電力電子技術(shù)在當(dāng)今急需節(jié)能降耗的工業(yè)領(lǐng)域里起到了不可替代的作用;而igbt在諸如變頻器、大功率開關(guān)電源等電力電子技術(shù)的能量變換與管理應(yīng)用中,越來越成為各種主回路的首選功率開關(guān)器件,因此如何安全可靠
2021-04-06 14:38:18
電子技術(shù)的能量變換與管理應(yīng)用中,越來越成為各種主回路的首選功率開關(guān)器件,因此如何安全可靠地驅(qū)動(dòng)igbt工作,也成為越來越多的設(shè)計(jì)工程師面臨需要解決的課題。 在使用igbt構(gòu)成的各種主回路之中,大功率
2012-12-08 12:34:45
詳情見附件大功率IGBT驅(qū)動(dòng)的技術(shù)特點(diǎn)及發(fā)展趨勢(shì)分析1 引言由于igbt具有開關(guān)頻率高、導(dǎo)通功耗小及門極控制方便等特點(diǎn),在大功率變換系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用。在igbt應(yīng)用中,除其本身的技術(shù)水平以外
2021-04-20 10:34:14
測(cè)量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫,如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫,是一個(gè)不可或缺的過程,功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法:
2021-03-11 07:53:26
尋求國(guó)產(chǎn)器件推薦,工作溫區(qū)在-55~150℃,壓力100kPa~35MPa之間絕壓,表壓都有需求
2022-08-18 10:06:13
`上世紀(jì)60年代,開關(guān)電源的問世,使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來,開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化,經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開關(guān)技術(shù)、開關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個(gè)發(fā)展階段
2017-02-13 21:56:16
小IGBT居中居中,幾十KHz簡(jiǎn)單,功耗小表 1 IGBT和其他高壓器件的能能對(duì)比IGBT自20世紀(jì)70年代末發(fā)明以來,經(jīng)過30余年的發(fā)展,幾乎已成為逆變、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中的不二選擇,是新能源領(lǐng)域如
2015-12-24 18:13:54
電子元器件正進(jìn)入以新型電子元器件為主體的新一代元器件時(shí)代,它將基本上取代傳統(tǒng)元器件,電子元器件由原來只為適應(yīng)整機(jī)的小型化及新工藝要求為主的改進(jìn),變成以滿足數(shù)字技術(shù)、微電子技術(shù)發(fā)展所提出的特性要求為主,而且是成套滿足的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展階段。
2019-10-15 09:02:25
`①未來發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活,以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導(dǎo)體)元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的,“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
據(jù)最新消息獲悉,TrendForce在最新調(diào)查中預(yù)測(cè),未來全球LED智能路燈市場(chǎng)會(huì)進(jìn)入快速發(fā)展階段。截止到2024年,將以8.2%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。
2020-10-23 11:13:11
。這些器件主要有電力場(chǎng)控晶體管(即功率MOSFET)、絕緣柵極雙極晶體管(IGT或IGBT)、靜電感應(yīng)晶體管(SIT)和靜電感應(yīng)晶閘管(SITH)等。電力電子器件的最新發(fā)展現(xiàn)代電力電子器件仍然在向
2017-11-07 11:11:09
高頻全控型器件不斷問世,并得到迅速發(fā)展。這些器件主要有電力場(chǎng)控晶體管(即功率MOSFET)、絕緣柵極雙極晶體管(IGT或IGBT)、靜電感應(yīng)晶體管(SIT)和靜電感應(yīng)晶閘管(SITH)等。 電力
2017-05-25 14:10:51
650 V CoolSiC?混合分立
器件,該
器件包含一個(gè)50A TRENCHSTOP?
