元器件PIP（堆疊封裝）和PoP（堆疊組裝）的比較
1． PiP （Package In Package,堆疊封裝）
PiP一般稱堆疊封
2009-11-20 15:47:28
6429 技術(shù)成為實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)性能、帶寬和功耗等方面指標(biāo)提升的重要備選方案之一。對目前已有的晶圓級多層堆疊技術(shù)及其封裝過程進(jìn)行了詳細(xì)介紹; 并對封裝過程中的兩項(xiàng)關(guān)鍵工藝，硅通孔工藝和晶圓鍵合與解鍵合工藝進(jìn)行了分析
2022-09-13 11:13:053505 `描述PMP8411 將兩個緊湊的兩相 45A 轉(zhuǎn)換器堆疊到一個四相 90A POL 解決方案中。它適用于電信基礎(chǔ)設(shè)施中的 ASIC 處理器、工業(yè)和電信應(yīng)用中的 FPGA、通用高電流 POL 或采用
2015-05-08 15:05:28
由于更高的集成度、更快的處理器運(yùn)行速度以及更小的特征尺寸，內(nèi)核及I/O電壓的負(fù)載點(diǎn)(POL)處理器電源設(shè)計(jì)變得越來越具挑戰(zhàn)性。處理器技術(shù)的發(fā)展必須和POL電源設(shè)計(jì)技術(shù)相匹配。5年或10年以前
2011-09-05 15:36:30
可以使PCB面積減小40-50%，或者說，對于相同的封裝尺寸，輸出電流可以增加到35A。 本文將證明在采用數(shù)字控制技術(shù)時，這些估計(jì)實(shí)際上還太過保守，甚至有可能實(shí)現(xiàn)更高的功率和電流密度。??除了考慮POL
2021-10-09 06:30:00
每個器件都有一個最大的功率極限，不管是有源器件（如放大器），還是無源器件（如電纜或?yàn)V波器）。理解功率在這些器件中如何流動有助于在設(shè)計(jì)電路與系統(tǒng)時處理更高的功率電平。它能處理多大的功率這是對發(fā)射機(jī)中
2019-06-21 07:43:10
堆疊類功率放大器的輸出阻抗怎么求呢？是要用S參數(shù)的S22仿真嗎？還是要用loadpull求呢？如果想知道在加入扼流圈電感之前的堆疊PA的輸出阻抗，這又怎么求呢？
2021-06-25 07:51:41
圖1：T0-220形狀因子的高效5V，1A開關(guān)電源設(shè)計(jì) “積少成多”——這是我們一貫堅(jiān)持的目標(biāo)，對于電器功耗來說尤其如此。作為設(shè)計(jì)師，您的目標(biāo)是獲得更多的電流為更多的子系統(tǒng)供電，同時降低總體功耗。為
2019-03-06 06:45:02
的穩(wěn)態(tài)和動態(tài)相間電流平衡。它可以驅(qū)動三個 TI NexFET 智能功率級以獲得高功率密度和效率。它可以輕松地進(jìn)行伸縮以適應(yīng)大負(fù)載范圍。PMBus 功能和板載 NVM 有助于進(jìn)行輕松設(shè)計(jì)、配置和定制
2018-12-20 14:31:53
MOSFET的新一代MOSFET，在給定的硅面積中具有更低電阻率（R DS(on)），以實(shí)現(xiàn)更高的電流容量。我們的PowerStack?封裝技術(shù)將集成電路（IC）和MOSFET相互堆疊（見圖1），以提供能夠供應(yīng)
2019-07-31 04:45:11
朝著更高功率密度、更高能效的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)方向前進(jìn)，需要采用SuperSO8、S3O8 或DirectFET/CanPAK等全新封裝代替有管腳的SMD封裝或適用于低壓MOSFET的過孔器件。由于存在封裝
2018-12-07 10:21:41
描述TPS50601-SP MINI POL轉(zhuǎn)換器旨在演示可以通過單面布局獲得的更小型封裝。如果在雙面布局中配置，還可以進(jìn)一步減小封裝。對于帶有建議空間合格組件的 Mini POL，附加了參考原理圖
2022-09-23 07:41:03
小型的POL解決方案，適用于為高耗電CPU、SoC、FPGA供電的高電流電源系統(tǒng)。其尺寸很小，并可優(yōu)化功率效率，導(dǎo)致自發(fā)熱很低，因而其可以非常靠近負(fù)載。它可以輕松并聯(lián)，在多相解決方案中使用多個
2021-12-01 09:38:22
