲層，晶片鍵合技術(shù)是將高質(zhì)量薄膜轉(zhuǎn)移到不同襯底上的最有效方法之一。本文系統(tǒng)地總結(jié)和介紹了蘇州華林科納的晶片鍵合技術(shù)在電子、光學(xué)器件、片上集成中紅外傳感器和可穿戴傳感器等領(lǐng)域的應(yīng)用。依次介紹了基于智能剝離技術(shù)
2021-12-21 16:33:292926 
隨著光子學(xué)技術(shù)在行業(yè)中尋求其利基市場(chǎng)，需要克服的一個(gè)障礙是可擴(kuò)展的制造工藝。一種稱為光子引線鍵合（PWB）的技術(shù)希望推動(dòng)光子學(xué)向前發(fā)展。 在過去的幾年中，研究人員在光子封裝和集成方面取得了巨大進(jìn)展
2022-08-25 18:18:045599 
為解決銅絲硬度大帶來的鍵合難度，半導(dǎo)體封裝企業(yè)通常選擇應(yīng)用超聲工藝或鍵合壓力工藝提升鍵合效果，這也導(dǎo)致焊接期間需要耗費(fèi)更多的時(shí)間完成鍵合工作。
2022-12-15 15:44:463710 本試驗(yàn)提供了確定芯片鍵合面上的金絲球鍵合點(diǎn)的鍵合強(qiáng)度測(cè)定方法，可在元器件封裝前或封裝后進(jìn)行測(cè)定。
2022-12-20 10:17:043509 通過控制單一變量的試驗(yàn)方法，研究了金絲變形度、超聲功率、超聲時(shí)間和鍵合壓力等參數(shù)對(duì)自動(dòng)鍵合一致性和可靠性的影響，分析了每個(gè)參數(shù)對(duì)自動(dòng)鍵合的影響規(guī)律，給出了自動(dòng)鍵合參數(shù)的參考范圍。
2023-02-01 17:37:312236 ，不斷創(chuàng)造新的技術(shù)極限。傳統(tǒng)的金線、鋁線鍵合與封裝技術(shù)的要求不相匹配。銅線鍵合在成本和材料特性方面有很多優(yōu)于金、鋁的地方，但是銅線鍵合技術(shù)還面臨一些挑戰(zhàn)和問題。如果這些問題能夠得到很好的解決，銅線鍵合技術(shù)
2023-02-07 11:58:352259 金絲鍵合質(zhì)量的好壞受劈刀、鍵合參數(shù)、鍵合層鍍金質(zhì)量和金絲質(zhì)量等因素的制約。傳統(tǒng)熱壓鍵合、超聲鍵合、熱超聲鍵合或楔形鍵合和球形鍵合分別在不同情況下可以得到最佳鍵合效果。工藝人員針對(duì)不同焊盤尺寸所制定
2023-02-07 15:00:255546 金價(jià)不斷上漲增加了半導(dǎo)體制造業(yè)的成本壓力，因此業(yè)界一直在改善銅線的性能上努力，希望最終能夠用成本更低但鍵合性能相當(dāng)甚至更好的銅線來代替金線鍵合。
2023-02-13 09:21:413437 引線鍵合是指在半導(dǎo)體器件封裝過程中，實(shí)現(xiàn)芯片（或其他器件）與基板或框架互連的一種方法。作為最早的芯片封裝技術(shù)，引線鍵合因其靈活和易于使用的特點(diǎn)得到了大規(guī)模應(yīng)用。引線鍵合工藝是先將直徑較小的金屬線
2023-04-07 10:40:128899 這是一種晶圓鍵合方法，其中兩個(gè)表面之間的粘附是由于兩個(gè)表面的分子之間建立的化學(xué)鍵而發(fā)生的。
2023-04-20 09:43:574632 兩片晶圓面對(duì)面鍵合時(shí)是銅金屬對(duì)銅金屬、介電值對(duì)介電質(zhì)，兩邊鍵合介面的形狀、位置完全相同，晶粒大小形狀也必須一樣。所以使用混合鍵合先進(jìn)封裝技術(shù)的次系統(tǒng)產(chǎn)品各成分元件必須從產(chǎn)品設(shè)計(jì)、線路設(shè)計(jì)時(shí)就開始共同協(xié)作。
2023-05-08 09:50:301534 金絲鍵合推拉力測(cè)試機(jī)應(yīng)用
2023-05-16 14:32:551036 晶圓直接鍵合技術(shù)可以使經(jīng)過拋光的半導(dǎo)體晶圓，在不使用粘結(jié)劑的情況下結(jié)合在一起，該技術(shù)在微電子制造、微機(jī)電系統(tǒng)封裝、多功能芯片集成以及其他新興領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。對(duì)于一些溫度敏感器件或者熱膨脹系數(shù)差異
2023-06-14 09:46:272100 