快速開關(guān)
IGBT 和一個(gè) CoolSiC 肖特基二極管,能夠提升性價(jià)比并帶來高可靠性。這種組合為硬開關(guān)拓?fù)?/div>
2021-03-29 11:00:47
前言在功率元器件的發(fā)展中,主要半導(dǎo)體材料當(dāng)然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里,在"將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k,同時(shí)將電壓也降低到1/k,力爭(zhēng)更低功耗"的指導(dǎo)
2019-07-08 06:09:02
服務(wù)介紹隨著技術(shù)發(fā)展,第三代半導(dǎo)體功率器件開始由實(shí)驗(yàn)室階段步入商業(yè)應(yīng)用,未來應(yīng)用潛力巨大,這些新型器件測(cè)試要求更高的電壓和功率水平,更快的開關(guān)時(shí)間。測(cè)試周期:根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)、試驗(yàn)條件及被測(cè)樣品量確定
2022-05-25 14:26:58
功率器件包括功率 IC 和功率分立器件,功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導(dǎo)體器件,功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),所應(yīng)用的產(chǎn)品包括計(jì)算機(jī)領(lǐng)
2009-04-27 17:04:38
24 蓄電池的四個(gè)發(fā)展階段
1、普通鉛酸蓄電池 在50年代,生產(chǎn)的鉛蓄電池叫普通電池,當(dāng)時(shí)的產(chǎn)品用戶啟用時(shí)都要有“初充電”工藝環(huán)節(jié)。
2009-10-29 14:15:40
999 針對(duì)目前PWM 逆變器中廣泛使用的IGBT,提出了一種快速損耗計(jì)算方法。該方法只需已知所使用的IGBT 器件在額定狀態(tài)下的特性參數(shù),就可以快速估算各種條件下的功率損耗。該方法的計(jì)算
2011-09-01 16:42:33
111 《IGBT場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)論》以新一代半導(dǎo)體功率器件IGBT為主線,系統(tǒng)地論述了場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件的基礎(chǔ)理論和工藝制作方面的知識(shí),內(nèi)容包括器件的原理、模型、設(shè)計(jì)、制
2011-11-09 18:03:37
0 大功率IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)的現(xiàn)狀與發(fā)展
2012-06-06 11:52:23
6113 
本文為你介紹led照明光源的發(fā)展,經(jīng)歷的幾個(gè)發(fā)展階段,led現(xiàn)狀的處于的現(xiàn)狀,以及l(fā)ed照明未來的展望。
2012-08-13 11:36:26
3456 目前國(guó)際功率半導(dǎo)體器件的主流主品功率MOS器件只是近年來才有所涉及,且主要為平面柵結(jié)構(gòu)的VDMOS器件,IGBT還處于研發(fā)階段。
2017-09-20 17:46:59
44 IGBT等功率器件的技巧。 1、如何避免米勒效應(yīng)? IGBT操作時(shí)所面臨的問題之一是米勒效應(yīng)的寄生電容。這種效果是明顯的在0到15V類型的門極驅(qū)動(dòng)器(單電源驅(qū)動(dòng)器)。門集-電極之間的耦合,在于IGBT關(guān)斷期間,高dV/dt瞬態(tài)可誘導(dǎo)寄生IGBT道通(門集電壓尖峰),這是潛在的危險(xiǎn)。 當(dāng)上半橋的I
2017-10-26 16:52:46
14 中國(guó)電信集團(tuán)公司電信科技委主任韋樂平表示,SDN渡過炒作期,進(jìn)入理性發(fā)展階段;NFV化已開始落地,但征程依然艱難。
2018-04-09 16:30:11
4294 自問世以來,已經(jīng)經(jīng)過了幾個(gè)不同的發(fā)展階段。驅(qū)動(dòng)每個(gè)階段發(fā)展的因素都是工藝技術(shù)和應(yīng)用需求。正是這些驅(qū)動(dòng)因素,導(dǎo)致器件的特性和工具發(fā)生了明顯的變化。
2018-05-26 01:52:00
5354 
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,包括HUD、儀表板和娛樂顯示器背光以及后視鏡在內(nèi)的汽車零件市場(chǎng)Mini LED汽車應(yīng)用,將在2019年進(jìn)入高速發(fā)展階段。
2019-03-21 15:24:21
1315 隨著我國(guó)居民生活水平不斷提高、政策扶持力度增強(qiáng),國(guó)內(nèi)醫(yī)療器械行業(yè)整體步入高速發(fā)展階段。據(jù)EvaluateMedTech的測(cè)算,全球醫(yī)療器械市場(chǎng)規(guī)模將從2016年的3980億美元增長(zhǎng)至2022
2019-06-07 17:34:00
1368 移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)步入“四世同堂”階段,未來將是4G與5G網(wǎng)絡(luò)長(zhǎng)期共存、協(xié)調(diào)發(fā)展的局面。
