摘要
AEC-Q100認(rèn)證是汽車(chē)電子行業(yè)廣泛認(rèn)可的車(chē)規(guī)芯片可靠性標(biāo)準(zhǔn),涵蓋了多種測(cè)試項(xiàng)目,以確保芯片在汽車(chē)應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠性。本文詳細(xì)解析了AEC-Q100認(rèn)證的關(guān)鍵測(cè)試項(xiàng)目,包括高溫工作壽命測(cè)試、溫度循環(huán)測(cè)試、高濕度存儲(chǔ)測(cè)試、軟錯(cuò)誤率(SER)測(cè)試等,并結(jié)合國(guó)內(nèi)外多個(gè)實(shí)際芯片案例,探討了這些測(cè)試項(xiàng)目對(duì)車(chē)規(guī)芯片可靠性的影響。
1. 引言
隨著汽車(chē)電子系統(tǒng)的復(fù)雜性和重要性不斷增加,車(chē)規(guī)芯片需要在復(fù)雜的環(huán)境條件下保持高可靠性和穩(wěn)定性。AEC-Q100認(rèn)證作為車(chē)規(guī)芯片的重要標(biāo)準(zhǔn),涵蓋了多種測(cè)試項(xiàng)目,以確保芯片在汽車(chē)應(yīng)用中的可靠性和耐用性。本文將詳細(xì)解析AEC-Q100認(rèn)證的關(guān)鍵測(cè)試項(xiàng)目,并結(jié)合國(guó)內(nèi)外多個(gè)實(shí)際芯片案例,探討這些測(cè)試項(xiàng)目對(duì)車(chē)規(guī)芯片可靠性的影響。
2. AEC-Q100認(rèn)證概述
AEC-Q100認(rèn)證是針對(duì)汽車(chē)電子芯片(集成電路)的主要質(zhì)量和可靠性認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)。它定義了對(duì)芯片的環(huán)境、機(jī)械、電氣等方面的測(cè)試要求,確保芯片在極端環(huán)境條件下的可靠性和性能。AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試項(xiàng)目可分為四大類(lèi),覆蓋芯片全生命周期失效風(fēng)險(xiǎn)。
2.1 測(cè)試類(lèi)別
測(cè)試類(lèi)別 | 典型測(cè)試項(xiàng)目 | 目的 |
---|---|---|
加速環(huán)境應(yīng)力測(cè)試 | 高溫工作壽命(HTOL)、溫度循環(huán)(TC) | 驗(yàn)證芯片在溫度劇烈變化下的耐久性 |
加速壽命模擬測(cè)試 | 高溫高濕反向偏壓(THB)、高加速應(yīng)力測(cè)試(HAST) | 評(píng)估濕度對(duì)封裝和金屬互連的腐蝕風(fēng)險(xiǎn) |
封裝完整性測(cè)試 | 機(jī)械沖擊(Mechanical Shock)、振動(dòng)測(cè)試 | 檢測(cè)封裝結(jié)構(gòu)在機(jī)械應(yīng)力下的失效 |
電氣特性驗(yàn)證測(cè)試 | 靜電放電(ESD)、閂鎖效應(yīng)(Latch-Up) | 確保芯片抗電氣過(guò)應(yīng)力能力 |
3. 關(guān)鍵測(cè)試項(xiàng)目解析
3.1 高溫工作壽命測(cè)試(HTOL)
高溫工作壽命測(cè)試用于評(píng)估芯片在高溫條件下的工作壽命和可靠性。測(cè)試條件通常為高溫(如125℃或150℃)和額定工作電壓,測(cè)試時(shí)間一般為1000小時(shí)或更長(zhǎng)時(shí)間。通過(guò)高溫工作壽命測(cè)試,可以加速芯片的失效過(guò)程,提前發(fā)現(xiàn)芯片在高溫條件下可能出現(xiàn)的失效模式,例如熱穩(wěn)定性問(wèn)題、器件老化等。
3.2 溫度循環(huán)測(cè)試(TC)
溫度循環(huán)測(cè)試用于評(píng)估芯片在溫度變化條件下的性能和可靠性。測(cè)試過(guò)程中,芯片需要在高溫和低溫之間進(jìn)行多次循環(huán),例如從-40℃到125℃,循環(huán)次數(shù)通常為1000次或更多。溫度循環(huán)測(cè)試可以模擬芯片在汽車(chē)實(shí)際使用過(guò)程中可能遇到的溫度變化,例如汽車(chē)啟動(dòng)時(shí)的低溫環(huán)境和發(fā)動(dòng)機(jī)運(yùn)行時(shí)的高溫環(huán)境。
