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國產(chǎn)存儲廠商,刷新全球排名!DRAM列五沖四,NAND市占1%進2%!

花茶晶晶 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:黃晶晶 ? 2021-11-23 07:30 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)根據(jù)2021年上半年DRAM市場情況來看,長鑫存儲的全球市占已經(jīng)來到1%,排名第五(三星、SK海力士、美光三家共占據(jù)94%份額),NAND市場排名中,長江存儲全球市占已經(jīng)達到2%(2020年下半年僅1%),排名第七(其他還有三星、鎧俠、西數(shù)、SK海力士、美光、英特爾等)。雖然相比全球各大廠商,這個份額仍然顯得微不足道,卻是國產(chǎn)存儲的積極重大的進步。

另一方面,2022年DRAM和閃存景氣度顯不足,應用需求的變化等形勢值得注意,

國產(chǎn)存儲的階段性進步

中國是全球最大的應用市場,在智能手機、PC和服務器市場中國都占據(jù)了超過30%到40%的份額。正因為終端產(chǎn)業(yè)在中國,才給了國產(chǎn)存儲更好的發(fā)展機會。

DRAM方面,長鑫存儲已經(jīng)成功量產(chǎn)19nm DDR4/LPDDR4,正在推進LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā),預計會采用17nm以下工藝制程。截至2020年底,長鑫存儲12寸月產(chǎn)能達到4萬片,開始啟動6萬片/月產(chǎn)能建設。未來隨產(chǎn)能的不斷擴張,有望超載南亞成為全球第四大DRAM芯片廠商。

除了長鑫存儲,東芯半導體也有DRAM產(chǎn)品線,據(jù)東芯副總經(jīng)理陳磊介紹,目前結合公司自主IP,包括有DDR3和低功耗的DDR產(chǎn)品,下一步是開發(fā)LPDDR4。預計明年可以為物聯(lián)網(wǎng)和基帶客戶提供小容量的LPDDR4x產(chǎn)品。最近,兆易創(chuàng)新表示,17nm DDR3產(chǎn)品正在按計劃進行中,預計2022年貢獻營收。

閃存方面,長江存儲已經(jīng)量產(chǎn)64層/128層基于Xtacking架構的兩代閃存顆粒,192層的第三代3D NAND存儲芯片也量產(chǎn)在即。國內多家存儲主控芯片、模組廠商都加入了長江存儲的生態(tài)合作伙伴體系當中。

當然,基本上國產(chǎn)存儲芯片廠商當前仍需要緊緊跟隨全球頭部玩家。在談了國產(chǎn)存儲取得的一些進展后,我們再來看看近兩年DRAM、NAND市場的行情究竟如何走?

DRAM價格明年或將下跌15%,DDR5到來有望走穩(wěn)

以內存分為5大類來看,即PC、服務器、行動式內存、繪圖用內存以及利基型內存。在集邦咨詢2022存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上,集邦咨詢研究副總經(jīng)理郭祚榮先生給出對明年DRAM行情的預判是,全球內存產(chǎn)業(yè)在今年上半年受到Delta卷土重來之際,人們大多仍維持在家上班與上課,客戶端也因強勁需求而持續(xù)拉高庫存水位,讓前三季度內存價格一路往上攀升。但隨著疫苗在全球開打,疫情逐步受到控制,回歸上班與上課后,反倒讓需求下降,第四季度內存產(chǎn)業(yè)從供不應求轉為供過于求致使價格開始走跌。集邦咨詢預估2022年內存供給成長率來到18.1%,與今年相持平,銷售單價將年減15%,但明年將是DDR5內存進入市場的元年,DDR5內存挾帶著高時脈與低電壓的特性,加上國際大廠陸續(xù)支援之下,明年下半年將有一定程度的滲透率 ,內存均價跌幅有機會開始收斂,不排除價格走穩(wěn)的可能性。

具體來看,PC或服務器用DRAM價格處于下跌態(tài)勢,行動式內存處于緩漲緩跌的情況,基本上也是下跌的形勢。另外圖形用內存和利基型內存也將是下跌的。

2020-2021年整個筆記本電腦市場受到居家辦公、在線教育等需求刺激,呈現(xiàn)了大幅增長。預估今年筆電出貨量增長15.3%,明年卻是-7.1%的下降,原因是經(jīng)過兩年的旺季,隨著疫情的趨緩,對遠程辦公的需求不再強烈,帶影響新購筆記本的需求減弱。