2019-08-02 11:47:12
373 華為輪值董事長(zhǎng)郭平是這一觀點(diǎn)的堅(jiān)定支持者,他不只一次在行業(yè)會(huì)議上這么說。郭平代表華為,顯然,華為也認(rèn)為5G即將進(jìn)入下一個(gè)發(fā)展階段。支撐這一觀點(diǎn)的依據(jù)是:3GPP R16標(biāo)準(zhǔn)正式凍結(jié),將進(jìn)一步推動(dòng)5G
2020-08-25 09:08:03
542 中國(guó)醫(yī)療信息化建設(shè)始于上世紀(jì)80年代,至今經(jīng)歷了四個(gè)發(fā)展階段,即醫(yī)院管理信息化(HIS)階段、以電子病歷系統(tǒng)為核心的臨床信息化建設(shè)階段、醫(yī)院信息平臺(tái)和數(shù)據(jù)中心建設(shè)階段、臨床診療數(shù)據(jù)的智慧應(yīng)用階段。
2020-10-09 15:39:04
8914 
前言: 隨著全球制造業(yè)向中國(guó)的轉(zhuǎn)移,我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占世界市場(chǎng)的50%以上,是全球最大的IGBT市場(chǎng)。 但IGBT產(chǎn)品嚴(yán)重依賴進(jìn)口,在中高端領(lǐng)域更是90%以上的IGBT器件依賴進(jìn)口,IGBT國(guó)產(chǎn)
2020-10-19 16:56:38
8939 10月22日,工信部信息通信發(fā)展司司長(zhǎng)聞庫(kù)在國(guó)新辦發(fā)布會(huì)上表示,未來三年中國(guó)5G仍處于上升發(fā)展階段,需要保持戰(zhàn)略定力。
2020-10-23 12:15:27
1351 除了IGBT外,功率半導(dǎo)體元器件(晶體管領(lǐng)域)的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等,它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。
2021-05-24 06:07:00
13963 
已邁過產(chǎn)業(yè)萌芽和培育階段,進(jìn)入以市場(chǎng)為主導(dǎo)的產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展階段,并會(huì)在未來2年,迎來更快速增長(zhǎng)。 4G/5G FWA 已成為運(yùn)營(yíng)商發(fā)展家寬業(yè)務(wù)的主要選擇之一 經(jīng)過近五年多的高速發(fā)展,4G/5G FWA
2020-11-18 10:52:24
2051 近些年是國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件迅猛發(fā)展的良好時(shí)機(jī),國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體企業(yè)在MOSFET ,IGBT及SiC等產(chǎn)品領(lǐng)域的優(yōu)秀表現(xiàn)吸引了越來越多的電力電子產(chǎn)品大廠的關(guān)注和應(yīng)用。絕緣柵雙極型晶體管IGBT
2020-12-04 10:41:49
4788 封裝技術(shù)已從單芯片封裝開始,發(fā)展到多芯片封裝/模塊、三維封裝等階段,目前正在經(jīng)歷系統(tǒng)級(jí)封裝與三維集成的發(fā)展階段。
2021-01-10 10:44:39
2221 在經(jīng)過了較為粗放的發(fā)展之后,光伏已經(jīng)走進(jìn)了精細(xì)高效發(fā)展階段。轉(zhuǎn)換效率更高的單晶取代多晶就是非常明顯的例子。 光伏支架作為可明顯增加發(fā)電量的組成部分,也成為了光伏發(fā)展下一階段的重點(diǎn)。其原理也非常簡(jiǎn)單
2021-03-04 15:52:39
914 隨著智能電網(wǎng)、汽車電氣化等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件逐漸往高壓、高頻方向發(fā)展,功率分立器件的演進(jìn)路徑基本為二極管→晶閘管→MOSFET→IGBT,其中,IGBT是功率半導(dǎo)體新一代中的典型產(chǎn)品。
2021-03-29 15:27:07
7347 
展望“十四五”,我國(guó)數(shù)字經(jīng)濟(jì)將步入高速發(fā)展階段,新型基礎(chǔ)建設(shè)將激發(fā)潛在的活力和動(dòng)力。在當(dāng)前的形勢(shì)下,移動(dòng)轉(zhuǎn)售行業(yè)迫切需要加強(qiáng)賦能數(shù)字化轉(zhuǎn)型的能力,提升在信息產(chǎn)業(yè)鏈中的參與度和貢獻(xiàn)值。對(duì)此,陳家春提出以下三點(diǎn)建議。
2021-03-31 16:09:51
1846 可以已驗(yàn)證的、可重復(fù)利用的、具有某種確定功能的、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)功能的設(shè)計(jì)模塊,其與芯片制造工藝無關(guān),可以移植到不同的集成電路工藝中。隨著在我國(guó)對(duì)集成電路的重視程度提高,EDA/IP產(chǎn)業(yè)進(jìn)入快速發(fā)展階段。
2021-06-12 09:01:00