3.3 高濕度存儲(chǔ)測(cè)試(HAST)
高濕度存儲(chǔ)測(cè)試用于評(píng)估芯片在高濕度條件下的存儲(chǔ)壽命和可靠性。測(cè)試條件通常為高溫(如85℃)和高濕度(如85%相對(duì)濕度),測(cè)試時(shí)間一般為1000小時(shí)或更長(zhǎng)時(shí)間。高濕度存儲(chǔ)測(cè)試可以模擬芯片在高濕度環(huán)境下的存儲(chǔ)條件,例如汽車(chē)在潮濕環(huán)境中的長(zhǎng)期停放。
3.4 軟錯(cuò)誤率(SER)測(cè)試
軟錯(cuò)誤率測(cè)試是AEC-Q100認(rèn)證中針對(duì)芯片在輻射環(huán)境下可靠性的重要評(píng)估項(xiàng)目。軟錯(cuò)誤是指電子元器件在受到電離輻射(如大氣中子、α粒子等)影響時(shí),內(nèi)部存儲(chǔ)或邏輯狀態(tài)發(fā)生非預(yù)期改變的現(xiàn)象。這種錯(cuò)誤不會(huì)損壞元器件本身,但可能導(dǎo)致系統(tǒng)運(yùn)行異常。在AEC-Q100的測(cè)試體系中,軟錯(cuò)誤率測(cè)試(SER)可以評(píng)估電子元器件在實(shí)際使用環(huán)境中因輻射導(dǎo)致錯(cuò)誤發(fā)生的概率,從而為汽車(chē)電子系統(tǒng)的可靠性設(shè)計(jì)提供重要依據(jù)。
4. 實(shí)際芯片案例分析
4.1 國(guó)內(nèi)芯片案例
4.1.1 國(guó)科安芯AS32A601微控制器
國(guó)科安芯的AS32A601是一款基于32位RISC-V指令集的車(chē)規(guī)級(jí)MCU,其設(shè)計(jì)充分考慮了AEC-Q100的要求,具備多種電源管理模式,能夠在不同工作狀態(tài)下優(yōu)化功耗。此外,它還集成了多種安全機(jī)制,如ECC、FDU和FCU,確保芯片在故障情況下的安全運(yùn)行。在軟錯(cuò)誤率測(cè)試中,AS32A601表現(xiàn)出良好的抗輻射性能,滿足了汽車(chē)級(jí)芯片的可靠性要求。
4.1.2 極海半導(dǎo)體A系列MCU
極海半導(dǎo)體的A系列MCU一次性獲得了SGS機(jī)構(gòu)頒發(fā)的AEC-Q100認(rèn)證證書(shū)。這些MCU在設(shè)計(jì)中采用了多種可靠性增強(qiáng)技術(shù),包括多模冗余(TMR)技術(shù),以提高對(duì)軟錯(cuò)誤的抗性。在高溫工作壽命測(cè)試和溫度循環(huán)測(cè)試中,A系列MCU均表現(xiàn)出色,能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定工作。
4.1.3 南芯科技車(chē)規(guī)協(xié)議芯片
南芯科技最新推出的車(chē)規(guī)協(xié)議芯片通過(guò)了AEC-Q100嚴(yán)苛認(rèn)證。這些芯片在設(shè)計(jì)中優(yōu)化了封裝材料和存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì),有效降低了軟錯(cuò)誤率,確保了在汽車(chē)應(yīng)用中的可靠性。在高濕度存儲(chǔ)測(cè)試中,南芯科技的芯片表現(xiàn)出良好的抗潮氣性能,能夠在潮濕環(huán)境中長(zhǎng)期穩(wěn)定工作。
4.1.4 穩(wěn)先微電子高邊開(kāi)關(guān)
穩(wěn)先微電子的高邊開(kāi)關(guān)(HSD)產(chǎn)品獲得了SGS頒發(fā)的AEC-Q100認(rèn)證證書(shū)。該產(chǎn)品采用單芯片設(shè)計(jì),提供多種封裝形式,具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì),如獨(dú)創(chuàng)低功耗駐車(chē)模式、領(lǐng)先的電流采樣精度、高EAS/EAR性能等。在AEC-Q100認(rèn)證的測(cè)試中,該產(chǎn)品表現(xiàn)出色,滿足了汽車(chē)電子領(lǐng)域的高可靠性要求。
