非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:15
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MR25H256 MRAM 存儲(chǔ)器 mikroBUS? Click? 平臺(tái)評(píng)估擴(kuò)展板
2024-03-14 22:03:11
Flash存儲(chǔ)器的寫(xiě)操作具有特殊性，它只能將數(shù)據(jù)位從1寫(xiě)成0，而不能從0寫(xiě)成1。因此，在對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行寫(xiě)入操作之前，必須先執(zhí)行擦除操作，將預(yù)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)位初始化為1。
2024-02-19 11:37:28536 
ZCC4650 是一款雙通道 25A 或單通道 50A 輸出開(kāi)關(guān)模式降壓型 DC/DC uModule (電源模塊) 壓器。封裝中內(nèi)置了開(kāi)關(guān)控制器、功率 FET、電感器和所有的支持組件。ZCC4650 可在一個(gè)
2024-02-17 16:40:26
與主存儲(chǔ)器（內(nèi)存）和輔助存儲(chǔ)器（外存）有不同的特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。 首先，我們來(lái)詳細(xì)了解ROM的特點(diǎn)和分類(lèi)。ROM是一種非易失性存儲(chǔ)器，這意味著即使在斷電或重啟系統(tǒng)后，存儲(chǔ)在ROM中的數(shù)據(jù)仍然保持完整。這是由于ROM的存儲(chǔ)單元是由非可更改的電路或柵電勢(shì)器構(gòu)成
2024-02-05 10:05:10742 1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問(wèn)
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
臺(tái)積電近日宣布，與工研院合作開(kāi)發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，該芯片具有極低的功耗，僅為其他類(lèi)似技術(shù)的1%。這一創(chuàng)新技術(shù)為次世代存儲(chǔ)器領(lǐng)域帶來(lái)了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 據(jù)報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電在次世代MRAM存儲(chǔ)器相關(guān)技術(shù)方面取得了重大進(jìn)展。該公司成功開(kāi)發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創(chuàng)新的運(yùn)算架構(gòu)，使其功耗僅為其他類(lèi)似技術(shù)的1%。
2024-01-19 14:35:126646 只讀存儲(chǔ)器（ROM）是一種計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備，用于存儲(chǔ)固定數(shù)據(jù)和指令，其特點(diǎn)如下： 數(shù)據(jù)固定性：只讀存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)是在出廠時(shí)被編程固化的，用戶(hù)無(wú)法進(jìn)行修改。這意味著ROM中的信息是靜態(tài)的、不可
2024-01-17 14:17:39290 ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存儲(chǔ)器），又稱(chēng)為SRAM（Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲(chǔ)器），又稱(chēng)
2024-01-12 17:27:15513 MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。
2024-01-09 14:24:03211 
YBM4156/7/4A20V1.0A線性鋰電池充電管理芯片
概述：
YB4156/7/4A是一款鋰電池充電管理芯片，集成涓流、恒流、恒壓三段式線性充電管理，符合鋰電池安全充電規(guī)范。充電輸入耐壓高達(dá)
2023-12-29 11:05:21
如何充分利用單片機(jī)（MCU）的非易失性存儲(chǔ)器 單片機(jī)（MCU）的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序的重要組成部分。它可以保留數(shù)據(jù)，即使在斷電或復(fù)位后也不會(huì)丟失。為了充分利用MCU的NVM，我們
2023-12-15 10:10:49507 YB2416D 30V 輸入，3A 輸出，CC&CV 控制，高效率同步降壓轉(zhuǎn)換器
概述:
YB2416是一款輸入耐壓超過(guò)40V,在4.5V-30V輸入電壓條件下正常工作，并且能夠?qū)崿F(xiàn)
2023-12-13 11:53:17
。
0x0000 0xXXXX NOP指令0會(huì)通過(guò)SDO輸出16位字，其中最后4位包含控制寄存器的內(nèi)容。如果位C3 = 1，則熔絲編程命令成功。
這么做讀出的是控制寄存器的內(nèi)容，而不是存儲(chǔ)器的內(nèi)容
2023-12-06 06:04:03
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-24 16:04:35
0 閃速存儲(chǔ)器 （Flash Memory）簡(jiǎn)稱(chēng)閃存器或閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17914 
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。按照電源在關(guān)斷后數(shù)據(jù)是否依舊被保存的方式區(qū)分，存儲(chǔ)器可分為非易失性存儲(chǔ)器 (Non-volatile Memory，NVM)和易失性存儲(chǔ)器 （volatile Memory
2023-11-16 09:14:06413 何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器？ 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤(pán)和光盤(pán)裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫(xiě)快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-11-15 10:20:01731 