2024 回顧科技革命的發(fā)展歷程,每一個(gè)技術(shù)突破、技術(shù)研發(fā)的“閃光點(diǎn)”,都代表著人類世界的轉(zhuǎn)型升級(jí),代表著新領(lǐng)域、新產(chǎn)業(yè)的誕生與發(fā)展。如今,隨著一線研究學(xué)者的不斷攻堅(jiān)、不斷探索,生物科研領(lǐng)域邁入至一個(gè)全新的發(fā)展階段:AlphaFold2不僅完成了98.5%人類蛋白結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè),并且做成數(shù)據(jù)集免費(fèi)開源。
2021-08-06 18:17:31
411 IGBT器件的大功率DCDC電源并聯(lián)技術(shù)(通信電源技術(shù)2019第七期)-該文檔為基于IGBT器件的大功率DCDC電源并聯(lián)技術(shù)總結(jié)文檔,是一份不錯(cuò)的參考資料,感興趣的可以下載看看
2021-09-22 12:39:19
50 元宇宙是最近科技圈和資本圈大熱的話題。許多科技巨頭都開始局部元宇宙,元宇宙是虛擬世界和現(xiàn)實(shí)世界融合的載體,那么元宇宙的發(fā)展階段是怎么樣的呢? 元宇宙或?qū)?b class="flag-6" style="color: red">發(fā)展為三個(gè)階段: 1.社區(qū)+游戲 社區(qū)+游戲
2021-11-03 17:39:36
3083 據(jù)市場(chǎng)反饋,應(yīng)用于高壓的超結(jié)MOSFET和IGBT需求旺盛,安森美已經(jīng)停止了車用IGBT的接單,英飛凌、ST等IGBT交期超過了一年。根據(jù)富昌電子2022Q2市場(chǎng)行情報(bào)告,功率器件(MOSFET,IGBT)多數(shù)貨期在30~60周,且仍有上升的趨勢(shì)。
2022-07-28 09:24:44
3204 長(zhǎng)盈精密:“消費(fèi)電子+新能源”雙輪驅(qū)動(dòng)公司步入發(fā)展新階段
2022-11-17 13:06:57
237 該階段也稱為“互聯(lián)網(wǎng)+制造”,是智能制造的第二個(gè)發(fā)展階段。隨著互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)在上世紀(jì)末開始普遍應(yīng)用,為制造業(yè)注入新的活力,通過連接制造過程的人、物、環(huán)境、數(shù)據(jù)和流程,網(wǎng)絡(luò)推動(dòng)了制造要素的協(xié)同以及相關(guān)社會(huì)資源的共享與集成,重構(gòu)了制造業(yè)形態(tài)與模式,加速制造業(yè)向第二個(gè)階段發(fā)展。
2022-11-23 14:49:49
2145 IGBT在MOSFET基礎(chǔ)上升級(jí),市場(chǎng)空間增速快。IGBT作為半導(dǎo)體功率器件中的全控器件,由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)
管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件
2023-02-15 16:26:32
34 什么是IGBT 所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件其具有自關(guān)斷的特征。 簡(jiǎn)單
2023-02-22 15:01:42
0 的耐壓范圍為20-800V,而IGBT可以承受1000V以上的
高電壓,因此是電力電子領(lǐng)域的理想開關(guān)器件。
根據(jù)英飛凌的技術(shù),IGBT的發(fā)展可劃分為三個(gè)階段。第一階段是第一代和第二代IGBT所代表的平面柵極型IGBT。由于功率器
件產(chǎn)品不追求制程,所以這類產(chǎn)品仍然暢銷,但第一代產(chǎn)品已
2023-02-23 15:55:49
1 IGBT應(yīng)用領(lǐng)域和IGBT燒結(jié)銀工藝自20世紀(jì)80年代末開始工業(yè)化應(yīng)用以來,IGBT發(fā)展迅速,不僅在工業(yè)應(yīng)用中取代了MOS和GTR,還在消費(fèi)類電子應(yīng)用中逐步取代了BJT、MOS等功率器件的眾多
2022-04-13 15:33:13
695 
IGBT是一種功率器件,在功率逆變器中承擔(dān)功率轉(zhuǎn)換和能量傳輸?shù)墓δ?。它是逆變器的心臟。同時(shí),IGBT也是功率逆變器中最不可靠的元件之一。它對(duì)器件的溫度、電壓和電流非常敏感。稍有超出,就會(huì)變得無能
2023-03-30 10:29:45
992 
)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor,MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有(Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:43
2103 
森國(guó)科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運(yùn)輸能力及低損耗的優(yōu)點(diǎn)。
2023-07-26 17:34:13
355 
摘要: 針對(duì)傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)超結(jié) IGBT 器件在大電流應(yīng)用時(shí)的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)較弱,削弱了 IGBT 器