1、什么是堆疊設(shè)計(jì)也稱作系統(tǒng)設(shè)計(jì)，根據(jù)產(chǎn)品規(guī)劃，產(chǎn)品定義的要求，為實(shí)現(xiàn)一定的功能，設(shè)計(jì)出合理可靠的具備可量產(chǎn)性的PCB及其周邊元器件擺放的一種方案。2、堆疊工程師一般由結(jié)構(gòu)工程師進(jìn)行堆疊，有些公司
2021-11-12 08:17:17
熱性能。
采用裸露堆疊式電感的3D封裝：保持較小的占位面積，提高功率，完善散熱
較小的PCB占位面積、更高的功率和更好的散熱性能——有了3D封裝（一種新型POL調(diào)節(jié)器構(gòu)造方法，見圖1），可以同時實(shí)現(xiàn)
2019-07-22 06:43:05
元器件內(nèi)芯片的堆疊大部分是采用金線鍵合的方式（Wire Bonding），堆疊層數(shù)可以從2～8層）。 STMICRO聲稱，誨今厚度到40μm的芯片可以從2個堆疊到8個（SRAM，Hash
2018-09-07 15:28:20
+/-1.5% 范圍內(nèi)的支持 DCAP3 的快速瞬態(tài)響應(yīng)PMBus 控制的輸出電壓調(diào)節(jié)、軟啟動、通電延遲、開關(guān)頻率、UVLO 和故障報(bào)告PowerStack 封裝，便于對內(nèi)部 PCB GND 層進(jìn)行散熱，并獲得出色的熱力性能
2018-11-12 15:17:27
，從而形成可靠的解決方案來提供 100 A 或更高的負(fù)載電流。主要特色有助于在 100 A 或更高的極高直流電流下提供低電源電壓較少的外部組件數(shù)在小型封裝中實(shí)現(xiàn)高功率密度高電流設(shè)計(jì)，采用經(jīng)過全面測試和合格的電源模塊
2018-08-22 07:51:17
工作模式可減小輸入和輸出波紋斷續(xù)電流限制及自動恢復(fù)可與外部時鐘同步可堆疊，以實(shí)現(xiàn)更高的電流均流準(zhǔn)確度達(dá) +/- 10%可編程輸入欠壓鎖定
2018-11-13 11:49:44
、方向和參數(shù)化都必須經(jīng)過優(yōu)化才能獲得期望的結(jié)果。同時，該工具還必須考慮流經(jīng)每個器件的電流，從而最大限度地降低互連的復(fù)雜性和長度。模擬版圖設(shè)計(jì)總是需要仔細(xì)平衡多個競爭優(yōu)先事項(xiàng)，沒有一種行事方式能在所有情況下都有效。
2021-10-12 16:11:28
描述PMP8411 將兩個緊湊的兩相 45A 轉(zhuǎn)換器堆疊到一個四相 90A POL 解決方案中。它適用于電信基礎(chǔ)設(shè)施中的 ASIC 處理器、工業(yè)和電信應(yīng)用中的 FPGA、通用高電流 POL 或采用雙
2018-08-16 07:42:58
這款昂貴的穩(wěn)壓器必須降額到很低的輸出電流值，那么會不會因輸出功率能力減弱而使該器件的高價格不再合理?最后一個需要考慮的因素是這款 POL 穩(wěn)壓器是否易于冷卻。數(shù)據(jù)表中提供的封裝熱阻值是仿真和計(jì)算該器件
2018-10-16 06:10:07
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-03-01 09:52:45
：出色的熱傳導(dǎo)
具裸露疊置電感器的 3D 封裝：占板面積很小、功率提高、散熱性能改善
采用 3D 封裝這種構(gòu)造 POL 穩(wěn)壓器的新方法，可以同時獲得 PCB占板面積很小、功率更大、熱性能更高這 3 個
2018-10-16 06:31:24
與封裝材料。大的耗散功率，大的發(fā)熱量，高的出光效率給LED封裝工藝，封裝設(shè)備和封裝材料提出了新的更高的要求。要想得到大功率LED器件就必須制備合適的大功率LED芯片，國際上通常的制造大功率LED芯片
2013-06-10 23:11:54
如何使用 24 位轉(zhuǎn)換器去除增益模塊，從而獲得更高的性能？
2021-04-07 06:47:48
怎樣選擇低溫運(yùn)行、大功率、可擴(kuò)展的POL穩(wěn)壓器并節(jié)省電路板空間如何減少PCB上DC/DC轉(zhuǎn)換器封裝的熱量？
2021-03-10 06:45:29
我們是否能夠校準(zhǔn) RTC 以獲得更高的準(zhǔn)確性？如何解決STM32F407VG RTC精度問題？
2022-12-28 11:13:45
