非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:15
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前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術,徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45158 
CW32L052內部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用，可用來存儲應用程序和用戶數(shù)據(jù)。芯片支持對 FLASH 存儲器的讀、擦除和寫操作，支持擦寫保護和讀保護。芯片內置 FLASH 編程所需的高壓 BOOST 電路，無須額外提供編程電壓。
2024-02-28 17:43:59382 
EEPROM和FLASH總體差異 ????部分MCU片內不帶程序存儲器ROM，可執(zhí)行代碼只能放在外面的EEPROM、FLASH(外擴)中； ????單片機對于數(shù)據(jù)的處理和系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)采集，需要考慮
2024-02-27 08:37:26106 
Flash存儲器的寫操作具有特殊性，它只能將數(shù)據(jù)位從1寫成0，而不能從0寫成1。因此，在對存儲器進行寫入操作之前，必須先執(zhí)行擦除操作，將預寫入的數(shù)據(jù)位初始化為1。
2024-02-19 11:37:28536 
與主存儲器（內存）和輔助存儲器（外存）有不同的特點和應用場景。 首先，我們來詳細了解ROM的特點和分類。ROM是一種非易失性存儲器，這意味著即使在斷電或重啟系統(tǒng)后，存儲在ROM中的數(shù)據(jù)仍然保持完整。這是由于ROM的存儲單元是由非可更改的電路或柵電勢器構成
2024-02-05 10:05:10738 電量計算公式多少度電？ 電量計算公式是通過電壓和電流的乘積來計算的，單位為瓦特-小時（Wh）。公式為： 電量（Wh）= 電壓（V） × 電流（A） × 使用時間（小時） 其中，電壓是指電流通過的電器
2024-02-03 14:42:434750 stm32 flash寫數(shù)據(jù)怎么存儲的? STM32是一款廣泛應用于嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的微控制器，它的Flash存儲器是其中一個重要的組成部分。在本文中，我將詳細介紹STM32 Flash的存儲機制
2024-01-31 15:46:03419 1) 允許一個物理內存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
單片機為何需要Flash和EEPROM？它們有何作用？ 單片機是一種集成電路，具有處理器核心、內存和外設等功能，通常用于嵌入式系統(tǒng)中。Flash和EEPROM則是單片機中常用的存儲器類型，它們具有
2024-01-18 11:43:40551 隨著人們對計算機和電子設備的需求不斷增長，存儲器的種類也越來越多。其中，RAM（Random Access Memory，隨機訪問存儲器）是計算機中最常用的一種存儲器。RAM可以分為兩種類型，一種
2024-01-12 17:27:15513 ，STM32F103的Flash存儲器可以模擬EEPROM的功能，在本文中我們將詳細介紹如何使用STM32F103的Flash存儲器來實現(xiàn)EEPROM。 概述 EEPROM（Electrically
2024-01-09 11:21:36372 LTM4620給fpga提供1.0V內核電源，4620輸出電容量計算是否應該包含布局在fpga芯片附近的bulk電容？
靠近FPGA布局的電容也比較大，比如470uF。但這些電容隔4620布局比較遠，大于7cm。通過內電層鋪銅連接。
2024-01-05 06:01:47
要求使用其他存儲設備，如Flash存儲器，來存儲數(shù)據(jù)。 Flash存儲器是一種非易失性存儲器，能夠長時間保存數(shù)據(jù)，即使在斷電情況下也能保存數(shù)據(jù)。它具有較高的讀寫速度和較低的功耗，適用于FPGA的數(shù)據(jù)存儲需求。 FPGA上的Flash存儲器一般通過SPI（串行
2023-12-15 15:42:51543 需要在設計和開發(fā)過程中遵循一些最佳實踐。本文將詳細介紹如何最大限度地利用MCU的NVM。 1.選擇適當?shù)?b class="flag-6" style="color: red">存儲器類型： MCU的NVM通常有多種類型可供選擇，例如閃存（
Flash）、
EEPROM（電可擦除可編程只讀
存儲器）和FRAM（非易失性RAM）。根據(jù)需要，選擇適當?shù)?/div>
2023-12-15 10:10:49503 您好，最近采用AD5933進行阻抗測量，電路如下圖：
編程控制Vout 為2Vp-p，30kHz；PGA=1；校準電阻10k 測量計算后的阻值會隨實際值增大而增大，但不成比例；具體數(shù)值如下：
請問出現(xiàn)這種問題的原因是什么？
2023-12-12 07:38:04
銅排是工業(yè)中常用的一種導電材料，通常用于電路板、電纜和電器設備中。在設計和使用銅排的過程中，需要準確計算其載流量，以確保其正常工作和安全可靠。本文將詳細介紹銅排載流量的計算方法。 銅排載流量計算
2023-12-08 14:06:232057 在計算機和電子設備中廣泛使用。EEPROM和Flash Memory有很多共同之處，比如它們都屬于非易失性存儲器，可以在斷電后保留數(shù)據(jù)。然而，它們也有一些關鍵的區(qū)別，包括擦除方式、寫入速度、使用壽命
2023-12-07 16:10:20516 NOR FLASH是一種非易失性存儲技術，對計算機存儲具有重大影響，閃存其獨特的特性和功能影響著計算機存儲系統(tǒng)的各個方面
