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SiLM8260帶米勒鉗位功能的30V, 10A雙通道隔離驅動器

SiC功率器件在新能源汽車、光伏逆變和儲能等領域憑借其卓越性能得到了廣泛應用。為確保在這些高功率、高干擾環(huán)境中充分發(fā)揮SiC器件的優(yōu)勢，市場對門極驅動器提出了嚴苛要求，如大電流驅動能力、高抗干擾能力及高隔離耐壓等。

新品推薦：SiLM8260

產品介紹

數(shù)明半導體最新推出的SiLM8260是一款集成了米勒鉗位功能的雙通道隔離驅動芯片，它精準地滿足了上述嚴苛條件。SiLM8260具備10A的拉電流和灌電流能力，能夠直接驅動SiC、IGBT等大功率器件，確保高效且穩(wěn)定的運行。其米勒鉗位功能尤為出色，能夠有效抑制門極驅動因對管開關而引起的電壓尖峰，從而避免上、下管直通問題，進一步增強了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

此外，SiL8260還展現(xiàn)了卓越的電氣性能。它具備200kV/μs的CMTI性能，這意味著它能在高干擾環(huán)境下保持出色的信號完整性。同時，該驅動芯片能耐受5000VRMS的原副邊隔離電壓和1850VRMS的上下通道耐壓，充分保證了其在各種惡劣工作環(huán)境下的穩(wěn)定性和安全性。

自舉供電的應用電路圖

上、下管獨立正負電源供電應用電路圖

在新能源汽車領域，SiC功率器件被廣泛應用于車載充電器、直流充電樁等關鍵部件中。由于這些部件需要承受高電流和高電壓的沖擊，因此對門極驅動器提出了嚴苛的要求。數(shù)明半導體的SiLM8260驅動芯片憑借其大電流驅動能力和高抗干擾能力，能夠確保SiC器件在充電過程中穩(wěn)定高效地工作，從而提高充電效率和可靠性。

在光伏逆變領域，光伏逆變器是將太陽能轉換為電能的關鍵設備。SiC功率器件因其高效率、高可靠性和低損耗等特點，在光伏逆變器中發(fā)揮著重要作用。然而，光伏逆變器常常工作在復雜多變的電磁環(huán)境中，因此要求門極驅動器具備出色的電氣性能和抗干擾能力。SiLM8260驅動芯片以其高隔離耐壓和卓越的CMTI性能，能夠有效抵御電磁干擾，確保光伏逆變器的穩(wěn)定運行。

在儲能領域，儲能變流器是連接儲能系統(tǒng)與電網的重要設備。SiC功率器件的應用可以提高儲能變流器的效率和可靠性，從而優(yōu)化儲能系統(tǒng)的性能。SiLM8260驅動芯片能夠滿足儲能變流器對門極驅動器的高要求，確保其在各種工作條件下都能穩(wěn)定工作。

除了新能源汽車、光伏逆變和儲能領域，SiLM8260驅動芯片在服務器電源和工業(yè)電源等應用領域也展現(xiàn)出廣泛的應用前景。服務器電源和工業(yè)電源需要承受高負載和長時間的穩(wěn)定運行，對門極驅動器的性能要求同樣嚴苛。SiLM8260以其卓越的性能和穩(wěn)定性，能夠滿足這些應用領域的需求，為系統(tǒng)的穩(wěn)定運行提供有力保障。

綜上所述，數(shù)明半導體的SiLM8260驅動芯片以其出色的性能、穩(wěn)定的驅動能力和強大的抗干擾能力，在新能源汽車、光伏逆變、儲能、服務器電源和工業(yè)電源等領域具有廣泛的適用性。它的推出將進一步促進SiC功率器件在這些領域的深入應用和發(fā)展，為行業(yè)的進步提供有力支持。

產 品 特 點

1.大電流驅動能力

SiLM8260具備強大的10A源電流和灌電流能力，使其能夠輕松直接驅動大功率的IGBT, SiC功率器件，確保系統(tǒng)在高負載條件下穩(wěn)定運行，提升效率，減小功耗。

源電流驅動能力 (COUT=220nF)

灌電流驅動能力 (COUT=220nF)

2. 集成米勒鉗位功能

SiLM8260集成米勒鉗位功能，有效抑制了門極驅動因對管開關而產生的電壓尖峰，從而顯著減少了上、下管直通的風險。同時，該功能還能有效防止功率器件在高dV/dt應用環(huán)境中發(fā)生誤導通，極大地提升了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

米勒鉗位功能

3. 寬輸入電壓范圍

SiLM8260的輸入電壓范圍廣泛，從3.5V到18V，適應不同電源環(huán)境下的應用需求，為系統(tǒng)提供更靈活的電源選擇。

4.高輸出電壓支持

該驅動器最高支持輸出電壓達到30V，滿足高功率器件的驅動需求，確保系統(tǒng)的高效運行。

5. 多種 UVLO 選項

SiLM8260提供多種UVLO（欠壓鎖定）選項，包括12.5V、8.5V、5.5V和3.5V，可根據應用需求靈活選擇，確保功率器件的安全運行。

6. 輸入管腳負電壓耐受能力

輸入管腳能耐負5V的電壓，增強了驅動器的抗干擾能力，使其在復雜電磁環(huán)境中也能穩(wěn)定工作。

7.快速傳播延遲

SiLM8260的傳播延遲僅為60ns，保證了信號的快速傳輸和響應，提高了系統(tǒng)的動態(tài)性能。

8.卓越的 CMTI 性能

SiLM8260具有超高的抗共模瞬態(tài)抑制能力，典型CMTI（共模瞬態(tài)免疫）高達200kV/μs，使其在高干擾環(huán)境下仍能保持出色的信號完整性，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。支持SiC功率器件快速開、關切換的應用場景。

CH1: OUT, CH2: VCM

VCM上升時OUT的CMTI

CH1: OUT, CH2: VCM

VCM下降時OUT的CMTI

9.緊湊的封裝設計

采用SOP18W封裝，緊湊且易于集成，節(jié)省了PCB空間，同時滿足了系統(tǒng)對空間的需求。

10.高耐壓能力

上下通道耐壓達到1850VRMS，隔離耐壓高達5000VRMS，保證了驅動器在各種惡劣工作環(huán)境下的穩(wěn)定性和安全性。

11.高溫度范圍

SiLM8260的工作溫度范圍從-40°C到125°C，適用于各種極端工作環(huán)境，確保系統(tǒng)在各種條件下都能穩(wěn)定工作。

12.可編程死區(qū)

SiLM8260支持死區(qū)可編程，可以通過DT腳對地電阻來改變死區(qū)的設置,從而避免在應用中上、下功率管的直通。

CH1: VIA, CH2: VIB, CH3: OUTB, CH4: OUTA

DT腳電阻為20kΩ

OUTA變低到OUTB變高的死區(qū)

CH1: VIA, CH2: VIB, CH3: OUTB, CH4: OUTA

DT腳電阻為20kΩ

OUTB變低到OUTA變高的死區(qū)

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審核編輯：劉清