的PCB面積，又能改善熱性能。采用裸露堆疊式電感的3D封裝：保持較小的占位面積，提高功率，完善散熱較小的PCB占位面積、更高的功率和更好的散熱性能——有了3D封裝（一種新型POL調(diào)節(jié)器構(gòu)造方法，見圖1
2018-10-24 09:54:43
能。采用裸露堆疊式電感的3D封裝：保持較小的占位面積，提高功率，完善散熱較小的PCB占位面積、更高的功率和更好的散熱性能——有了3D封裝（一種新型POL調(diào)節(jié)器構(gòu)造方法，見圖1），可以同時實(shí)現(xiàn)這三個目標(biāo)
2018-10-24 10:38:26
）5mm×6mm FET這類更新的方形扁平無引線（QFN）封裝在硅片和源極管腳之間能提供更小的封裝電阻。單位面積的電阻較小意味著單位面積的傳導(dǎo)損耗較少，也意味著更高的電流能力和更高的功率密度。因此
2017-08-21 14:21:03
MS系列功率電感有何特征？常用電感封裝與電流有何關(guān)系？
2021-10-09 07:41:54
你好，我希望產(chǎn)生更高的時鐘頻率。我們使用PLL來獲得更高的電平，但接收的輸出數(shù)據(jù)位移位一位。使用內(nèi)部時鐘時，按正確的順序接收該位，同時使用PLL（并將乘法器和除法器常數(shù)保持為1 - 有效地在輸出端
2020-03-24 06:08:42
（諸如德州儀器的NexFET™ 電源MOSFET）具有較低的電阻率（Rdson），可提高電流能力。PowerStack™封裝技術(shù)可堆疊集成電路和MOSFET，多層
2018-08-31 08:44:53
形成可靠的解決方案來提供 100 A 或更高的負(fù)載電流。特性 有助于在 100 A 或更高的極高直流電流下提供低電源電壓較少的外部組件數(shù)在小型封裝中實(shí)現(xiàn)高功率密度高電流設(shè)計(jì)，采用經(jīng)過全面測試和合格的電源模塊
2022-09-21 06:38:43
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
MOSFET通過降低開關(guān)損耗和具有頂部散熱能力的DaulCool功率封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率,從而能夠獲得更高的功率密度?！ ±硐腴_關(guān) 在典型的同步降壓開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,MOSFET作為開關(guān)使用時
2012-12-06 14:32:55
功率MOSFET來說，通常連續(xù)漏極電流是一個計(jì)算值。當(dāng)器件的封裝和芯片的大小一定時，如對于底部有裸露銅皮的封裝TO220，D2PAK，DFN5*6，DPAK等，那么器件的結(jié)到裸露銅皮的熱阻RqJC是一
2016-08-15 14:31:59
。改用TrenchFET IV，能夠在兩個關(guān)鍵的地方獲得改善：效率提高1.5%以上，每個MOSFET處理的輸出電流更大。更高的輸出電流處理能力使設(shè)計(jì)者在能夠減小處理給定電流水平所需的MOSFET的數(shù)量
2013-12-31 11:45:20
隨著集成電路設(shè)計(jì)師將更復(fù)雜的功能嵌入更狹小的空間，異構(gòu)集成包括器件的3D堆疊已成為混合與連接各種功能技術(shù)的一種更為實(shí)用且經(jīng)濟(jì)的方式。作為異構(gòu)集成平臺之一，高密度扇出型晶圓級封裝技術(shù)正獲得越來越多
2020-07-07 11:04:42
描述TPS546C23 可為高電流直流/直流應(yīng)用提供適用于控制和同步功率級的單個 IC，并允許通過采用兩個相同部件使電流容量加倍。多相還有助于消除輸出紋波以及在給定開關(guān)頻率下進(jìn)行有效的更高帶寬控制
2018-09-27 09:06:37
這個功能。在非連續(xù)反向結(jié)構(gòu)中，為峰值電流設(shè)置限制可最終限制電源從輸入源獲得的功率。但是，限制輸入功率不會限制電源的輸出電流。如果出現(xiàn)過載故障時輸入功率保持不變，則隨著輸出電壓下降，輸出電流增加（P=V
2019-07-17 08:06:23
電動工具中直流電機(jī)的配置已從有刷直流大幅轉(zhuǎn)向更可靠、更高效的無刷直流（BLDC）解決方案轉(zhuǎn)變。斬波器配置等典型有刷直流拓?fù)渫ǔ８鶕?jù)雙向開關(guān)的使用與否實(shí)現(xiàn)一個或兩個功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