單片機(jī)的存儲(chǔ)器主要有幾個(gè)物理存儲(chǔ)空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間，其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有誰(shuí)知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了??？？AT89C52手??冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說(shuō)明，各位高手有誰(shuí)知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
是一款 USB3.2 Gen1X1接口的 的 4 口 口 HUB控制器 芯片， 片成 上集成 32
位 微處理器， 它具有低功耗 、 高性能 、 可配置 等特點(diǎn) ；芯片 集成 USB3.0高速物
理層
2023-10-20 18:20:58
內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲(chǔ)器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存儲(chǔ)器測(cè)試問(wèn)題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
神奇arduino：用a4紙自制一款手勢(shì)鼠標(biāo)項(xiàng)目文檔請(qǐng)下載附件哦
2023-10-10 06:14:22
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 摘要：本文主要對(duì)兩種常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 眾所周知，鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
如何檢測(cè)24c存儲(chǔ)器容量
2023-09-25 06:48:32
在MCU的使用中，經(jīng)常遇到需要存儲(chǔ)參數(shù)或掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)等功能。其中，F(xiàn)lash和EEPROM是常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器
2023-09-21 09:14:39812 存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類(lèi)，前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
1. 描述 引腳排列
CW24C32A/64A/128A是32768/65536/131072位的串行電可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)，分別采用4096/8192/16384×8位的組織結(jié)構(gòu)
2023-09-15 07:53:08
1. 描述 引腳排列
CW24C256A/512A是262144/524288位的串行電可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)，分別采用32768/65536 ×8位的組織結(jié)構(gòu)，廣泛應(yīng)用于低電壓和低功耗
2023-09-15 07:45:35
1. 描述 引腳排列
CW24C02A/04A/08A是2048/4096/8192位的串行電可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM），分別采用256/512/1024×8位的組織結(jié)構(gòu)，廣泛應(yīng)用于低電壓
2023-09-15 06:53:34
Gbyte)、16或32位LPDDR2/LPDDR3或DDR3/DDR3L高達(dá)533 MHz的外部存儲(chǔ)器。
STM32MP151A/D器件集成了708千字節(jié)內(nèi)部SRAM的高速嵌入式存儲(chǔ)器(包括256
2023-09-13 07:23:32
Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:282617
ST60A3G1是一款射頻毫米波收發(fā)器產(chǎn)品，具有天線，工作在60千兆赫的V波段。ST60A3G1具有微型外形因素、優(yōu)化的物料清單和低功耗操作。ST60A3G1是符合eUSB2、UART和I2C協(xié)議
2023-09-07 06:49:02
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進(jìn)步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的需求增加，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">非易失性存儲(chǔ)器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲(chǔ)器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時(shí)代所要求的高讀寫(xiě)耐久性和快速寫(xiě)入速度的理想存儲(chǔ)設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
庫(kù)的慢-慢工藝點(diǎn)對(duì)塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲(chǔ)器端口上的信號(hào)符合RAM編譯器為T(mén)SMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲(chǔ)器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲(chǔ)器串行接口系列中密度最高的產(chǎn)品。目前已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)產(chǎn)品。 在不斷變化的環(huán)境中，隨著傳感器信息數(shù)據(jù)量的增加和邊緣計(jì)算的擴(kuò)展，客
2023-08-04 11:55:04339 
PrimeCell靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器（SMC）是一款符合高級(jí)微控制器總線架構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備，由ARM有限公司開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。
