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標(biāo)簽 > 光刻
光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進(jìn)行開(kāi)孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。
文章：288個(gè) 瀏覽：30674次 帖子：5個(gè)
勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù)，那么我們?cè)趧蚰z時(shí)，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？
前烘就是在一定溫度下，使膠膜里的溶劑緩慢地?fù)]發(fā)出來(lái)，使膠膜干燥，并增加其粘附性和耐磨性。
晶圓廠每年都會(huì)有固定的幾次MPW機(jī)會(huì)，叫Shuttle （班車(chē)），到點(diǎn)即發(fā)車(chē)，是不是非常形象不同公司拼Wafer，得有個(gè)規(guī)則，MPW按SEAT來(lái)鎖定面積...
2023-10-10 標(biāo)簽：MPW芯片設(shè)計(jì)光刻 2821 0
電子束技術(shù)在半導(dǎo)體制造行業(yè)一直是重要的應(yīng)用技術(shù)。本文就電子束技術(shù)作一個(gè)簡(jiǎn)單的圖文介紹。
2024-04-30 標(biāo)簽：光刻電子束半導(dǎo)體制造 2811 0
非光刻圖案化方法可以從圖案設(shè)計(jì)的自由度上分為三大類(lèi)，第一類(lèi)能夠自由形成任意圖案，主要包括掃描探針刻印（SPL）和噴墨打??；第二類(lèi)需要在模板或預(yù)圖案化基材...
加工技術(shù)：IGBT芯片的加工技術(shù)包括晶圓制備、摻雜、光刻、腐蝕、沉積等方面。加工技術(shù)的發(fā)展可以提高芯片的制造精度和一致性。例如，采用新型的晶圓制備技術(shù)，...
硬烘培溫度的上限以光刻膠流動(dòng)點(diǎn)而定。光刻膠有像塑料的性質(zhì)，當(dāng)加熱時(shí)會(huì)變軟并可流動(dòng)。當(dāng)光刻膠流動(dòng)時(shí)，圖案尺寸便會(huì)改變。當(dāng)在顯微鏡下觀察光刻膠流動(dòng)時(shí)，將會(huì)明...
集成電路越做越小是多個(gè)因素共同作用的結(jié)果，包括技術(shù)進(jìn)步、成本和效率考慮、功耗和散熱需求，以及新應(yīng)用的推動(dòng)，為電子設(shè)備的發(fā)展提供了更多的可能性和機(jī)遇。
電子束加工（Electron Beam Machining 簡(jiǎn)稱(chēng)EBM）起源于德國(guó)。1948年德國(guó)科學(xué)家斯特格瓦發(fā)明了第一臺(tái)電子束加工設(shè)備。它是一種利用...
2023-12-07 標(biāo)簽：控制系統(tǒng)光刻電子束 2386 0
Bumping工藝是一種先進(jìn)的封裝工藝，而Sputter是Bumping工藝的第一道工序，其重要程度可想而知。Sputter的膜厚直接影響B(tài)umping...
本Inseto知識(shí)庫(kù)文檔介紹了光刻中使用的掩模對(duì)準(zhǔn)器曝光模式。
光刻各環(huán)節(jié)對(duì)應(yīng)的不同模型種類(lèi)
光學(xué)模型是基于霍普金斯（Hopkins）光學(xué)成像理論，預(yù)先計(jì)算出透射相交系數(shù)（TCCs），從而描述光刻機(jī)的光學(xué)成像。光學(xué)模型中，經(jīng)過(guò)優(yōu)化的光源，通過(guò)光刻...
2023-12-11 標(biāo)簽：晶圓光刻機(jī)器學(xué)習(xí) 2336 0
助力高級(jí)光刻技術(shù)：存儲(chǔ)和運(yùn)輸EUV掩模面臨的挑戰(zhàn)
隨著半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)突破設(shè)計(jì)尺寸不斷縮小的極限，極紫外 （EUV） 光刻技術(shù)的運(yùn)用逐漸擴(kuò)展到大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中。對(duì)于 7 納米及更小的高級(jí)節(jié)點(diǎn)，EUV 光刻...
?? 光刻掩膜簡(jiǎn)介 ?? ? 光刻掩膜（Photomask）又稱(chēng)光罩、光掩膜、光刻掩膜版等，通常簡(jiǎn)稱(chēng)“mask”，是半導(dǎo)體制造過(guò)程中用于圖案轉(zhuǎn)移的關(guān)鍵工...
本文主要闡述我們?nèi)A林科納在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過(guò)程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素...
套刻計(jì)量（Overlay metrology）工具可提高精度，同時(shí)提供可接受的吞吐量，解決日益復(fù)雜的設(shè)備中的競(jìng)爭(zhēng)要求。
2023-07-10 標(biāo)簽：內(nèi)存光刻機(jī)器學(xué)習(xí) 2259 0
根據(jù)維基百科的定義，光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫(huà)幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所...
2023-04-25 標(biāo)簽：光刻半導(dǎo)體器件光刻膠 2215 0
在這篇文章中，我們?nèi)A林科納演示了在鈦薄膜上形成納米尺度陽(yáng)極氧化物的設(shè)備，以及在接觸或半接觸模式下使用NTMDT公司的求解器PROTM AFM對(duì)其進(jìn)行表征。
光刻技術(shù)是將掩模中的幾何形狀的圖案轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導(dǎo)體晶片表面的薄層輻射敏感材料（稱(chēng)為抗蝕劑）上的過(guò)程
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