2019-08-01 08:16:08
給電阻和電容添加封裝時，功率是怎么選定的，比如axial0.4他的功率是多少呢？？？
2013-07-24 19:14:55
支架供電。然而，這些電路板上的大多數(shù)分支電路或集成電路要求在低于 1V 至 3.3V 的電壓范圍內(nèi)工作，電流范圍為數(shù)十毫安至數(shù)十安培。因此，需要負(fù)載點(diǎn) (POL) DC/DC 轉(zhuǎn)換器將 24V、12V
2019-05-13 14:11:41
芯片堆疊技術(shù)在SiP中應(yīng)用的非常普遍，通過芯片堆疊可以有效降低SiP基板的面積，縮小封裝體積?！ ⌒酒?b class="flag-6" style="color: red">堆疊的主要形式有四種： 金字塔型堆疊 懸臂型堆疊 并排型堆疊 硅通孔TSV型堆疊
2020-11-27 16:39:05
、麥克斯韋方程組以及極點(diǎn)和零點(diǎn)的深入理解，他們可以打造出優(yōu)雅的DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。然而，IC設(shè)計(jì)師通常會回避棘手的散熱問題——這項(xiàng)工作通常屬于封裝工程師的職責(zé)范圍。在負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器中，專用IC之間
2019-07-23 07:58:25
當(dāng)今世界，設(shè)計(jì)師們似乎永遠(yuǎn)不停地追求更高效率。我們希望以更低的功率輸入得到更高的功率輸出！更高的系統(tǒng)效率需要團(tuán)隊(duì)的努力，這包括（但不限于）性能更高的柵極驅(qū)動器、控制器和新的寬禁帶技術(shù)。特別是高電流
2019-08-07 04:45:12
的更高帶寬控制。PMP20489 參考設(shè)計(jì)展示了一種大電流五相 + 兩相應(yīng)用以及兩個板載動態(tài)負(fù)載。測試報(bào)告重點(diǎn)介紹了熱性能、動態(tài)響應(yīng)和效率。主要特色用于 POL 應(yīng)用并具有高速控制功能的完整大電流五相
2018-10-10 09:34:06
的芯片實(shí)現(xiàn)更高的電流。由于封裝性能對內(nèi)部芯片的制約作用減弱，不管是哪種方式，都可在降低成本的同事提高器件的性能。數(shù)十年來，能源一直是一種豐富的資源，但如今其供應(yīng)日益緊張。現(xiàn)在不缺的是二氧化碳，事實(shí)上，其
2019-05-13 14:11:51
？ 答案說起來非常簡單：提高效率并同時提高開關(guān)頻率。而實(shí)際上，這卻是一個很難解決的問題，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">更高的效率和更高開關(guān)頻率是互相排斥的。盡管如此，IR公司IR3847大電流負(fù)載點(diǎn)（POL ）集成穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)者
2018-09-26 15:51:48
集線器的堆疊
部分集線器具有堆疊功能。集線器堆疊是通過廠家提供的一條專用連接電纜，從一臺集線器的"UP"堆疊端口直接連接到另一臺集線器的"DOWN"堆疊端口
2010-01-08 10:15:161443 太陽能電池、電源管理器件、高亮度LED和RF功率晶體管的特性分析等高功率測試應(yīng)用經(jīng)常需要高電流，有時需要高達(dá)40A甚至更高的功率，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）將需要100A
2010-08-06 17:09:531287 
芯片堆疊封裝是提高存儲卡類產(chǎn)品存儲容量的主流技術(shù)之一，采用不同的芯片堆疊方案，可能會產(chǎn)生不同的堆疊效果。針對三種芯片堆疊的初始設(shè)計(jì)方案進(jìn)行了分析，指出了堆疊方案失
2012-01-09 16:14:14
42 標(biāo)簽： dcdc ， nexfet ， mosfet ， tps546c23 ， swift 電壓穩(wěn)壓器，特別是集成MOSFET的直流/直流轉(zhuǎn)換器，已從由輸入電壓、輸出電壓和電流限定的簡易、低功耗電壓調(diào)節(jié)器，發(fā)展到現(xiàn)在能夠提供更高功率、監(jiān)控操作環(huán)境且能相應(yīng)地適應(yīng)所處環(huán)境。
