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      標(biāo)簽　>　光刻

      光刻

      +關(guān)注7人關(guān)注

      光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個主要工藝。是對半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進(jìn)行開孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。

      文章：288個 瀏覽：30675次 帖子：5個

      光刻技術(shù)

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      2022-08-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝光刻 1040 0

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      [半導(dǎo)體前端工藝：第三篇] 光刻——半導(dǎo)體電路的繪制

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      2023-11-29 標(biāo)簽：電路半導(dǎo)體光刻 1014 0

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      2022-07-26 標(biāo)簽：光刻硅片涂層 1006 0

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      有源區(qū)工藝是指通過刻蝕去掉非有源區(qū)的區(qū)域的硅襯底，而保留器件的有源區(qū)。

      2024-10-31 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 990 0

      一文解析IMEC 發(fā)布芯片縮放路線圖

      功率墻：將功率引入芯片并從芯片封裝中提取熱量變得越來越具有挑戰(zhàn)性，因此我們必須開發(fā)改進(jìn)的功率傳輸和冷卻概念。

      2023-02-07 標(biāo)簽：晶體管光刻半導(dǎo)體設(shè)備 965 0

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      2022-06-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻蝕刻 964 0

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      2023-08-07 標(biāo)簽：光刻電子束 956 0

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      2022-07-19 標(biāo)簽：封裝光刻TSV 926 0

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      2022-03-30 標(biāo)簽：工藝參數(shù)光刻 894 0

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      集成光信號分配、處理和傳感網(wǎng)絡(luò)需要小型化基本光學(xué)元件，如波導(dǎo)、分光器、光柵和光開關(guān)。為了實現(xiàn)這一目標(biāo)，需要能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率制造的方法。

      2023-12-04 標(biāo)簽：mems高分辨率光刻 892 0

      頂層金屬工藝是指什么

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      頂層金屬工藝是指形成最后一層金屬互連線，頂層金屬互連線的目的是實現(xiàn)把第二層金屬連接起來。頂層金屬需要作為電源走線，連接很長的距離，需要比較低的電阻，需要...

      2024-10-29 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 841 0

      金屬層2工藝是什么

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      金屬層2（M2）工藝與金屬層1工藝類似。金屬層2工藝是指形成第二層金屬互連線，金屬互連線的目的是實現(xiàn)把第一層金屬或者第三層金屬連接起來。

      2024-10-24 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 837 0

      激光指向穩(wěn)定在光刻系統(tǒng)應(yīng)用中的關(guān)鍵作用及其優(yōu)化方案

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      光刻是半導(dǎo)體制造工藝中的核心之一，極紫外光刻技術(shù)作為新一代光刻技術(shù)也處于快速發(fā)展階段。其基本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光后因光化學(xué)反應(yīng)而形成耐...

      2024-06-27 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體激光 822 0

      用于3D封裝的穿硅通過最后光刻的覆蓋性能（下）

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      本研究通過檢查 TSV 光刻后的 DSA 光學(xué)計量可重復(fù)性，然后將該光學(xué)配準(zhǔn)數(shù)據(jù)與最終的電氣配準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，來仔細(xì)檢查圖像放置性能。

      2022-07-19 標(biāo)簽：封裝光刻TSV 797 0

      考慮光刻中厚掩模效應(yīng)的邊界層模型

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      短波長透明光學(xué)元件的缺乏限制了深紫外光刻中的可用波長，而晶片上所需的最小特征繼續(xù)向更深的亞波長尺度收縮。這對用入射場代替掩模開口上的場的基爾霍夫邊界條件...

      2023-08-25 標(biāo)簽：光刻掩模 743 0

      光刻技術(shù)的發(fā)展如何彎道超車或者換道超車

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      三十年來，半導(dǎo)體掩模技術(shù)基本保持不變，掩模的制作是在可變成形機(jī)上進(jìn)行的，這些機(jī)器將可變元件限制在 45 度角。隨著功能縮小并變得更加復(fù)雜，電子束和多束掩...

      2023-08-01 標(biāo)簽：光刻EUV光刻膠 711 0

      電子束曝光與顯影工藝解讀

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      EBL就像是納米世界里的精密畫筆，能夠在極其微小的尺度上"畫"出任何你想要的二維圖案。

      2025-07-09 標(biāo)簽：納米光刻電子束 603 0

      面向光刻的設(shè)計規(guī)則建立及優(yōu)化

      面向光刻的設(shè)計規(guī)則建立及優(yōu)化

      中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...

      2023-06-14 標(biāo)簽：集成電路光刻微電子 555 0

      ADI 數(shù)據(jù)采集解決方案在先進(jìn)光刻芯片制造領(lǐng)域大放異彩l

      ADI 數(shù)據(jù)采集解決方案在先進(jìn)光刻芯片制造領(lǐng)域大放異彩l

      作者：Pete Bartolik 投稿人：DigiKey 北美編輯 在半導(dǎo)體芯片銷售額從 2022 年的 6000 億美元增至 2030 年的 1 萬億...

      2025-05-25 標(biāo)簽：芯片ADI數(shù)據(jù)采集 243 0

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        +關(guān)注
        AMS1117系列穩(wěn)壓器有可調(diào)版與多種固定電壓版，設(shè)計用于提供1A輸出電流且工作壓差可低至1V。在最大輸出電流時，AMS1117器件的最小壓差保證不超過1.3V，并隨負(fù)載電流的減小而逐漸降低。
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        +關(guān)注
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        德州儀器（TI）MSP430系列超低功耗微控制器包含多種器件，它們特有面向多種應(yīng)用的不同外設(shè)集。這種架構(gòu)與5種低功耗模式相組合，專為在便攜式測量應(yīng)用中延長電池使用壽命而優(yōu)化。該器件具有一個強(qiáng)大的16位 RISCCPU，16位寄存器和有助于獲得最大編碼效率的常數(shù)發(fā)生器。
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        +關(guān)注
        TTP223是觸摸鍵檢測IC，提供1個觸摸鍵。觸摸檢測IC是為了用可變面積的鍵取代傳統(tǒng)的按鈕鍵而設(shè)計的。低功耗和寬工作電壓是觸摸鍵的DC和AC特點。111
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      松玥a jf_92148107 jf_02593861 jf_55870080 jf_85333630 jf_07556477 jf_44990220 夜漠寒

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