近日，日本市場(chǎng)研究公司富士經(jīng)濟(jì)發(fā)表了一份研究報(bào)告《功率器件晶圓市場(chǎng)的最新趨勢(shì)和技術(shù)趨勢(shì)》，總結(jié)了功率半導(dǎo)體晶圓市場(chǎng)的研究結(jié)果。報(bào)告稱(chēng)，2024年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將比上年增長(zhǎng)23.4%，達(dá)到2813億日元。

盡管硅功率半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)因庫(kù)存調(diào)整而較上年下滑，但SiC（碳化硅）裸片銷(xiāo)量的快速增長(zhǎng)成為推動(dòng)整體市場(chǎng)增長(zhǎng)的關(guān)鍵因素。SiC裸片銷(xiāo)量預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng)56.9%，超過(guò)硅片市場(chǎng)。：

從2025年起，隨著功率半導(dǎo)體需求的不斷增長(zhǎng)，市場(chǎng)預(yù)計(jì)將進(jìn)一步擴(kuò)大。特別是，汽車(chē)電動(dòng)化帶來(lái)的需求增加將推動(dòng)SiC裸片成為長(zhǎng)期市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力，而硅片也有望擺脫產(chǎn)量調(diào)整的影響。

隨著功率半導(dǎo)體需求的增加，晶圓的直徑也在不斷增加。除了轉(zhuǎn)向300mm硅晶圓外，SiC裸晶圓市場(chǎng)預(yù)計(jì)從2025年起，8英寸（200mm）晶圓將開(kāi)始占據(jù)重要地位。

GaN（氮化鎵）晶圓直徑的增加以及氧化鎵晶圓開(kāi)始量產(chǎn)等附加內(nèi)容也被視為未來(lái)市場(chǎng)發(fā)展的重要趨勢(shì)。

預(yù)計(jì)到2035年，功率半導(dǎo)體晶圓市場(chǎng)規(guī)模將擴(kuò)大至10,763億日元，是2023年的4.7倍。這主要得益于SiC裸片、GaN晶圓和氧化鎵晶圓等技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展和應(yīng)用。