2019-10-12 17:36:00879 一般來講，尋求更大生活空間的居民會放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便，并能享受城市服務(wù)，但他們更愿意搬到郊區(qū)，因?yàn)槟抢锓孔痈螅鹤痈鼘挸?。同樣，?dāng)工程師需要大電流用于負(fù)載點(diǎn)(POL)設(shè)計(jì)時
2017-04-18 09:30:311096 
疊層放置MOSFET 的好處 為了克服分立方案的不足，TI 發(fā)明了Powerstack封裝技術(shù)。不局限于兩個維度，Powerstack封裝方案利用三個維度，把MOSFET 堆疊在一個創(chuàng)新的封裝
2017-06-07 09:37:547 非隔離降壓或降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器所需要的負(fù)載點(diǎn)（POL）監(jiān)管機(jī)構(gòu)的功率器件如微處理器、ASIC、FPGA、和其他半導(dǎo)體負(fù)載對系統(tǒng)板在電信、數(shù)據(jù)通信和工業(yè)應(yīng)用。由于在工藝技術(shù)、包裝、進(jìn)展和磁力，Buck變換器的解決方案已經(jīng)開發(fā)包中提供完整的電源（PSIP）。
2017-06-21 09:06:4935 本白皮書描述了一個執(zhí)行許多系統(tǒng)要求的前端AC-DC轉(zhuǎn)換的功率元件新的PFM如何實(shí)現(xiàn)Vicor的從AC到負(fù)載點(diǎn)（PoL）功率元件設(shè)計(jì)方法的應(yīng)用。文章還介紹了元件的性能，強(qiáng)調(diào)了VIA PFM如何有助于提供卓越靈活性、密度和效率的電源系統(tǒng)開發(fā)。
2017-09-15 17:03:017 POL穩(wěn)壓器之所以產(chǎn)生熱量，是因?yàn)闆]有電壓轉(zhuǎn)換效率能夠達(dá)到100%，封裝的熱阻不僅提高POL穩(wěn)壓器的溫度，還提高PCB及周圍組件的溫度，并使得系統(tǒng)散熱設(shè)計(jì)更加復(fù)雜。
2017-09-18 19:02:2011 宜普公司為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)師提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 m?氮化鎵功率晶體管（EPC2049），應(yīng)用于負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)（LiDAR）及具低電感的馬達(dá)驅(qū)動器。
2017-12-29 10:40:006493 集成是有好處的有很多原因，但每次集成度的增加通常都伴隨著對更多電力的需求。負(fù)載點(diǎn)電源（POL）穩(wěn)壓器很好地在需要處并以適當(dāng)?shù)碾娖教峁╇娏?，但也面臨著挑戰(zhàn)。
2018-07-05 15:54:294766 
POL 穩(wěn)壓器之所以產(chǎn)生熱量，是因?yàn)闆]有電壓轉(zhuǎn)換效率能夠達(dá)到 100%。這樣一來就產(chǎn)生了一個問題，由封裝結(jié)構(gòu)、布局和熱阻導(dǎo)致的熱量會有多大？ 封裝的熱阻不僅提高 POL 穩(wěn)壓器的溫度，還提高 PCB 及周圍組件的溫度，并使得系統(tǒng)散熱設(shè)計(jì)更加復(fù)雜。
2018-08-13 15:37:591495 技術(shù)的需求。有時 6 層板堆疊只是一種在板上獲得比 2 層或 4 層板所允許的走線更多的走線的方法?，F(xiàn)在，在 6 層堆疊中創(chuàng)建正確的層配置以最大化電路性能比以往任何時候都更為重要。 由于信號性能較差，未正確配置的 PCB 層堆疊會受到電磁干擾（ E
2020-09-14 01:14:166833 Durendal?工藝提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的方式進(jìn)行單個晶片堆疊，并能產(chǎn)出高良率以及穩(wěn)固可靠的連接。在未來，我們期待Durendal?工藝能促進(jìn)扇出型晶圓級封裝在單個晶片堆疊中得到更廣泛的應(yīng)用。