2023-12-05 10:32:31332 明渠流量計廣泛應用于城市供水引水渠、火電廠冷卻水引水和排水渠、污水治理流入等流量的測量。智能明渠流量計系統(tǒng)的測量是通過旋槳式流速傳感器來測量流速；通過壓力傳感器測量水位；采用鐵電存儲器實現(xiàn)了數(shù)據(jù)的非
2023-11-27 10:17:05
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于非易失性存儲器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器.pdf》資料免費下載
2023-11-24 16:04:35
0 閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17911 
半導體存儲器用于數(shù)據(jù)存儲。按照電源在關斷后數(shù)據(jù)是否依舊被保存的方式區(qū)分，存儲器可分為非易失性存儲器 (Non-volatile Memory，NVM)和易失性存儲器 （volatile Memory
2023-11-16 09:14:06413 單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
什么才是嵌入式Flash的邊界？ 嵌入式Flash是一種非易失性存儲器，常用于嵌入式電子設備中，如智能手機、平板電腦、數(shù)碼相機、車載娛樂系統(tǒng)等。它與傳統(tǒng)的機械硬盤和閃存存儲器不同，具有高速、低功耗
2023-10-29 17:29:44250 為什么Nor Flash可以實現(xiàn)XIP，而Nand flash就不行呢？ Flash存儲器是一種常用的非易失性存儲器，廣泛應用于各種電子設備中。它們的價值在于它們可以快速讀取和寫入數(shù)據(jù)，同時因為沒有
2023-10-29 16:32:58646 快閃存儲器（flash memory），是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。它是一種非易失性存儲器，即斷電數(shù)據(jù)也不會丟失。
2023-10-24 15:19:17498 
在工業(yè)應用中經(jīng)常使用EEPROM來存儲數(shù)據(jù)，為降低成本、節(jié)省PCB空間，外部EEPROM可以用片內Flash加上特定的軟件算法代替。
2023-10-23 17:40:301009 
EEPROM（帶電可擦可編程只讀存儲器）是用戶可更改的只讀存儲器，可通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。不像EPROM芯片，EEPROM不需從計算機中取出即可修改。在一個EEPROM
2023-10-23 17:08:07357 
使用MCU Flash模擬EEPROM
2023-10-18 18:01:17383 內存地址空間是否一定大于所有物理存儲器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存儲器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
在了解電量計算法之前，我們需要先了解一些電池、電量計領域常見專有名詞的縮寫定義。
2023-10-16 16:23:181316 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何對STM8S和STM8A閃存程序存儲器和數(shù)據(jù)EEPROM進行編程.pdf》資料免費下載
2023-10-07 16:05:500 隨著信息技術的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個領域得到了廣泛應用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結構特點、性能指標及應用領域進行詳細解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應用。
2023-09-27 17:46:06490 與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 由于車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
概述在MCU的使用中，經(jīng)常遇到需要存儲參數(shù)或掉電保持數(shù)據(jù)等功能。其中，Flash和EEPROM是常見的非易失性存儲器，都可以做到設備掉電重啟后，數(shù)據(jù)還會保留。但二者有明顯的區(qū)別：EEPROM可以
2023-09-22 08:19:23676 
概 述 在MCU的使用中，經(jīng)常遇到需要存儲參數(shù)或掉電保持數(shù)據(jù)等功能。其中，Flash和EEPROM是常見的非易失性存儲器，都可以做到設備掉電重啟后，數(shù)據(jù)還會保留。但二者有明顯的區(qū)別：EEPROM可以
2023-09-21 09:15:04783 在MCU的使用中，經(jīng)常遇到需要存儲參數(shù)或掉電保持數(shù)據(jù)等功能。其中，Flash和EEPROM是常見的非易失性存儲器
2023-09-21 09:14:39812 )。而ROM則是非易失性存儲器， ROM可分為EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)、flash memory等。
2023-09-15 15:59:02668 
Flash存儲器是一種非易失性存儲器，即使在供電電源關閉后仍能保持片內信息。