4.1.5 航順芯片HK32A040家族MCU
航順芯片的HK32A040家族MCU獲得了SGS頒發(fā)的AEC-Q100 Grade 1認(rèn)證證書(shū)。該系列產(chǎn)品采用32位ARM Cortex-M0內(nèi)核,主頻高達(dá)96MHz,配備124KB Flash和10KB SRAM,支持CAN通訊。其工作溫度范圍為-40℃至125℃,具有HBM6500高靜電防護(hù)能力,確保在惡劣環(huán)境下仍能穩(wěn)定運(yùn)行。在AEC-Q100認(rèn)證的測(cè)試中,該系列產(chǎn)品在高溫工作壽命測(cè)試、溫度循環(huán)測(cè)試和高濕度存儲(chǔ)測(cè)試中均表現(xiàn)出色。
4.1.6 微源半導(dǎo)體LPQ65131QVF電源管理芯片
微源半導(dǎo)體的LPQ65131QVF電源管理芯片獲得了SGS頒發(fā)的AEC-Q100認(rèn)證證書(shū)。該芯片應(yīng)用于車(chē)規(guī)級(jí)液晶顯示面板,集成了一路升壓正壓電源和一路升降壓負(fù)壓電源,支持多種液晶顯示面板工藝。其獨(dú)特的擴(kuò)展電荷泵架構(gòu)和完善的保護(hù)機(jī)制,確保了汽車(chē)顯示系統(tǒng)在各種復(fù)雜環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。在AEC-Q100認(rèn)證的測(cè)試中,該芯片在高溫工作壽命測(cè)試和溫度循環(huán)測(cè)試中表現(xiàn)出色。
4.2 國(guó)外芯片案例
4.2.1 恩智浦(NXP)TJA1050 CAN接口芯片
恩智浦的TJA1050是一款經(jīng)典的車(chē)規(guī)級(jí)CAN接口芯片,廣泛應(yīng)用于汽車(chē)的電子控制單元之間,能夠?qū)崿F(xiàn)高速、可靠的數(shù)據(jù)傳輸,支持高達(dá)1Mbps的通信速率。在AEC-Q100認(rèn)證的軟錯(cuò)誤率測(cè)試中,TJA1050表現(xiàn)出色,能夠在高輻射環(huán)境下保持?jǐn)?shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃浴?/p>
4.2.2 安世半導(dǎo)體(Nexperia)PESD1CAN ESD保護(hù)接口芯片
安世半導(dǎo)體的PESD1CAN是一款車(chē)規(guī)級(jí)ESD保護(hù)接口芯片,能夠有效防止靜電放電對(duì)汽車(chē)電子系統(tǒng)的損害,確保通信接口的穩(wěn)定性和可靠性。在AEC-Q100認(rèn)證的靜電放電測(cè)試中,PESD1CAN表現(xiàn)出良好的抗靜電性能,確保通信接口的穩(wěn)定性和可靠性。
4.2.3 英飛凌(Infineon)TLE7540多通道電源管理芯片
英飛凌的TLE7540是一款專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì)的多通道電源管理芯片,能夠?yàn)槠?chē)電子控制單元提供多種電壓和電流輸出,同時(shí)具備高效率和低功耗的特點(diǎn)。在AEC-Q100認(rèn)證的高溫工作壽命測(cè)試和溫度循環(huán)測(cè)試中,TLE7540均表現(xiàn)出色,能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定工作。
4.2.4 賽靈思(Xilinx)Zynq-7000系列FPGA
賽靈思的Zynq-7000系列FPGA是一款高性能的車(chē)規(guī)級(jí)FPGA,廣泛應(yīng)用于汽車(chē)的高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)和自動(dòng)駕駛領(lǐng)域。該系列FPGA具備強(qiáng)大的計(jì)算能力和豐富的接口資源,能夠滿足汽車(chē)電子系統(tǒng)對(duì)高性能和可靠性的要求。在AEC-Q100認(rèn)證的軟錯(cuò)誤率測(cè)試中,Zynq-7000系列FPGA表現(xiàn)出色,能夠在高輻射環(huán)境下保持系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。