晶圓鍵合機(jī)主要用于將晶圓通過真空環(huán)境, 加熱, 加壓等指定的工藝過程鍵合在一起, 滿足微電子材料, 光電材料及其納米等級(jí)微機(jī)電元件的制作和封裝需求. 晶圓鍵合機(jī)需要清潔干燥的高真空工藝環(huán)境, 真空度
2023-05-25 15:58:061115 
小芯片為工程師們提供了半導(dǎo)體領(lǐng)域的新機(jī)遇，但當(dāng)前的鍵合技術(shù)帶來了許多挑戰(zhàn)。
2023-06-20 16:45:13745 
Brewer Science, Inc. 和 PulseForge, Inc. 通過對(duì)半導(dǎo)體先進(jìn)封裝進(jìn)行光子解鍵合（Photonic debonding），帶來了顯著的成本節(jié)約、更高的產(chǎn)量和其他優(yōu)勢(shì)。此次合作將制造下一代材料和工藝的全球領(lǐng)導(dǎo)者與獨(dú)特的技術(shù)提供商結(jié)合在一起。
2023-06-25 14:12:441022 在本文中，我們將討論混合鍵合的趨勢(shì)、混合鍵合面臨的挑戰(zhàn)以及提供最佳解決方案的工具。
2023-07-15 16:28:082047 
本文通過對(duì)典型案例的介紹，分析了鍵合工藝不當(dāng)，以及器件封裝因素對(duì)器件鍵合失效造成的影響。通過對(duì)鍵合工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析，以及對(duì)各種失效模式總結(jié)，闡述了鍵合工藝不當(dāng)及封裝不良，造成鍵合本質(zhì)失效的機(jī)理；并提出了控制有缺陷器件裝機(jī)使用的措施。
2023-07-26 11:23:152188 的傳輸路徑）的方法被稱為引線鍵合（Wire Bonding）。其實(shí)，使用金屬引線連接電路的方法已是非常傳統(tǒng)的方法了，現(xiàn)在已經(jīng)越來越少用了。近來，加裝芯片鍵合（Flip Chip Bonding）和硅穿孔
2023-08-09 09:49:475002 
隨著產(chǎn)業(yè)和消費(fèi)升級(jí)，電子設(shè)備不斷向小型化、智能化方向發(fā)展，對(duì)電子設(shè)備提出了更高的要求?？煽康姆庋b技術(shù)可以有效提高器件的使用壽命。陽(yáng)極鍵合技術(shù)是晶圓封裝的有效手段，已廣泛應(yīng)用于電子器件行業(yè)。其優(yōu)點(diǎn)是鍵合時(shí)間短、鍵合成本低。溫度更高，鍵合效率更高，鍵合連接更可靠。
2023-09-13 10:37:36721 
介紹了封裝鍵合過程中應(yīng)用的銀合金鍵合線與鋁墊之間形成的共金化合物（IMC），提出了侵蝕對(duì)IMC的影響，由于銀合金線IMC不能通過物理方法確認(rèn)，需通過軟件測(cè)量計(jì)算和化學(xué)腐蝕試驗(yàn)得到IMC覆蓋面積。詳述
2023-10-20 12:30:021995 
引線鍵合是在硅芯片上的 IC 與其封裝之間創(chuàng)建互連的常用方法，其中將細(xì)線從器件上的鍵合焊盤連接到封裝上的相應(yīng)焊盤（即引線）。此連接建立了從芯片內(nèi)部電路到連接到印刷電路板 (PCB) 的外部引腳的電氣路徑。
2023-10-24 11:32:132634 
晶圓鍵合技術(shù)是將兩片不同結(jié)構(gòu)/不同材質(zhì)的晶圓，通過一定的物理方式結(jié)合的技術(shù)。晶圓鍵合技術(shù)已經(jīng)大量應(yīng)用于半導(dǎo)體器件封裝、材料及器件堆疊等多種半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-10-24 12:43:241760 
典型Wire Bond引線鍵合不良原因分析
2023-11-14 10:50:452324 
要了解混合鍵合，需要了解先進(jìn)封裝行業(yè)的簡(jiǎn)要?dú)v史。當(dāng)電子封裝行業(yè)發(fā)展到三維封裝時(shí)，微凸塊通過使用芯片上的小銅凸塊作為晶圓級(jí)封裝的一種形式，在芯片之間提供垂直互連。凸塊的尺寸范圍很廣，從 40 μm 間距到最終縮小到 20 μm 或 10 μm 間距。
2023-11-22 16:57:425497 
引線鍵合看似舊技術(shù)，但它仍然是廣泛應(yīng)用的首選鍵合方法。這在汽車、工業(yè)和許多消費(fèi)類應(yīng)用中尤為明顯，在這些應(yīng)用中，大多數(shù)芯片都不是以最先進(jìn)的工藝技術(shù)開發(fā)的，也不適用于各種存儲(chǔ)器。