SMC是一個(gè)AMBA從模塊，連接到高級(jí)高性能
2023-08-02 12:21:46
的內(nèi)核，該單元為標(biāo)記為共享的存儲(chǔ)器維護(hù)L1數(shù)據(jù)緩存一致性。Cortex-A5 MPCore處理器實(shí)現(xiàn)ARMv7體系結(jié)構(gòu)，運(yùn)行32位ARM指令、16位和32位Thumb指令以及8位Java
2023-08-02 10:00:07
SC054 ASB靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器（SMC）是一款符合高級(jí)微控制器總線架構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)外圍設(shè)備，由ARM開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。SC054 ASB SMC是一個(gè)AMBA從模塊，連接到高級(jí)系統(tǒng)總線
2023-08-02 07:39:45
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MR16 EMC的參考設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 10:52:050 ADSP-21992進(jìn)一步擴(kuò)展了ADSP-2199x混合信號(hào)DSP產(chǎn)品系列的性能，可提供32K字程序存儲(chǔ)器RAM和16K字?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
DS28E80為用戶(hù)可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶(hù)存儲(chǔ)器，分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫(xiě)保護(hù)
2023-07-13 17:01:58
何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器？ 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤(pán)和光盤(pán)裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫(xiě)快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:131098 
片選提供了許多選項(xiàng)，可以在每個(gè)片選上設(shè)置這些選項(xiàng)，以允許連接到各種外部器件。存儲(chǔ)器映射的外部片選區(qū)域地址從 0x60000000 開(kāi)始。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參見(jiàn)《硬件用戶(hù)手冊(cè)》。 8.5.1 使用外部16位存儲(chǔ)器器件 連接具有字節(jié)選擇線的外部16位存儲(chǔ)器器件時(shí)，將MCU的A1連接到存
2023-06-28 12:10:02348 
易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開(kāi)機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時(shí)將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
I/O寄存器、程序ROM、數(shù)據(jù)閃存和外部存儲(chǔ)器區(qū)域。 圖16. RA6M3存儲(chǔ)器映射 8.1 SRAM RA6 MCU提供帶
2023-06-21 12:15:03421 
ROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在，不會(huì)丟失，因此也被稱(chēng)為非易失性存儲(chǔ)器。而RAM是易失性存儲(chǔ)器，當(dāng)斷電時(shí)，其中的數(shù)據(jù)將會(huì)丟失。
2023-06-20 16:38:442016 鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性，芯片能在常溫、沒(méi)有電場(chǎng)的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
RAID控制卡的日志存儲(chǔ)器存放重要數(shù)據(jù)，如日志和數(shù)據(jù)寫(xiě)入完成、奇偶校驗(yàn)寫(xiě)入、錯(cuò)誤日志等。在斷電的情況下，控制器查詢(xún)?nèi)罩緝?nèi)存，以了解從哪里開(kāi)始恢復(fù)。
2023-06-12 17:11:11323 作為一種非易失性存儲(chǔ)器，鐵電存儲(chǔ)器兼具動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的高速度與可擦除存儲(chǔ)器EEPROM非易失性?xún)?yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)合，鐵電存儲(chǔ)器以幾乎無(wú)限的讀寫(xiě)次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶(hù)的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
Everspin型號(hào)MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲(chǔ)芯片，組織為16位的65536個(gè)字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫(xiě)時(shí)序，續(xù)航時(shí)間無(wú)限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時(shí)間內(nèi)始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 BL24C02A/BL24C04A/BL24C08A/BL24C16A提供2048/4096/8192/16384位串行電可擦除和可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM），組織方式為256/512/1024
2023-05-27 10:49:52
