臺(tái)積電在歐洲技術(shù)研討會(huì)上展示HBM4的12FFC+和N5制造工藝
5月17日，臺(tái)積電應(yīng)邀出席本周的2024年歐洲技術(shù)研討會(huì)并展出了兩款HBM4基礎(chǔ)Dies，其中一款基于12FFC+（12nm）工藝，另一款則利用N5（5nm）技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)，旨在提升HBM4的性能與能效。
臺(tái)積電設(shè)計(jì)與技術(shù)平臺(tái)高級(jí)總監(jiān)對(duì)此表示：
目前，我們正在攜手眾多HBM存儲(chǔ)伙伴（如美光、三星、SK海力士等）共同推進(jìn)HBM4在先進(jìn)制程中的全面集成。12FFC+基礎(chǔ)Dies在滿足HBM性能需求的同時(shí)，具有顯著的成本優(yōu)勢(shì)；而N5基礎(chǔ)Dies則可在較低功耗條件下實(shí)現(xiàn)HBM4的預(yù)期速度。
借助臺(tái)積電12FFC+工藝（源于其成熟的16nmFinFET技術(shù)），我們將能夠制造出適用于12-Hi及16-HiHBM4存儲(chǔ)器堆棧的基礎(chǔ)芯片，其容量分別高達(dá)48GB和64GB。
通過運(yùn)用12FFC+工藝，我們有望打造出“高性價(jià)比”的基礎(chǔ)芯片，這些芯片將通過硅內(nèi)插件將內(nèi)存與主機(jī)處理器相連接。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
臺(tái)積電
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
5730瀏覽量
168522 -
先進(jìn)制程
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
87瀏覽量
8662 -
HBM
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
401瀏覽量
15043 -
HBM4
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
50瀏覽量
188
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
HBM3E量產(chǎn)后，第六代HBM4要來了！
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）眼下各家存儲(chǔ)芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn)，HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā)，從規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)到工藝制程、封裝技術(shù)等都有所進(jìn)展，原本SK海力士計(jì)劃2026年量產(chǎn)
芯動(dòng)科技亮相臺(tái)積電2025年北美技術(shù)研討會(huì)
近日，臺(tái)積電北美技術(shù)研討會(huì)首站在硅谷拉開帷幕。此次盛會(huì)倍受世人矚目，有超過2500位業(yè)內(nèi)人士踴躍參加。芯動(dòng)科技作為
2025電子設(shè)計(jì)與制造技術(shù)研討會(huì)
本帖最后由 jf_32813774 于 2024-12-26 16:14 編輯
電子工程師不可錯(cuò)過的技術(shù)研討會(huì)，終于火熱啟動(dòng)了！
為了讓廣大電子行業(yè)從業(yè)者共聚一堂，探索前沿科技，共話創(chuàng)新未來
發(fā)表于 12-18 10:23
三星電子或2026年將HBM4基底技術(shù)生產(chǎn)外包給臺(tái)積電
據(jù)媒體報(bào)道，摩根士丹利（大摩）的分析指出，三星電子預(yù)計(jì)將于2026年將其HBM4基底技術(shù)的生產(chǎn)外包給臺(tái)積電，并計(jì)劃采用
三星與臺(tái)積電合作開發(fā)無緩沖HBM4 AI芯片
在科技日新月異的今天，三星電子與臺(tái)積電兩大半導(dǎo)體巨頭的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合再次引發(fā)業(yè)界矚目。據(jù)最新報(bào)道，雙方正攜手并進(jìn)，共同開發(fā)下一代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM4
三星攜手臺(tái)積電,共同研發(fā)無緩沖HBM4 AI芯片技術(shù)
據(jù)最新報(bào)道，三星電子與臺(tái)積電攜手共謀AI芯片的未來，雙方正緊密合作開發(fā)下一代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM4）芯片，旨在鞏固并加強(qiáng)各自在快速增長的人工智能芯片市場(chǎng)中的領(lǐng)先地位。
SK海力士攜手臺(tái)積電，N5工藝打造高性能HBM4內(nèi)存
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，宣布將采用臺(tái)積電先進(jìn)的N5
英偉達(dá)、臺(tái)積電與SK海力士攜手，2026年量產(chǎn)HBM4內(nèi)存，能效顯著提升
科技行業(yè)持續(xù)向AI時(shí)代邁進(jìn)的浪潮中，英偉達(dá)、臺(tái)積電與SK海力士三大巨頭宣布了一項(xiàng)重大合作，旨在通過組建“三角聯(lián)盟”共同推進(jìn)下一代高帶寬內(nèi)存（HBM）
臺(tái)積電攜手創(chuàng)意電子，斬獲SK海力士HBM4芯片大單
在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，臺(tái)積電再次憑借其卓越的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力，攜手旗下子公司創(chuàng)意電子，成功斬獲了SK海力士在下一代
臺(tái)積電攜手創(chuàng)意電子斬獲HBM4關(guān)鍵界面芯片大單
在科技浪潮的涌動(dòng)下，臺(tái)積電再次展現(xiàn)其行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》6月24日?qǐng)?bào)道，繼獨(dú)家代工英偉達(dá)、AMD等科技巨頭AI芯片之后，
臺(tái)積電計(jì)劃到2027年將特種工藝產(chǎn)能擴(kuò)大50%
在近日于歐洲舉行的技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電宣布了一項(xiàng)雄心
臺(tái)積電準(zhǔn)備生產(chǎn)HBM4基礎(chǔ)芯片
在近日舉行的2024年歐洲技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電透露了
臺(tái)積電將采用HBM4，提供更大帶寬和更低延遲的AI存儲(chǔ)方案
在近期舉行的2024年歐洲技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電透露了
臺(tái)積電N3P工藝新品投產(chǎn)，性能提質(zhì)、成本減負(fù)
N3E工藝的批量生產(chǎn)預(yù)期如期進(jìn)行，其缺陷密度與2020年量產(chǎn)的N5工藝相當(dāng)。臺(tái)積
SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計(jì)劃至2025年
SK海力士宣布，計(jì)劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品，而16層堆疊版本的推出將會(huì)稍后。根據(jù)該公司上月與臺(tái)積電簽
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論