4.2.5 德州儀器(TI)TPS62840降壓穩(wěn)壓器
德州儀器的TPS62840是一款車(chē)規(guī)級(jí)降壓穩(wěn)壓器,具備高效率和低功耗的特點(diǎn),適用于汽車(chē)電子系統(tǒng)中的電源管理。在AEC-Q100認(rèn)證的高溫工作壽命測(cè)試和溫度循環(huán)測(cè)試中,TPS62840均表現(xiàn)出色,能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定工作。
5. 關(guān)鍵測(cè)試項(xiàng)目詳細(xì)解析
5.1 高溫工作壽命測(cè)試(HTOL)
高溫工作壽命測(cè)試是AEC-Q100認(rèn)證中非常重要的一項(xiàng)測(cè)試,用于評(píng)估芯片在高溫條件下的工作壽命和可靠性。測(cè)試條件通常為高溫(如125℃或150℃)和額定工作電壓,測(cè)試時(shí)間一般為1000小時(shí)或更長(zhǎng)時(shí)間。通過(guò)高溫(Grade 1為125℃)與額定電壓下的持續(xù)工作,加速芯片老化過(guò)程,模擬10-15年使用壽命,例如熱穩(wěn)定性問(wèn)題、器件老化等。
測(cè)試方法 :
溫度 :通常設(shè)置為125℃或150℃。
電壓 :額定工作電壓。
時(shí)間 :1000小時(shí)或更長(zhǎng)時(shí)間。
監(jiān)測(cè)參數(shù) :電氣性能、功能穩(wěn)定性。
5.2 溫度循環(huán)測(cè)試(TC)
溫度循環(huán)測(cè)試用于評(píng)估芯片在溫度變化條件下的性能和可靠性。測(cè)試過(guò)程中,芯片需要在高溫(Grade 1為125℃)和低溫之間進(jìn)行多次循環(huán),例如從-40℃到125℃,循環(huán)次數(shù)通常為1000次或更多。溫度循環(huán)測(cè)試可以模擬芯片在汽車(chē)實(shí)際使用過(guò)程中可能遇到的溫度變化,例如汽車(chē)啟動(dòng)時(shí)的低溫環(huán)境和發(fā)動(dòng)機(jī)運(yùn)行時(shí)的高溫環(huán)境。
測(cè)試方法 :
溫度范圍 :從-40℃到125℃。
循環(huán)次數(shù) :1000次或更多。
監(jiān)測(cè)參數(shù) :電氣性能、功能穩(wěn)定性。
5.3 濕度敏感性測(cè)試(THB/HAST)
高濕度存儲(chǔ)測(cè)試用于評(píng)估芯片在高濕度條件下的存儲(chǔ)壽命和可靠性。測(cè)試條件通常為高溫(如85℃)和高濕度(如85%相對(duì)濕度),測(cè)試時(shí)間一般為1000小時(shí)或更長(zhǎng)時(shí)間。高濕度存儲(chǔ)測(cè)試可以模擬芯片在高濕度環(huán)境下的存儲(chǔ)條件,例如汽車(chē)在潮濕環(huán)境中的長(zhǎng)期停放。
測(cè)試方法 :
測(cè)試類(lèi)型****? | ?條件? | ?目的? |
---|---|---|
THB | 85℃/85%RH +偏壓 | 評(píng)估金屬互連在濕熱偏壓下的電化學(xué)腐蝕風(fēng)險(xiǎn) |
HAST | 110℃/85%RH(無(wú)偏壓) | 加速驗(yàn)證封裝材料吸濕導(dǎo)致的爆米花效應(yīng) |
5.4 軟錯(cuò)誤率(SER)測(cè)試
軟錯(cuò)誤率測(cè)試是AEC-Q100認(rèn)證中針對(duì)芯片在輻射環(huán)境下可靠性的重要評(píng)估項(xiàng)目。軟錯(cuò)誤是指電子元器件在受到電離輻射(如大氣中子、α粒子等)影響時(shí),內(nèi)部存儲(chǔ)或邏輯狀態(tài)發(fā)生非預(yù)期改變的現(xiàn)象。這種錯(cuò)誤不會(huì)損壞元器件本身,但可能導(dǎo)致系統(tǒng)運(yùn)行異常。在AEC-Q100的測(cè)試體系中,軟錯(cuò)誤率測(cè)試(SER)可以評(píng)估電子元器件在實(shí)際使用環(huán)境中因輻射導(dǎo)致錯(cuò)誤發(fā)生的概率,從而為汽車(chē)電子系統(tǒng)的可靠性設(shè)計(jì)提供重要依據(jù)。
