接下來(lái)討論低閾值管子的優(yōu)勢(shì)。那么，MOSFET 的導(dǎo)通閾值低，它 的好處就說(shuō)對(duì)信號(hào)的幅值要求就小了。假設(shè) MOSFET 的導(dǎo)通閾值是 1V 或者 2V，那么一個(gè) 3.3V 的單片機(jī)就可以搞定了

我們也知道，高閾值的管子開(kāi)通的上升沿是很長(zhǎng)的，從關(guān) 斷到完全開(kāi)通需要 t0-t4 這個(gè)時(shí)間。那么低閾值 MOSFET 的好處就說(shuō)， 這個(gè)上升沿的時(shí)間變的更短。打個(gè)比方，假設(shè)高低閾值的兩個(gè)管子， 它的上升沿斜率都是一樣的，那么，低閾值的管子，上升到開(kāi)通閾值， 花的時(shí)間就更短了，如下圖所示，比如低閾值管子需要 T1 的時(shí)間， 高閾值管子需要 T2 這么長(zhǎng)時(shí)間

所以，從開(kāi)通時(shí)間這個(gè)角度來(lái)說(shuō)，低閾值的管子，開(kāi)關(guān)頻率可以 做到更高；高閾值的管子，開(kāi)關(guān)頻率可以做的更低。那么有的芯片把 MOSFET 做在內(nèi)部，閾值做的很低，開(kāi)關(guān)頻率可以做得更高，也就是 這個(gè)道理

接下來(lái)討論 MOSFET 的耐壓?jiǎn)栴}。比如說(shuō)一個(gè) 100V 耐壓的管子， 假設(shè) 100V 電壓上有一個(gè)毛刺，毛刺的峰值可以達(dá)到 120V，把這個(gè)電 壓加在 MOSFET 的漏極，MOSFET 的漏極電壓是不是就是 120V 呢？我 們說(shuō)，是不會(huì)到 120V 的，漏極電壓依舊是 100V

MOSFET 的漏極可以鉗位超過(guò)它的耐壓的電壓。那么，如果用一個(gè) 120V 的直流持續(xù)加在 MOSFET 兩端，這個(gè) MOSFET 一定會(huì)熱壞掉，會(huì) 把 MOSFET 擊穿。那么，一個(gè) 120V 的脈沖毛刺加在 MOSFET 兩端， 電壓依舊是 100V，但是管子會(huì)發(fā)熱嚴(yán)重，也有可能會(huì)壞掉。所以， 要合理的管子的耐壓。對(duì)于低壓管子，放 30V 的余量就夠了；對(duì)于高 壓管子，放 50V 的余量就夠了。這也要看 MOSFET 的標(biāo)稱耐壓值是多 少，綜合考慮

MOSFET 數(shù)據(jù)手冊(cè)

12N50 這是一個(gè)高壓 MOSFET，12 表示電流 12A，50 表示耐壓 500V

這里大概說(shuō)一下，有的人對(duì)著數(shù)據(jù)手冊(cè)每個(gè)參數(shù)細(xì)節(jié)都要深扣， 拼命的扣，這是一個(gè)好事，但問(wèn)題是對(duì)于初學(xué)者來(lái)說(shuō)，有沒(méi)有必要在 現(xiàn)階段這么來(lái)做。就好比蓋一棟大樓，有幾種方式，打地基，搭框架，再搭隔層，再精裝修，這種更科學(xué)更合理，我們學(xué)習(xí)也應(yīng)該是這樣子。 現(xiàn)在最重要的是打基礎(chǔ)，搭框架。還一種方式，就是基礎(chǔ)一點(diǎn)一點(diǎn)的 搭，搭了一點(diǎn)再搞精裝修，然后接下去再往后不斷地完善，這種方式 肯定是耗時(shí)耗力，最終可能考慮不全，搭不好，人的精力是有限的， 要在以后慢慢完善細(xì)節(jié)，這樣才能學(xué)的透。那么，接下來(lái)簡(jiǎn)單的看一 下數(shù)據(jù)手冊(cè)

我們看 datasheet，它的電流并不是 12A，實(shí)際上只能達(dá)到 11.5A。 Rdson=0.65Ω，那么，有的管子 Rdson 能到達(dá) 50~60mΩ。實(shí)際上對(duì) 于高壓的管子來(lái)說(shuō)，之所以能抗這么高的耐壓，內(nèi)部是很多個(gè)小 MOSFET 串聯(lián)在一起的，所以電阻會(huì)有點(diǎn)大的。我們看一個(gè)管子，第 一看耐壓，其次看 Id 電流，第三看內(nèi)阻 Rdson，如果電流大 內(nèi)阻小， 那么這個(gè)管子也是偏貴的。如果低壓的管子，電流大，內(nèi)阻小，也是 偏貴的

這個(gè)管子 650mΩ，性能不是特別的好，但是在有的場(chǎng)合也夠 用了，這也要根據(jù)具體的電路去合理的選型，只要夠用就行。那么， 我們也知道，一個(gè) MOSFET 的 Id 電流和 Rdson 是有一個(gè)條件的，就 說(shuō) Vgs 電壓，達(dá)到這個(gè) Vgs 閾值電壓時(shí)，才能滿足這個(gè)參數(shù)，所以在 用這顆管子時(shí)，Vgs 電壓至少要高于 10V 才可以，那么這里可以用 12V 以上，對(duì)它的使用是沒(méi)有多大影響的

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