件低飽和導(dǎo)通壓降優(yōu)點(diǎn)的問題,設(shè)計(jì)了 p 柱浮空的超結(jié) IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:00
0 功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電力控制和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。IGBT模塊和IPM模塊是其中兩個(gè)最為常見的器件類型。它們都可以用于控制大功率負(fù)載和驅(qū)動(dòng)電機(jī)等應(yīng)用,但是它們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能有所不同,那么
2023-09-04 16:10:49
4677 
功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外,還有MOSFET、BIPOLAR等,這些都能用來作為半導(dǎo)體開關(guān),今天單說IGBT的工藝流程。
2023-09-07 09:55:52
1086 
IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動(dòng)汽車的動(dòng)力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:04
358 半導(dǎo)體(Semiconductor)是現(xiàn)代電子信息社會(huì)的物理基石,并已成為推動(dòng)各種革命性變革和創(chuàng)新的強(qiáng)大驅(qū)動(dòng)力,這點(diǎn)已是當(dāng)前的社會(huì)共識(shí)。而功率器件正是半導(dǎo)體大產(chǎn)業(yè)的細(xì)分類別之一,在從電網(wǎng)、高鐵等高
2023-10-31 09:19:08
372 
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件,常被用于
2023-11-10 14:26:28
1269 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《隔離驅(qū)動(dòng)IGBT等功率器件的技巧.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 14:21:59
0 ?隨著云計(jì)算、虛擬化技術(shù)的發(fā)展,網(wǎng)卡也隨之發(fā)展,從功能和硬件結(jié)構(gòu)上基本可劃分為4個(gè)階段。
2023-12-19 16:37:57
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。 在同期舉辦的2023電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)晚會(huì)上,宏微科技憑借先進(jìn)的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新的產(chǎn)品能力,榮獲“ 國(guó)產(chǎn)功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng) ”、 “ 功率器件-IGBT行業(yè)優(yōu)秀獎(jiǎng) ” 雙料大獎(jiǎng)。 世紀(jì)電源網(wǎng)是電源行業(yè)有影響力的技術(shù)交流 平 臺(tái),此次評(píng)選通過
2023-12-26 20:00:02
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今日,備受關(guān)注的優(yōu)必選正式登陸港交所,宣告中國(guó)機(jī)器人技術(shù)領(lǐng)域取得新突破。這標(biāo)志著人形機(jī)器人產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入全新的發(fā)展階段。
2023-12-29 17:11:12
416 在第十四屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇上,龍騰半導(dǎo)體以其卓越的品質(zhì)、出色的市場(chǎng)表現(xiàn)和技術(shù)創(chuàng)新能力,榮獲了“國(guó)產(chǎn)功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)”。這一榮譽(yù)不僅是對(duì)龍騰半導(dǎo)體的肯定,更是對(duì)其在推動(dòng)國(guó)產(chǎn)功率器件行業(yè)發(fā)展中的突出貢獻(xiàn)的認(rèn)可。
2024-01-04 15:35:33
257 IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件,常用于驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和BJT(雙極型晶體管)兩個(gè)器件構(gòu)成。它結(jié)合
2024-01-12 14:43:52
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評(píng)論