(電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道 文/章鷹)1月3日，美國(guó)Twitter知名博主@RODENT950曝出，華為海思下一代處理器將命名為麒麟9010（Kirin 9010），并采用先進(jìn)的3nm工藝。

2020年10月底，華為海思新一代旗艦處理器9000和華為Mate40同時(shí)亮相，采用臺(tái)積電5nm工藝。8月7日，華為消費(fèi)業(yè)務(wù)集團(tuán)首席執(zhí)行官余承東曾經(jīng)表示，由于美國(guó)的制裁影響，華為麒麟系列芯片在 9 月 15 日之后無(wú)法制造，將成為絕唱。

外媒爆料，知名博主@RODENT950表示，華為的新芯片應(yīng)該在2021年發(fā)布，可能會(huì)出現(xiàn)在華為Mate50系列智能手機(jī)上，目前，華為對(duì)這個(gè)消息沒(méi)有任何回應(yīng)。

華為3nm芯片一年內(nèi)上市有兩大疑問(wèn)

首先，華為目前3nm芯片的研發(fā)到底處于那種狀態(tài)呢？筆者咨詢(xún)了半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的人士，他們表示，華為的3nm芯片當(dāng)前只是處于PDK仿真，沒(méi)有進(jìn)入流片。

在芯片設(shè)計(jì)階段，PDK就是一系列技術(shù)檔案，提供全定制IC設(shè)計(jì)時(shí)所需的基礎(chǔ)架構(gòu)元素, 如參數(shù)化單元庫(kù)(PCell)、設(shè)計(jì)規(guī)則(rule decks)、仿真模型及其他更多項(xiàng)目。PDKs都是針對(duì)個(gè)別晶圓廠與制程組合而建立的，以確保所有元素能夠密切配合。

PDK仿真到芯片的流片階段還有相當(dāng)大的一段距離。所以芯片設(shè)計(jì)到PDK仿真階段，還沒(méi)有起到實(shí)際的意義。

第二、即使麒麟9010設(shè)計(jì)完成，3nm的芯片代工制程可以配合嗎？

臺(tái)灣產(chǎn)業(yè)鏈的消息，按臺(tái)積電計(jì)劃，3nm 將于今年完成認(rèn)證與試產(chǎn)，2022 年投入大規(guī)模量產(chǎn)，甚至業(yè)界曾表示蘋(píng)果已率先包下臺(tái)積電3 納米初期產(chǎn)能，成為臺(tái)積電 3 納米第一批客戶(hù)。三星與臺(tái)積電計(jì)劃基本同步，此前三星晶圓代工部門(mén)高層主管在一場(chǎng)未對(duì)外公開(kāi)的活動(dòng)上，曾對(duì)出席者表示，三星將在2022年量產(chǎn)3納米芯片。

但據(jù) Digitimes 報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)過(guò)程中都遇到了不同但關(guān)鍵的瓶頸。報(bào)道稱(chēng)，臺(tái)積電和三星因此將不得不推遲 3nm 制程工藝的開(kāi)發(fā)進(jìn)度。這意味著，3nm最快也要到2022年才能量產(chǎn)。

當(dāng)然，除了臺(tái)積電、三星之外，我們看看國(guó)內(nèi)芯片代工廠商的能力，目前中芯國(guó)際的先進(jìn)制程也來(lái)到了7nm，根據(jù)中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松之前公布的信息看，中芯國(guó)際28nm、14nm、12nm及n+1等技術(shù)進(jìn)入了規(guī)模量產(chǎn)，7nm技術(shù)開(kāi)發(fā)也已經(jīng)完成。由于芯片制程不斷微縮，EUV(極紫外光) 成為不可或缺的技術(shù)，但是現(xiàn)在最為關(guān)鍵的EUV***，ASML無(wú)法向中芯國(guó)際交貨，顯然，先進(jìn)制程前進(jìn)之路已經(jīng)被強(qiáng)力阻斷。

華為3nm芯片如果成真，高通、三星和蘋(píng)果會(huì)加速3nm芯片進(jìn)程

在5nm 麒麟9000 SoC發(fā)布之前，有報(bào)道稱(chēng) Mate 40 可能是最后一款使用 麒麟芯片的華為旗艦，但消息人士相信情況并非如此。華為P50手機(jī)也有望采用麒麟9000 SoC。

如果華為成功，高通和三星也可能在今年年底前改用3納米的流程。蘋(píng)果還將準(zhǔn)備一款由臺(tái)積電制造的3納米SoC，但要到2022年才會(huì)出現(xiàn)。

臺(tái)積電CEO魏哲家此前在財(cái)報(bào)分析師電話(huà)會(huì)議上透露的消息顯示，他們的3nm工藝仍將采用成熟的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)（FinFET）。而三星的3nm工藝則由不同，外媒稱(chēng)他們將采用環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)（GAA）。

據(jù)臺(tái)灣媒體的最新報(bào)道，臺(tái)積電5nm制程目前月產(chǎn)能約六萬(wàn)片，正在持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)到今年下半年，可達(dá)到約每月十萬(wàn)片規(guī)模。業(yè)內(nèi)也透露，臺(tái)積電對(duì)3納米制程布局積極，初期產(chǎn)能月一萬(wàn)到三萬(wàn)片。

目前還不清楚臺(tái)積電和三星3nm工藝研發(fā)過(guò)程中遇到的關(guān)鍵瓶頸，會(huì)對(duì)研發(fā)進(jìn)程造成多大的影響，是否會(huì)影響到最終的量產(chǎn)時(shí)間也還不得而知。

對(duì)于臺(tái)積電的3nm工藝，外媒此前在報(bào)道中稱(chēng)他們準(zhǔn)備了4波產(chǎn)能，首波產(chǎn)能中的大部分將留給多年的大客戶(hù)蘋(píng)果，后三波產(chǎn)能將被高通、英特爾、賽靈思、英偉達(dá)、AMD等廠商預(yù)訂。

未來(lái)，華為海思真正翻身的機(jī)會(huì)，是等到國(guó)內(nèi)先進(jìn)制程成熟時(shí)，芯片設(shè)計(jì)到流片不被卡脖子，直接上手。目前美國(guó)政府也處于權(quán)力交接的敏感時(shí)期，拜登領(lǐng)導(dǎo)的美國(guó)新政府未來(lái)是否能對(duì)華為的制裁解禁，也成為華為新芯片的研發(fā)帶來(lái)的外部變數(shù)，我們將持續(xù)跟蹤。

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