2023-09-09 16:22:282617 STM32 F7 概述? STM32總線架構和存儲器映射? 總線架構? 存儲器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復位和時鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
單片機內存資源通常包括ram(隨機訪問存儲器)和Flash存儲器。ram用于運行時數(shù)據(jù)和堆棧，而Flash存儲器用于存儲程序代碼和只讀數(shù)據(jù)。這兩者的資源都是有限的，因此必須謹慎使用，以免浪費和不必要的內存占用。
2023-08-30 15:47:23261 Flash是存儲芯片的一種，在電子及半導體領域內表示為Flsah Memory，全稱為Flash EEPROM Memeory，即我們平時說的“閃存”。它結合了ROM和RAM的優(yōu)點，具備電子可擦除
2023-08-24 12:35:053181 
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對非易失性存儲器的需求增加，因為非易失性存儲器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲設備
2023-08-24 10:05:59
: NuMaker-PFM-M487 VER 3.0
在樣本代碼中, M480 是一個 USB 2. 0 閃存驅動器。它使用 SPIM 接口作為 SPI Flash 的后端存儲器,并有一個文件系統(tǒng)。此函數(shù)可以作為SD卡的存儲
2023-08-23 06:05:19
FLASH，指Flash Memory，是一種非易失性存儲器（閃存），掉電能正常保存數(shù)據(jù)。
2023-08-16 12:22:211442 
最開始參加工作的時候，經(jīng)常聽到有需求說XX參數(shù)存到EEPROM，XX事件保存在FLASH中，當時只是覺得這兩個東西都是可以用來存數(shù)據(jù)，應該大差不差。那真是這樣么？這篇就來說說EEPROM和FLASH的那些事。
2023-08-10 11:15:03598 
富士通半導體存儲器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲器串行接口系列中密度最高的產(chǎn)品。目前已實現(xiàn)量產(chǎn)產(chǎn)品。 在不斷變化的環(huán)境中，隨著傳感器信息數(shù)據(jù)量的增加和邊緣計算的擴展，客
2023-08-04 11:55:04339 
EEPROM：存儲技術革命！3個數(shù)字揭示它的神奇之處EEPROM，也稱為“電可擦可編程只讀存儲器”，是一種重要的存儲技術，可以被用于嵌入式系統(tǒng)和計算機中。它可以存儲數(shù)據(jù)，也可以存儲代碼。相比于傳統(tǒng)
2023-08-03 08:36:091381 
可訪問外部存儲器的AHB端口。AHB端口具有到內存控制器的橋接接口。有一個單獨的AHB端口用于配置內存控制器。SMC的特定配置被實例化以針對特定存儲器設備。圖1-1顯示了AHB MC（PL241）配置
2023-08-02 07:14:25
以前做項目，有時用Flash，有時用EEPROM，搞得我有點懵逼。
2023-07-27 12:24:241067 
就需要一塊非易失性存儲芯片來儲存這些數(shù)據(jù)。非易失性存儲器一般包括EPROM、EEPROM和FLASH等，它們在系統(tǒng)掉電的情況下仍可保留所存數(shù)據(jù)，但因其技術都源于R
2023-07-25 10:31:33
可編程控制器的存儲器由只讀存儲器ROM、隨機存儲器RAM和可電擦寫的存儲器EEPROM三大部分構成，主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序及工作數(shù)據(jù)。
2023-07-11 14:26:421719 易失性存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關于存儲器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史，本期內容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計算機開機時存儲數(shù)據(jù)，但在關閉時將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 半導體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
全稱為Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，中文名為：雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器，同步是指需要時鐘。
2023-06-23 17:57:002208 
ROM中存儲的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在，不會丟失，因此也被稱為非易失性存儲器。而RAM是易失性存儲器，當斷電時，其中的數(shù)據(jù)將會丟失。
2023-06-20 16:38:442016 DS2781測量可充電Li+和Li+聚合物電池的電壓、溫度和電流，并估算其可用電量。計算電量所需的電池包參數(shù)和應用參數(shù)存儲在片上EEPROM中。根據(jù)電量寄存器的內容，向主系統(tǒng)報告在當前溫度、放電速率
2023-06-15 10:56:29
，我試圖了解使用 ESP8266 可以使用哪些內存。當我做對時，有可用的 RAM 和閃存。它們之間的區(qū)別在于，Flash 存儲器不是易失性的。所以我嘗試訪問和讀取閃存，最后得到以下草圖：
代碼：全選
2023-06-07 06:43:39
Flash存儲器，又叫做閃存，是一種非易失性存儲器。具有操作方便讀寫速度快等優(yōu)點。一般用于存儲操作系統(tǒng)和程序代碼，或者用于數(shù)據(jù)存儲。
