實(shí)驗(yàn)任務(wù)：

將輸入數(shù)據(jù)(data_in)存入ddr，然后讀出，驗(yàn)證輸入輸出數(shù)據(jù)是否相等。

一、前言

接上一篇(3)MIG的使用教程

MIG配置如下：

1. 系統(tǒng)時(shí)鐘sys_clk = 200Mhz

2. 系統(tǒng)復(fù)位sys_rst 低有效

3. 模式：4：1

4. 位寬： 16bit

注：由于選擇的DDR3的突然長度為8，所以mig的數(shù)據(jù)位寬=16*8=128bit，對應(yīng)到代碼即app_wdf_data[127:0] , app_rd_data[127:0]。

二、系統(tǒng)方案

2.1方案設(shè)計(jì)

實(shí)驗(yàn)任務(wù)：

將數(shù)據(jù)(data_in),存入ddr，然后讀出，驗(yàn)證輸入輸出數(shù)據(jù)是否相等。

實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?/p>

初步掌握DDR讀寫設(shè)計(jì)。

為什么要先過FIFO再寫入DDR?

因?yàn)镈DR接口對用戶而言并不是一直有效，只有等DDR“有效”時(shí)(app_rdy = 1 && app_wdf_rdy = 1)，才能進(jìn)行寫入。

2.1.1輸入接口時(shí)序圖

輸入數(shù)據(jù)為1-50共50個(gè)數(shù)據(jù)，以vld_in信號(hào)表征輸入數(shù)據(jù)有效。

2.2狀態(tài)機(jī)設(shè)計(jì)

2.2.1獨(dú)熱碼localparam S0_IDLE = 6'b000001; //初始化狀態(tài)，DDR初始化成功就跳轉(zhuǎn)S1

localparam S1_WAIT = 6'b000010; //等待狀態(tài)，等FIFO緩存好數(shù)據(jù)就跳轉(zhuǎn)S2
localparam S2_WRITE = 6'b000100; //寫DDR狀態(tài)，F(xiàn)IFO數(shù)據(jù)寫完就跳轉(zhuǎn)到S3
localparam S3_WR_DONE = 6'b001000; //寫完成狀態(tài)，給出讀地址初始值就跳到S4
localparam S4_READ = 6'b010000; //讀DDR狀態(tài)，讀到相應(yīng)長度的數(shù)量就跳到S5
localparam S5_RD_DONE = 6'b100000; //讀完成狀態(tài)，跳回IDLE

2.2.2狀態(tài)機(jī)流程圖

2.2.3三段式狀態(tài)機(jī)
always @(posedge sys_clk or posedge sys_rst)begin
if(sys_rst == 1'b1)
current_state else
current_state end
always @(*)begin
case(current_state)
S0_IDLE :
if(init_calib_complete == 1'b1)
next_state else
next_state S1_WAIT :
if(eof == 1'b1)
next_state else
next_state S2_WRITE :
if(ififo_empty == 1'b1)
next_state else
next_state S3_WR_DONE :
next_state S4_READ :
if(cnt_read == cnt_length)
next_state else
next_state S5_RD_DONE :
next_state default :
next_state endcase
end
always @(posedge sys_clk or posedge sys_rst)begin
if(sys_rst == 1'b1)begin
cnt_length cnt_read cnt_write app_addr end
else case(current_state)
S0_IDLE : ;
S1_WAIT : ;
S2_WRITE:
if(app_rdy && app_wdf_rdy && app_en)begin
app_addr cnt_write end
else begin
app_addr cnt_write end
S3_WR_DONE :begin
cnt_length app_addr end
S4_READ :
if(app_rdy && app_en)begin
app_addr cnt_read end
else begin
app_addr cnt_read end
S5_RD_DONE :begin
cnt_length cnt_read cnt_write end
default : ;
endcase
end

代碼很簡單，對應(yīng)流程圖跳轉(zhuǎn)，此處不再啰嗦 。

2.3app接口設(shè)計(jì)

assign app_wdf_mask = 16'b0; //掩碼置0，表示傳輸?shù)娜繛橛行?shù)據(jù)
assign ififo_rden = (current_state == S2_WRITE)&& app_rdy && app_wdf_rdy;
assign app_en = ((current_state == S2_WRITE)&&(ififo_vld)) || (current_state == S4_READ);
assign app_cmd = (current_state == S4_READ) ? 3'b001 : 3'b000;
assign app_wdf_wren = ififo_vld;
assign app_wdf_end = ififo_vld;
assign app_wdf_data = ififo_rdata;

三、仿真結(jié)果

因?yàn)镈DR仿真，需要用到ddr3_model和其他文件，單開一篇來講解。

這里只看仿真結(jié)果。

輸入：

輸出：

輸入數(shù)據(jù)： 1-50;

輸出數(shù)據(jù)： 1-50;

DDR讀寫測試成功!

審核編輯：湯梓紅