臺積電在歐洲技術(shù)研討會上展示HBM4的12FFC+和N5制造工藝
5月17日，臺積電應(yīng)邀出席本周的2024年歐洲技術(shù)研討會并展出了兩款HBM4基礎(chǔ)Dies，其中一款基于12FFC+（12nm）工藝，另一款則利用N5（5nm）技術(shù)進行生產(chǎn)，旨在提升HBM4的性能與能效。
臺積電設(shè)計與技術(shù)平臺高級總監(jiān)對此表示：
目前，我們正在攜手眾多HBM存儲伙伴（如美光、三星、SK海力士等）共同推進HBM4在先進制程中的全面集成。12FFC+基礎(chǔ)Dies在滿足HBM性能需求的同時，具有顯著的成本優(yōu)勢；而N5基礎(chǔ)Dies則可在較低功耗條件下實現(xiàn)HBM4的預期速度。
借助臺積電12FFC+工藝（源于其成熟的16nmFinFET技術(shù)），我們將能夠制造出適用于12-Hi及16-HiHBM4存儲器堆棧的基礎(chǔ)芯片，其容量分別高達48GB和64GB。
通過運用12FFC+工藝，我們有望打造出“高性價比”的基礎(chǔ)芯片，這些芯片將通過硅內(nèi)插件將內(nèi)存與主機處理器相連接。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
臺積電
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
5755瀏覽量
169844 -
先進制程
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
87瀏覽量
8827 -
HBM
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
412瀏覽量
15240 -
HBM4
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
54瀏覽量
257
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
HBM3E量產(chǎn)后，第六代HBM4要來了！
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn)，HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā)，從規(guī)格標準到工藝制程、封裝技術(shù)等都有所進展，原本SK海力士計劃2026年量產(chǎn)
晟聯(lián)科受邀出席臺積電技術(shù)研討會，高速接口IP組合及解決方案助推海量數(shù)據(jù)暢行
6月25日，臺積電中國技術(shù)研討會在上海國際會議中心盛大召開。晟聯(lián)科作為臺
概倫電子亮相臺積電2025中國技術(shù)研討會
近日，備受矚目的臺積電2025中國技術(shù)研討會(TSMC Technology Symposium 2025)在上海國際會議中心舉行。本次
芯動科技亮相臺積電2025年北美技術(shù)研討會
近日，臺積電北美技術(shù)研討會首站在硅谷拉開帷幕。此次盛會倍受世人矚目，有超過2500位業(yè)內(nèi)人士踴躍參加。芯動科技作為
美光發(fā)布HBM4與HBM4E項目新進展
2048位接口，這一技術(shù)革新將大幅提升數(shù)據(jù)傳輸速度和存儲效率。美光計劃于2026年開始大規(guī)模生產(chǎn)HBM4，以滿足日益增長的高性能計算需求。 除了HBM4，美光還透露了HBM4E的研發(fā)計
2025電子設(shè)計與制造技術(shù)研討會
本帖最后由 jf_32813774 于 2024-12-26 16:14 編輯
電子工程師不可錯過的技術(shù)研討會，終于火熱啟動了！
為了讓廣大電子行業(yè)從業(yè)者共聚一堂，探索前沿科技，共話創(chuàng)新未來
發(fā)表于 12-18 10:23
臺積電推出“超大版”CoWoS封裝，達9個掩模尺寸
圓上芯片）封裝技術(shù)，該技術(shù)將提供高達9個掩模尺寸的中介層尺寸和12個HBM4內(nèi)存堆棧。新的封裝方法將解決性能要求最高的應(yīng)用，并讓AI（人工智能）和HPC（高性能計算）芯片設(shè)計人員能夠構(gòu)
特斯拉欲將HBM4用于自動駕駛，內(nèi)存大廠加速HBM4進程
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）近日據(jù)韓媒報道，特斯拉已向SK海力士和三星提交了HBM4的采購意向，并要求這兩家公司提供通用HBM4芯片樣品。特斯拉此次欲采購通用HBM4芯片，是為了強化超級電腦
三星電子或2026年將HBM4基底技術(shù)生產(chǎn)外包給臺積電
據(jù)媒體報道，摩根士丹利（大摩）的分析指出，三星電子預計將于2026年將其HBM4基底技術(shù)的生產(chǎn)外包給臺積電，并計劃采用
GPU集成12顆HBM4，臺積電CoWoS-L、CoW-SoW技術(shù)演進
芯片堆疊在晶圓上。這一技術(shù)的推進是為了應(yīng)對更強大的人工智能芯片以及AI趨勢下集成更多HBM存儲芯片的需求。 ? 臺積電的InFO-SoW已經(jīng)
三星與臺積電合作開發(fā)無緩沖HBM4 AI芯片
在科技日新月異的今天，三星電子與臺積電兩大半導體巨頭的強強聯(lián)合再次引發(fā)業(yè)界矚目。據(jù)最新報道，雙方正攜手并進，共同開發(fā)下一代高帶寬存儲器（HBM4
三星攜手臺積電,共同研發(fā)無緩沖HBM4 AI芯片技術(shù)
據(jù)最新報道，三星電子與臺積電攜手共謀AI芯片的未來，雙方正緊密合作開發(fā)下一代高帶寬存儲器（HBM4）芯片，旨在鞏固并加強各自在快速增長的人工智能芯片市場中的領(lǐng)先地位。
三星電子加速推進HBM4研發(fā)，預計明年底量產(chǎn)
三星電子在半導體技術(shù)的創(chuàng)新之路上再邁堅實一步，據(jù)業(yè)界消息透露，該公司計劃于今年年底正式啟動第6代高帶寬存儲器（HBM4）的流片工作。這一舉措標志著三星電子正緊鑼密鼓地為明年年底實現(xiàn)12
臺積電歐洲首座晶圓廠開建，獲歐盟50億歐元資助
臺積電在全球范圍內(nèi)擴展其半導體制造版圖的步伐再次加快，8月20日，公司宣布在德國德累斯頓正式啟動
工商網(wǎng)監(jiān)
評論