2023-06-02 17:40:373879 
作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優(yōu)點，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
我不確定 100% 理解 RTC 慢速內存如何與深度睡眠一起工作。
簡而言之，我需要在當前（電池供電）項目中非常節(jié)能。
我想知道將數(shù)據(jù)存儲在 RTC 慢內存中是否意味著 SoC 必須以某種方式保持
2023-05-31 08:52:54
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
主存儲器的主要技術指標
* **存儲容量**
存儲器可以容納的二進制信息量（尋址空間，由CPU的地址線決定）
* **實際存儲容量：** 在計算機系統(tǒng)中具體配置了多少內存。
* **存取速度：** 存取時間是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時間，也稱為讀寫周期；
2023-05-26 11:28:10822 
的時候仍然可以保持數(shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計算機的內存。1.1存儲器ROM介紹rom最初不能編程，出廠什么內容就永遠什么內容，
2023-05-19 17:04:36766 
停止供電的時候仍然可以保持數(shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計算機的內存。
1.1 存儲器ROM介紹
rom最初不能編程，出廠什么內容就永遠什么內容，不靈活。后來出現(xiàn)了
2023-05-19 15:59:37
與NOR Flash相比，其讀取速度慢得多。由于NAND電路的布局，存儲器是串行訪問的。這些設備可以一次寫入一個字節(jié)到單個內存地址。NAND是理想的數(shù)據(jù)存儲器。它通常存在于需要頻繁上傳和覆蓋大文件
2023-05-18 14:13:37
在定義方面它們有本質的區(qū)別，硬盤屬于“ 非易失性存儲器”，而內存是“隨機存取存儲器”，屬于“易失性存儲設備“。
2023-05-17 15:40:191540 首個非易失性存儲器是PROM（可編程只讀存儲器），以及與之密切相關的EPROM（可擦寫可編程只讀存儲器）。最初的PROM產(chǎn)品在1967年由貝爾實驗室提出，并于1971年由英特爾進一步開發(fā)。
2023-05-10 11:03:57408 AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。 FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進NAND flash工藝，滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應用于
2023-05-04 13:56:111160 
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應該將其設置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
基本上，我想將數(shù)據(jù)寫入/讀取 I.MX RT1170 評估板中的非易失性存儲器 (MX25L4006EM2R-12G)。1）是否有任何示例應用程序可供參考？像 LPUART、LPI2C 等....
2023-04-19 09:07:12
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標地址上（內部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
存儲設備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實時時鐘，低VDD復位，看門狗定時器，非易失性事件計數(shù)器，可鎖定的64位序列號區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
我們正在嘗試將內部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們如何使用。請指導我們實現(xiàn)這一目標
2023-04-04 08:16:50
隨著需求的變化和技術的迭代，固態(tài)硬盤在接口、協(xié)議和形態(tài)上都出現(xiàn)了很多新發(fā)展和新變化。今天瑞薩君就為大家介紹這款 適用于計算機系統(tǒng)的PCIe非易失性存儲器Express（NVMe）固態(tài)硬盤解決方案
2023-03-30 20:00:06674 我們知道計算機只有CPU是不能工作的，那理論上除了CPU還需要什么硬件呢？答：還需要 存儲器 。
那什么是存儲呢？在電子計算機中，用來存儲數(shù)據(jù)和指令等的記憶部件，叫做存儲器。 存儲器是由一些編號的單元所組成。 單元的編號叫做地址。
2023-03-30 14:41:501663 
存儲器按存儲介質特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看，易失性存儲器可以理解為內存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內存儲器（簡稱內存，港臺稱之為記憶體
2023-03-30 14:18:4815277 
知道在哪里可以找到 LPCXpresso54S018 的 EEPROM 讀/寫示例？通常存儲代碼的 BOARD_FLASH 是否被視為 EEPROM 或其他？
2023-03-24 08:34:23
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