測(cè)試方法 :
輻射源 :通常使用激光模擬或者直接使用輻射源釋放中子或α粒子。
監(jiān)測(cè)參數(shù) :存儲(chǔ)單元或邏輯狀態(tài)的變化。
評(píng)估指標(biāo) :軟錯(cuò)誤率(SER)。
6. 測(cè)試結(jié)果對(duì)車(chē)規(guī)芯片可靠性的影響
6.1 高溫工作壽命測(cè)試(HTOL)
高溫工作壽命測(cè)試結(jié)果對(duì)車(chē)規(guī)芯片的可靠性有直接影響。通過(guò)在高溫條件下長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行,可以加速芯片的失效過(guò)程,提前發(fā)現(xiàn)芯片在高溫條件下可能出現(xiàn)的失效模式。如果芯片在測(cè)試過(guò)程中出現(xiàn)性能下降或失效,將無(wú)法通過(guò)該測(cè)試項(xiàng)目,表明其在高溫環(huán)境下的可靠性不足。
6.2 溫度循環(huán)測(cè)試(TC)
溫度循環(huán)測(cè)試結(jié)果對(duì)車(chē)規(guī)芯片的可靠性同樣重要。通過(guò)在高溫和低溫之間多次循環(huán),可以模擬芯片在汽車(chē)實(shí)際使用過(guò)程中可能遇到的溫度變化。如果芯片在測(cè)試過(guò)程中出現(xiàn)性能下降或失效,將無(wú)法通過(guò)該測(cè)試項(xiàng)目,表明其在溫度變化環(huán)境下的可靠性不足。
6.3 高濕度存儲(chǔ)測(cè)試(HAST)
高濕度存儲(chǔ)測(cè)試結(jié)果對(duì)車(chē)規(guī)芯片的可靠性也有重要影響。通過(guò)在高濕度條件下長(zhǎng)時(shí)間存儲(chǔ),可以模擬芯片在潮濕環(huán)境下的存儲(chǔ)條件。如果芯片在測(cè)試過(guò)程中出現(xiàn)性能下降或失效,將無(wú)法通過(guò)該測(cè)試項(xiàng)目,表明其在潮濕環(huán)境下的可靠性不足。
6.4 軟錯(cuò)誤率(SER)測(cè)試
軟錯(cuò)誤率測(cè)試結(jié)果對(duì)車(chē)規(guī)芯片的可靠性至關(guān)重要。通過(guò)在輻射環(huán)境下評(píng)估芯片的軟錯(cuò)誤率,可以提前發(fā)現(xiàn)芯片在實(shí)際使用環(huán)境中可能遇到的輻射問(wèn)題。如果芯片在測(cè)試過(guò)程中表現(xiàn)出較高的軟錯(cuò)誤率,將無(wú)法通過(guò)該測(cè)試項(xiàng)目,表明其在輻射環(huán)境下的可靠性不足。
7. 結(jié)論
AEC-Q100認(rèn)證是車(chē)規(guī)芯片可靠性的重要保障,通過(guò)一系列嚴(yán)格的測(cè)試項(xiàng)目,確保芯片在汽車(chē)應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠性。本文詳細(xì)解析了AEC-Q100認(rèn)證的關(guān)鍵測(cè)試項(xiàng)目,包括高溫工作壽命測(cè)試、溫度循環(huán)測(cè)試、高濕度存儲(chǔ)測(cè)試、軟錯(cuò)誤率測(cè)試等,并結(jié)合國(guó)內(nèi)外多個(gè)實(shí)際芯片案例,探討了這些測(cè)試項(xiàng)目對(duì)車(chē)規(guī)芯片可靠性的影響。通過(guò)這些測(cè)試,芯片能夠在汽車(chē)實(shí)際使用過(guò)程中長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作,滿足汽車(chē)制造商對(duì)芯片可靠性的嚴(yán)格要求。
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