無(wú)源晶振匹配測(cè)試有幾個(gè)參數(shù)是要重點(diǎn)關(guān)注的：典型頻率，高中低溫度下的頻率偏差、負(fù)阻特性、激勵(lì)功率。

1、負(fù)阻特性負(fù)阻表示晶振起振回路的放大能力，晶振本身的諧振電阻代表其衰減能力。所以負(fù)阻的絕對(duì)值與諧振阻抗的差代表了起振余量。起振余量要足夠大。

一般的判定基準(zhǔn)：在振蕩電路中負(fù)阻抗的值應(yīng)達(dá)到諧振阻抗的5-10倍。消費(fèi)類(lèi)電子5倍以上，汽車(chē)電子類(lèi)需要10倍。

測(cè)試方法就是：在晶振回路XOUT這端把晶振腳翹起，然后串入一個(gè)電阻，當(dāng)串入的電阻讓晶振停振了，這個(gè)電阻值就是負(fù)阻值。

如上晶振參數(shù)，諧振阻抗是60Ω，那么在汽車(chē)電子領(lǐng)域，晶振匹配測(cè)試的負(fù)阻值需要達(dá)到600Ω，才是合格的。

2、激勵(lì)功率

激勵(lì)功率就是晶振的功率，是晶振的諧振阻抗通過(guò)電流產(chǎn)生的功率消耗。

如上晶振參數(shù)，晶振匹配測(cè)試到的功率應(yīng)小于200uW才合格。而如果要留有50%的余量，就要求要小于100uw才合格。

3、頻率偏差

頻率偏差實(shí)際上是在當(dāng)前的晶振回路CL1/CL2電容值進(jìn)行測(cè)試得到實(shí)際的負(fù)載電容值CL，然后和晶振標(biāo)定值進(jìn)行比較得到偏差范圍。

比如測(cè)得實(shí)際電路負(fù)載電容值為6.82pF，與晶振標(biāo)定的CL規(guī)格 8pF相比，得到頻率相對(duì)偏差為6.6ppm。

審核編輯：湯梓紅