的新一代S32區(qū)域處理器和通用汽車(chē)MCU首批樣品 ? ? ? 了解詳情 ? ? 全球領(lǐng)先汽車(chē)處理企業(yè)恩智浦半導(dǎo)體宣布與臺(tái)積電合作交付行業(yè)首創(chuàng)的采用16納米FinFET技術(shù)的汽車(chē)嵌入式MRAM（磁隨機(jī)存儲(chǔ)器）。在向軟件定義汽車(chē)（SDV）的過(guò)渡中，汽車(chē)廠商需要在單個(gè)硬件平臺(tái)上支持多代軟件
2023-05-26 20:15:02396 MRAM是一種新型的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，與傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器技術(shù)相比，MRAM具有更快的讀寫(xiě)速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長(zhǎng)的壽命。
2023-05-23 17:34:15395 EEPROM的變種，變成了一類(lèi)存儲(chǔ)器的統(tǒng)稱(chēng)。
狹義的EEPROM：
這種rom的特點(diǎn)是可以隨機(jī)訪問(wèn)和修改任何一個(gè)字節(jié)，可以往每個(gè)bit中寫(xiě)入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM，掉電后數(shù)據(jù)不丟失
2023-05-19 15:59:37
MAX17000A脈寬調(diào)制(PWM)控制器為筆記本電腦的DDR、DDR2、DDR3存儲(chǔ)器提供完整的電源方案。該器件集成了一路降壓控制器、一路可源出/吸入電流的LDO穩(wěn)壓器以及一路基準(zhǔn)緩沖器，能夠產(chǎn)生
2023-05-17 09:48:45
描述? BL24C512A提供524288位串行電可擦除和可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM），組織為65536字，每位8位。? 該設(shè)備被優(yōu)化用于許多工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用，其中低功率和低壓操作是必不可少
2023-05-16 17:12:17
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無(wú)限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。
2023-05-12 16:31:39268 單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
首個(gè)非易失性存儲(chǔ)器是PROM（可編程只讀存儲(chǔ)器），以及與之密切相關(guān)的EPROM（可擦寫(xiě)可編程只讀存儲(chǔ)器）。最初的PROM產(chǎn)品在1967年由貝爾實(shí)驗(yàn)室提出，并于1971年由英特爾進(jìn)一步開(kāi)發(fā)。
2023-05-10 11:03:57408 通過(guò)quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí)，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
CMOS反相器的電路結(jié)構(gòu)是怎樣的？它有哪些特點(diǎn)？
2023-04-25 09:20:07
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462547 基本上，我想將數(shù)據(jù)寫(xiě)入/讀取 I.MX RT1170 評(píng)估板中的非易失性存儲(chǔ)器 (MX25L4006EM2R-12G)。1）是否有任何示例應(yīng)用程序可供參考？像 LPUART、LPI2C 等....
2023-04-19 09:07:12
本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
中的波形，我發(fā)現(xiàn) iMX RT1024 SRAM 操作存在
一個(gè)問(wèn)題。
MR5A16A MRAM 聲明地址線必須在芯片啟用變低時(shí)有效iMX RT1024 參考手冊(cè)指出，芯片啟用在地址有效之前變?yōu)榈碗娖?/div>
2023-04-17 07:52:33
存儲(chǔ)設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無(wú)需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過(guò)了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見(jiàn)表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一
2023-04-07 16:41:05
/寫(xiě)存儲(chǔ)器，在斷電時(shí)無(wú)需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器，實(shí)時(shí)時(shí)鐘，低VDD復(fù)位，看門(mén)狗定時(shí)器，非易失性事件計(jì)數(shù)器，可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
六大原廠工業(yè)處理器平臺(tái)圖 2 創(chuàng)龍科技產(chǎn)品線概覽5款全國(guó)產(chǎn)平臺(tái)——工業(yè)級(jí)＋國(guó)產(chǎn)化率100%全志T113-i雙核Cortex-A7@1.2GHz含稅99元起全志T3/A40i四核
2023-03-31 16:19:06
隨著需求的變化和技術(shù)的迭代，固態(tài)硬盤(pán)在接口、協(xié)議和形態(tài)上都出現(xiàn)了很多新發(fā)展和新變化。今天瑞薩君就為大家介紹這款 適用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的PCIe非易失性存儲(chǔ)器Express（NVMe）固態(tài)硬盤(pán)解決方案
2023-03-30 20:00:06676 存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來(lái)說(shuō)，可以分為兩類(lèi)，一類(lèi)就是易失性存儲(chǔ)器，一類(lèi)是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看，易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤(pán)。
2023-03-30 14:22:431551 
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