2023-11-23 16:37:501740 
銀鍵合絲作為一種先進(jìn)的微電子封裝材料，已經(jīng)在各種高性能電子產(chǎn)品中得到廣泛應(yīng)用。銀鍵合絲以其優(yōu)異的電導(dǎo)性和熱導(dǎo)性，成為了一種替代傳統(tǒng)金鍵合絲的有效選擇。然而，銀鍵合絲的力學(xué)性能對(duì)于鍵合質(zhì)量具有決定性的影響，這一點(diǎn)在微電子封裝領(lǐng)域受到了廣泛關(guān)注。以下內(nèi)容將深入探討銀鍵合絲的力學(xué)性能及其對(duì)鍵合質(zhì)量的影響。
2023-11-30 10:59:16774 
自從IBM于20世紀(jì)60年代開發(fā)出可控塌陷芯片連接（Controlled Collapse Chip Connect，C4）技術(shù)，或稱倒裝芯片技術(shù)，凸點(diǎn)鍵合在微電子封裝領(lǐng)域特別是芯片與封裝基板的鍵合
2023-12-05 09:40:002067 
隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，晶圓鍵合設(shè)備及工藝在微電子制造領(lǐng)域扮演著越來越重要的角色。晶圓鍵合技術(shù)是一種將兩個(gè)或多個(gè)晶圓通過特定的工藝方法緊密地結(jié)合在一起的技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)更高性能、更小型化的電子元器件。本文將詳細(xì)介紹晶圓鍵合設(shè)備的結(jié)構(gòu)、工作原理以及晶圓鍵合工藝的流程、特點(diǎn)和應(yīng)用。
2023-12-27 10:56:381883 
共讀好書 姚友誼 吳琪 陽(yáng)微 胡蓉 姚遠(yuǎn)建 （成都西科微波通訊有限公司） 摘要： 從鋁質(zhì)焊盤鍵合后易發(fā)生欠鍵合和過鍵合的故障現(xiàn)象著手，就鋁焊盤上幾種常見鍵合方式進(jìn)行了探討，得出鍵合的優(yōu)先級(jí)為硅鋁絲
2024-02-02 16:51:481254 
共讀好書 劉鳳華 中電科思儀科技股份有限公司 摘要： 鍵合對(duì)設(shè)備性能和人員技能的要求極高，屬于關(guān)鍵控制工序，鍵合質(zhì)量的好壞直接影響電路的可靠性。工藝人員需對(duì)鍵合的影響因素進(jìn)行整體把控，有針對(duì)性地控制
2024-02-02 17:07:181009 
共讀好書 周巖 劉勁松 王松偉 彭庶瑤 彭曉飛 (沈陽(yáng)理工大學(xué) 中國(guó)科學(xué)院金屬研究所師昌緒先進(jìn)材料創(chuàng)新中心江西藍(lán)微電子科技有限公司) 摘要： 目前，鍵合銅絲因其價(jià)格低廉、具有優(yōu)良的材料性能等特點(diǎn)
2024-02-22 10:41:431503 
據(jù)業(yè)界消息人士透露，為了進(jìn)一步提升其芯片代工能力，三星正全力推進(jìn)混合鍵合技術(shù)的整合工作。據(jù)悉，應(yīng)用材料公司和Besi Semiconductor已在三星的天安園區(qū)開始安裝先進(jìn)的混合鍵合設(shè)備，這些設(shè)備預(yù)計(jì)將用于三星的下一代封裝解決方案，如X-Cube和SAINT。
2024-02-18 11:13:23877 共讀好書 熊化兵,李金龍,胡 瓊,趙光輝,張文烽,談侃侃 (中國(guó)電子科技集團(tuán)公司) 摘要: 研究了 18 、25 、 30 μ m 三種金絲和 25 、 32 、 45 μ m 三種硅鋁絲鍵合引線在
2024-02-25 17:05:57762 
引線鍵合是微電子封裝領(lǐng)域中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，它負(fù)責(zé)實(shí)現(xiàn)芯片與封裝基板或其他芯片之間的電氣連接。隨著集成電路技術(shù)的不斷進(jìn)步，引線鍵合技術(shù)也在不斷發(fā)展，以適應(yīng)更高性能、更小尺寸和更低成本的需求。本文將詳細(xì)介紹引線鍵合技術(shù)的發(fā)展歷程、現(xiàn)狀以及未來趨勢(shì)。
2024-04-28 10:14:331507 
，這兩臺(tái)設(shè)備專為處理300毫米基板而設(shè)，均采用了ERS最先進(jìn)的光子解鍵合技術(shù)，為臨時(shí)鍵合和解鍵合工藝提供了無與倫比的靈活性、極高生產(chǎn)能力和成本效益。 ERS's fully automatic