2020-12-24 17:39:43550 為什么需要 “綠色” POL DC/DC
2021-03-20 17:51:302 TI的Powerstack?封裝技術(shù)是一種簡單且獨(dú)特的3D封裝方案，它在許多應(yīng)用和系統(tǒng)里提升了電源管理器件的性能參數(shù)。本文會著重介紹Powerstack?技術(shù)的優(yōu)勢，實(shí)際應(yīng)用結(jié)果以及在未來的發(fā)展前景。
2021-04-16 16:43:367 LTM4600-10A DC/DC uModule在緊湊的封裝中提供更高的功率密度
2021-05-10 12:28:175 當(dāng)今世界，設(shè)計(jì)師們似乎永遠(yuǎn)不停地追求更高效率。我們希望以更低的功率輸入得到更高的功率輸出！更高的系統(tǒng)效率需要團(tuán)隊(duì)的努力，這包括（但不限于）性能更高的柵極驅(qū)動器、控制器和新的寬禁帶技術(shù)。
特別是
2021-12-20 14:09:141092 
為人口密集的系統(tǒng)選擇 POL 穩(wěn)壓器需要仔細(xì)檢查器件的額定電壓和電流強(qiáng)度。對其封裝的熱特性進(jìn)行評估至關(guān)重要，因?yàn)樗鼪Q定了冷卻成本、PCB 成本和最終產(chǎn)品尺寸。
2022-07-14 10:11:44841 
在芯片成品制造環(huán)節(jié)中，市場對于傳統(tǒng)打線封裝的依賴仍居高不下。市場對于使用多芯片堆疊技術(shù)、來實(shí)現(xiàn)同尺寸器件中的高存儲密度的需求也日益增長。這類需求給半導(dǎo)體封裝工藝帶來的不僅僅是工藝能力上的挑戰(zhàn)，也對工藝的管控能力提出了更高的要求。
2022-08-07 11:43:223393 電力電子領(lǐng)域的各種應(yīng)用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常高的工作電流、卓越的性能、穩(wěn)健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設(shè)計(jì)用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度，適用于當(dāng)今空間受限的高功率汽車應(yīng)用。
2022-08-09 08:02:112783 
“芯片堆疊”技術(shù)近段時間經(jīng)常聽到，在前段時間蘋果舉行線上發(fā)布會時，推出了號稱“史上最強(qiáng)”的Apple M1 ultra，這就是一種采用堆疊思路設(shè)計(jì)的芯片。
2022-08-11 15:39:029324 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMP8411將兩相45A轉(zhuǎn)換器堆疊到四相90A POL解決方案.zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-05 11:43:330 POL熱阻測量及SOA評估
2022-10-28 11:59:431 堆疊 PowerStack 封裝電流獲得更高功率 POL
2022-11-02 08:16:090 為人口稠密的系統(tǒng)選擇 POL 穩(wěn)壓器需要對器件的電壓和安培額定值進(jìn)行審查。評估其封裝的熱特性至關(guān)重要，因?yàn)樗鼪Q定了冷卻成本、PCB 成本和最終產(chǎn)品尺寸。3D（也稱為堆疊式垂直CoP）的進(jìn)步使高功率POL模塊穩(wěn)壓器能夠適應(yīng)較小的PCB尺寸，但更重要的是，可實(shí)現(xiàn)高效冷卻。
2023-01-03 15:49:021008 
的79dB PSRR（1MHz）。一些客戶要求將電流提高到200mA以上，同時仍保持低噪聲和高PSRR。本文探討了獲得更高輸出電流的三種方法，并提供了實(shí)用的輸入，以幫助您確定哪種方法最適合您的電路條件。這三種方式是：
2023-01-08 15:32:024178 
為什么芯片可以進(jìn)行堆疊呢？這里面我們講的主要是未經(jīng)過封裝的裸芯片。曾經(jīng)有用戶問我，封裝好的芯片可不可以進(jìn)行堆疊呢？一般來說是不可以的，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">封裝好的芯片引腳在下表面直接焊接到基板上，而裸芯片的引腳一般在芯片上表面，通過鍵合的方式連接到基板。