圖形用內存由于虛擬貨幣和游戲主機等領域的拉動也有不錯的成長空間。而消費類包括家電產(chǎn)品又推動了利基型內存的需求增長。

集邦咨詢預估2022年手機出貨增長只有3.5%,今年大概是7.3%左右的增長。原因是由于缺少殺手級應用,從4G升級到5G并不會帶來很大的換機潮。

從比重來看,行動式內存的份額大概是32%,其中,三星呈現(xiàn)了寡占的市場格局,它的市場份額超過了50%,SK海力士和美光居次。無論是LPDDR4還是LPDDR5,三星的份額還會更高,甚至有價格的決定權。三星在LPDDR4的份額達到了46%,SK海力士和美光在明年的預估大概是29.2%。

最重要的DRAM應用市場是服務器,服務器的出機臺數(shù),預估目前每年的成長大概是4%到5%,今年預估在5.4%,明年預估是4.1%,雖然臺數(shù)增長不大,但是服務器存儲有很大的成長空間。服務器內存在明年大概是將近18%的成長。

閃存呈現(xiàn)供過于求,在高層數(shù)產(chǎn)能與需求中尋找平衡

集邦咨詢分析師敖國鋒指出,當前投產(chǎn)增長方面,三星在2021年投產(chǎn)增加接近7.5萬片,2022年的產(chǎn)能增加只有約3.5萬片。

國內廠商在去年大幅增長3.5萬片之后,2022年的規(guī)劃看起來只有小幅增長。主要原因是國內廠商長江存儲明年在制程上轉向128層,后續(xù)切入一線大廠的SSD供應和手機內存供給之下,長存的產(chǎn)能規(guī)劃相對保守。

在2022年,鎧俠的規(guī)劃小幅增加1.5萬片左右,SK海力士在韓國本地的工廠有小幅增加3DNAND的投產(chǎn)。而英特爾跟SK海力士預計在年底之前會完成第一階段的合并計劃,未來的產(chǎn)品重心將專注于企業(yè)級固態(tài)硬盤的發(fā)展。美光的產(chǎn)能也將有小幅增長??傮w來看,敖國鋒表示,明年各家廠商在投產(chǎn)的規(guī)劃上相較于2021年都比較保守。

當前,各家廠商的重心都是在96到128層,但是2022年整個產(chǎn)出的供應重心將轉到176層,甚至到2023年一些技術領先的廠商會推升到200層以上的技術。主要是三星、SK海力士及美光,將有望由176層推向200層以上,英特爾、長江存儲等的技術研發(fā)會在160層到192層。

今年第四季之后,176層3D NAND有一個小幅度的增長,明年176層產(chǎn)出比例將陸續(xù)增加,主要應用在筆記本電腦、智能手機等市場,至于企業(yè)級SSD即便明年有176層的應用,但仍是以128層為主。

從閃存終端需求分布來看,這兩年智能手機的比例在34%到35%之間。服務器方面,隨著整個服務器出貨增長以及平均容量的增長,明年NAND Flash的需求大概會占到22%左右。另外,明年游戲主機占NAND Flash的需求將占到4%左右,長期來看游戲主機占閃存終端需求在3%到4%之間。針對每個終端產(chǎn)品平均容量增長,2021年到2022年,增長較為積極的是服務器相關平均容量,企業(yè)級固態(tài)硬盤平均容量增長,這兩年都有超過3成以上的增長。

雖然2021年許多芯片出現(xiàn)產(chǎn)能吃緊,缺貨的情況,但相關PMIC或主控IC的供給狀況持續(xù)改善,因此敖國鋒認為,預估到2022年第二季底,相關元器件供應回歸正常交期,明年上半年在生產(chǎn)需求無法大幅改善,以及原廠產(chǎn)能不斷轉進128到176層及更高層數(shù)的情況下,明年上半年閃存市場可能會出現(xiàn)供過于求的局面。再隨著下半年英特爾下一代服務器平臺的量產(chǎn),將有機會在第三季之后出現(xiàn)一個供需平衡的狀況。

閃存價格方面,2022年第四季度價格仍然有機會繼續(xù)往下小幅衰退,主要原因是原廠產(chǎn)能不斷增加,尤其是轉往176層的產(chǎn)能不斷地持續(xù)邁進,估計明年除了第三季度價格稍微持穩(wěn)之外,明年整年度衰退的價格比例大約20%到25%之間。

2021年整個需求位元的增長在38.8%,供給位元的增長在39.1%,明年將呈現(xiàn)供過于求的狀況。2023年估計仍將出現(xiàn)供過于求,考慮到整個原廠產(chǎn)能在轉進200層以上的進度,以及市場的需求情況,或許將在2023年及以后的一些時間節(jié)點達到供需平衡。

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