2024-05-29 17:39:58659 
最近，有客戶向小編咨詢推拉力測(cè)試機(jī)，想要進(jìn)行金絲鍵合抗拉強(qiáng)度測(cè)試。在集成電路封裝領(lǐng)域，金絲鍵合技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。無論是芯片與基板的連接，還是基板與殼體之間的電氣互連，金絲鍵合都承擔(dān)著連接
2024-06-03 18:04:10924 
發(fā)展空間較大。對(duì)半導(dǎo)體芯片鍵合裝備進(jìn)行了綜述，具體包括主要組成機(jī)構(gòu)和工作原理、關(guān)鍵技術(shù)、發(fā)展現(xiàn)狀。半導(dǎo)體芯片鍵合裝備的主要組成機(jī)構(gòu)包括晶圓工作臺(tái)、芯片鍵合頭、框架輸送系統(tǒng)、機(jī)器視覺系統(tǒng)、點(diǎn)膠系統(tǒng)。半導(dǎo)體芯片鍵合裝備的關(guān)鍵技
2024-06-27 18:31:141861 
金絲鍵合強(qiáng)度測(cè)試儀是測(cè)量引線鍵合強(qiáng)度，評(píng)估鍵合強(qiáng)度分布或測(cè)定鍵合強(qiáng)度是否符合有關(guān)的訂購(gòu)文件的要求。鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)可應(yīng)用于采用低溫焊、熱壓焊、超聲焊或有關(guān)技術(shù)鍵合的、具有內(nèi)引線的器件封裝內(nèi)部的引線
2024-07-06 11:18:59917 
最近比較多客戶咨詢鍵合剪切力試驗(yàn)儀器以及如何測(cè)試剪切力？抽空整理了一份鍵合點(diǎn)剪切力試驗(yàn)步驟和已剪切的鍵合點(diǎn)如何檢查。鍵合點(diǎn)剪切試驗(yàn)：在開始進(jìn)行試驗(yàn)前，鍵合剪切設(shè)備應(yīng)通過所有的自診斷測(cè)試。鍵合剪切設(shè)備
2024-07-12 15:11:04851 
在微電子封裝領(lǐng)域，金絲鍵合（Wire Bonding）工藝作為一種關(guān)鍵的電氣互連技術(shù)，扮演著至關(guān)重要的角色。該工藝通過細(xì)金屬線（主要是金絲）將芯片上的焊點(diǎn)與封裝基板或另一芯片上的對(duì)應(yīng)焊點(diǎn)連接起來
2024-08-16 10:50:142562 
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原文標(biāo)題：引線鍵合之
2024-11-01 11:08:07636 DieBound芯片鍵合，是在封裝基板上安裝芯片的工藝方法。本文詳細(xì)介紹一下幾種主要的芯片鍵合的方法和工藝。什么是芯片鍵合在半導(dǎo)體工藝中，“鍵合”是指將晶圓芯片連接到基板上。連接可分為兩種類型，即
2024-09-20 08:04:291302 
要求，傳統(tǒng)互聯(lián)技術(shù)如引線鍵合、倒裝芯片鍵合和硅通孔（TSV）鍵合等，正逐步顯露其局限。在這種背景下，混合鍵合技術(shù)以其革命性的互聯(lián)潛力，正成為行業(yè)的新寵。
2024-10-18 17:54:54787 
晶圓鍵合技術(shù)是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，它通過將兩塊或多塊晶圓在一定的工藝條件下緊密結(jié)合，形成一個(gè)整體結(jié)構(gòu)。這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于微電子、光電子、MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）等領(lǐng)域，是實(shí)現(xiàn)高效封裝和集成的重要步驟。晶圓鍵合技術(shù)不僅能夠提高器件的性能和可靠性，還能滿足市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體器件集成度日益提高的需求。
2024-10-21 16:51:401028 混合鍵合（Hybrid Bonding）是半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的新興技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)高密度三維集成，無需傳統(tǒng)的焊料凸點(diǎn)。本文探討混合鍵合的基本原理、相比傳統(tǒng)方法的優(yōu)勢(shì)，以及該領(lǐng)域的最新發(fā)展。