2023-02-11 09:44:181595 為了滿足更小的方案尺寸以降低系統(tǒng)成本，小型化和高功率密度成為了近年來DCDC和LDO的發(fā)展趨勢，這也對方案的散熱性能提出了更高的要求。本文借助業(yè)界比較成功的中壓DCDC TPS543820，闡述板上POL的熱阻測量方法及SOA評估方法。
2023-03-15 10:14:47550 
諸如網(wǎng)絡(luò)路由器、交換機(jī)、企業(yè)服務(wù)器和嵌入式工業(yè)系統(tǒng)等應(yīng)用的耗電量越來越高，需要30A、40A、60A或更高電流以用于它們的負(fù)載點(diǎn)（POL）設(shè)計(jì)。當(dāng)適應(yīng)控制器和外部MOSFET時，這些應(yīng)用極大地限制了主板空間。
2023-04-10 09:23:58657 
芯片合封是指將多個半導(dǎo)體芯片集成在一起，形成一個更大的芯片，以滿足更高的功率、更高的效率和更高的可靠性等應(yīng)用需求。芯片合封技術(shù)包括芯片堆疊、芯片封裝等多種方式。 芯片堆疊技術(shù)可以分為多種類型，包括
2023-04-12 10:14:251008 據(jù)漢思化學(xué)了解，隨著封裝尺寸的減小，3c行業(yè)移動電子產(chǎn)品的性能不斷得到擴(kuò)展，從而使堆疊封裝(PoP)器件在當(dāng)今的消費(fèi)類產(chǎn)品中獲得了日益廣泛的應(yīng)用。為了使封裝獲得更高的機(jī)械可靠性，需要對多層堆疊封裝
2023-07-24 16:14:45544 
芯片技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用概要，用于簡化芯片堆疊結(jié)構(gòu)及其形成方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備、芯片堆棧結(jié)構(gòu)的制造技術(shù)。該芯片的堆疊結(jié)構(gòu)至少包括兩個堆疊的芯片，每一個芯片包括電線層，電線層設(shè)有電具組。
2023-08-09 10:13:421369 
，扮演著非常重要的角色。 POL模塊電源一般指電源系統(tǒng)中位置固定，功率輸出相對固定的集成化電源模塊。其可以在半導(dǎo)體器件的條件下，通過輸出調(diào)節(jié)器件（DC-DC變換器）將直流電壓變換為目標(biāo)電源所需的電壓、電流輸出，使得電子器件得以
2023-09-14 10:53:31446 PoP一般稱堆疊組裝，又稱封裝上的封裝，還稱元件堆疊裝配。在底部元器件上面再放置元器件，邏輯＋存 儲通常為2～4層，存儲型PoP可達(dá)8層
2023-09-27 15:26:431144 
為什么電流反饋型運(yùn)放帶寬更高，壓擺率更高？ 電流反饋型運(yùn)放是一種常用的高性能運(yùn)放，它具有高帶寬和高壓擺率的優(yōu)點(diǎn)。這些優(yōu)點(diǎn)是由其結(jié)構(gòu)和工作原理所決定的。 首先，我們需要了解電流反饋型運(yùn)放的結(jié)構(gòu)
2023-10-30 10:11:31407 交換機(jī)為什么要堆疊？有哪些設(shè)備可以堆疊？如何建立堆疊？ 交換機(jī)的堆疊是一種將多個交換機(jī)連接在一起管理和操作的技術(shù)。通過堆疊，管理員可以將一組交換機(jī)視為一個虛擬交換機(jī)來進(jìn)行集中管理和配置，提供靈活性
2023-11-09 09:24:351140 對于評估低電壓大電流電源的輸出特性時，應(yīng)該準(zhǔn)備什么樣的電子負(fù)載裝置？另外，當(dāng)POL電源變?yōu)榈碗妷?，超出電子?fù)載裝置的電壓工作范圍時，又該如何應(yīng)對呢？
2023-11-15 16:42:381362 
什么是交換機(jī)堆疊？有哪些設(shè)備可以堆疊？如何建立堆疊？ 交換機(jī)堆疊是指將多個交換機(jī)通過特定的方法連接在一起，形成一個邏輯上的單一設(shè)備。堆疊可以實(shí)現(xiàn)多交換機(jī)的集中管理和統(tǒng)一配置，提供更高的可靠性和性能
2024-02-04 11:21:47378
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