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標(biāo)簽 > 光刻
光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個主要工藝。是對半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進行開孔,以便進行雜質(zhì)的定域擴散的一種加工技術(shù)。
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Silvaco TCAD工藝技術(shù)參數(shù)及其說明
?OPTOLITH模塊可對成像(imaging),光刻膠曝光(exposure),光刻膠烘烤(bake)和光刻膠顯影(development)等工藝進行精確定義
回顧半導(dǎo)體技術(shù)趨勢及其對光刻的影響分析與應(yīng)用
應(yīng)用厚的光刻膠,并使用階梯式掩模形成圖案(A thick photoresist is applied and patterned with the s...
淺談芯片制程工序中片內(nèi)&片間均勻性的定義和計算
均勻性是衡量工藝在晶圓上一致性的一個關(guān)鍵指標(biāo)。比如薄膜沉積工序中薄膜的厚度;刻蝕工序中被刻蝕材料的寬度,角度等等,都可以考慮其均勻性。
2023-11-01 標(biāo)簽:晶圓光刻半導(dǎo)體工藝 4728 0
光伏電池測試標(biāo)準(zhǔn)有哪些 光伏電池的分類有哪些
光伏電池可以根據(jù)不同的材料和工藝進行分類。以下是一些常見的光伏電池分類: 1. 硅晶體太陽能電池:硅晶體太陽能電池是最常見和廣泛應(yīng)用的光伏電池類型...
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一,是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成,是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化...
SSMB就產(chǎn)生了和FEL類似的“微聚束”,但是關(guān)鍵還加上了“穩(wěn)態(tài)”。FEL不是穩(wěn)態(tài),電子團在波蕩器里自由互相作用,最后發(fā)出強光完事。SSMB是讓電子束在...
EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光,涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會將圖案打印到晶圓上,用于微芯片設(shè)計過程中的后續(xù)步驟。
淺談Micro OLED生產(chǎn)環(huán)節(jié)
OLED制程。①OLED陽極。②蒸鍍OLED器件。蒸鍍和傳統(tǒng)OLED不一樣,沒有這么密的mask,需要先白光,再加濾光。③封裝,即薄膜封裝層。④CF彩色...
2023-12-04 標(biāo)簽:OLED光刻Micro OLED 3709 0
黃光的波長遠離UV范圍,因此不會引起光刻膠的意外曝光。黃光燈通常不含有紫外線,從而保護光敏材料免受不必要的曝光。
在智能手機等眾多數(shù)碼產(chǎn)品的更新迭代中,科技的改變悄然發(fā)生。蘋果A15仿生芯片等尖端芯片正使得更多革新技術(shù)成為可能。這些芯片是如何被制造出來的,其中又有哪...
EUV光刻技術(shù)仍被認(rèn)為是實現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關(guān)鍵途徑。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟,預(yù)計EUV光刻將在未來繼續(xù)推動芯片制程的進步。
Line Edge Roughness (LER) 線邊緣粗糙度
來源:C Lighting 線邊緣粗糙度(LER) 線邊緣粗糙度(LER)指的是柵極圖案邊緣的隨機變化,即印刷圖案邊緣的粗糙度。當(dāng)最小特征尺寸減小到幾十...
光刻膠層透過掩模被曝光在紫外線之下,變得可溶,掩模上印著預(yù)先設(shè)計好得電路圖案,紫外線透過它照在光刻膠層上,就會形成每一層電路圖形。這個原理和老式膠片曝光類似。
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