2024-10-30 09:54:511616 
將兩個(gè)晶圓永久性或臨時(shí)地粘接在一起的膠黏材料。 怎么鍵合與解鍵合？ 如上圖，鍵合過程： 1.清潔和處理待鍵合晶圓表面。 2.將兩個(gè)待鍵合的晶圓對(duì)準(zhǔn)并貼合在一起。 3.施加壓力和溫度，促進(jìn)鍵合膠之間的粘接。 4.繼續(xù)保溫，使鍵合材料達(dá)到最佳粘接強(qiáng)度。 ? 解鍵合
2024-11-14 17:04:441257 
一、超聲鍵合輔助的多層鍵合技術(shù) 基于微導(dǎo)能陣列的超聲鍵合多層鍵合技術(shù)： 在超聲鍵合微流控芯片多層鍵合研究中，有基于微導(dǎo)能陣列的聚碳酸酯微流控芯片超聲鍵合技術(shù)。研究對(duì)比了大量鍵合方法，認(rèn)為超聲鍵合方式
2024-11-19 13:58:00379 
線鍵合與倒裝芯片作為封裝技術(shù)中兩大重要的連接技術(shù)，各自承載著不同的使命與優(yōu)勢(shì)。那么，芯片倒裝（Flip Chip）相對(duì)于傳統(tǒng)線鍵合（Wire Bonding）究竟有哪些優(yōu)勢(shì)呢？倒裝芯片在封裝技術(shù)演進(jìn)
2024-11-21 10:05:151098 
微電子封裝中的引線鍵合技術(shù)引線鍵合技術(shù)在微電子封裝領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色，它通過金屬線將半導(dǎo)體芯片與外部電路相連，實(shí)現(xiàn)電氣互連和信息傳遞。在理想條件下，金屬引線與基板之間的連接可以達(dá)到原子級(jí)別的鍵
2024-12-24 11:32:041140 
微流控芯片鍵合技術(shù)的重要性 微流控芯片的鍵合技術(shù)是實(shí)現(xiàn)其功能的關(guān)鍵步驟之一，特別是在密封技術(shù)方面。鍵合技術(shù)的選擇直接影響到微流控芯片的整體性能和可靠性。 不同材料的鍵合方式 玻璃材料：通常通過熱鍵合
2024-12-30 13:56:31300 引線鍵合 引線鍵合，又稱壓焊，是半導(dǎo)體封裝工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)封裝的可靠性和最終產(chǎn)品的測(cè)試良率具有決定性影響。 以下是對(duì)引線鍵合的分述： 引線鍵合概述 引線鍵合設(shè)備 引線鍵合方法 1 引線鍵合概述
2025-01-02 10:18:01677 
線鍵合（WireBonding）線鍵合是一種使用細(xì)金屬線，利用熱、壓力、超聲波能量為使金屬引線與基板焊盤緊密焊合，實(shí)現(xiàn)芯片與基板間的電氣互連和芯片間的信息互通。在理想控制條件下，引線和基板間會(huì)發(fā)
2025-01-06 12:24:10505 
本文介紹了Cu-Cu混合鍵合主要用在哪方面以及原理是什么。
2025-02-26 17:35:11262 
金屬共晶鍵合是利用金屬間的化學(xué)反應(yīng)，在較低溫度下通過低溫相變而實(shí)現(xiàn)的鍵合，鍵合后的金屬化合物熔點(diǎn)高于鍵合溫度。該定義更側(cè)重于從材料科學(xué)的角度定義。
2025-03-04 14:14:41257 
鍵合技術(shù)主要分為直接鍵合和帶有中間層的鍵合。直接鍵合如硅硅鍵合，陽(yáng)極鍵合等鍵合條件高，如高溫、高壓等。而帶有中間層的鍵合，所需的溫度更低，壓力也更小。帶金屬的中間層鍵合技術(shù)主要包括共晶鍵合、焊料鍵合、熱壓鍵合和反應(yīng)鍵合等。本文主要對(duì)共晶鍵合進(jìn)行介紹。
2025-03-04 17:10:52442 
芯片封裝是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，承擔(dān)著為芯片提供物理保護(hù)、電氣互連和散熱的功能，這其中的鍵合技術(shù)就是將裸芯片與外部材料連接起來的方法。鍵合可以通俗的理解為接合，對(duì)應(yīng)的英語(yǔ)表達(dá)是Bonding，音譯
2025-03-22 09:45:31643 
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