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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

利用表面貼裝功率器件提高大功率電動(dòng)汽車電池的充電能力

利用表面貼裝功率器件提高大功率電動(dòng)汽車電池的充電能力

終端用戶希望新的電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)能夠最大限度地減少車輛的空閑時(shí)間,尤其是在長(zhǎng)途駕駛中。

2023-10-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET充電器 740 0

探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用場(chǎng)景

探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅功率器件利用SiC半導(dǎo)體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更高的電子飽和漂移速度和熱導(dǎo)率,以及更高的臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。

2024-03-14 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 738 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(五)——功率半導(dǎo)體熱容

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(五)——功率半導(dǎo)體熱容

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...

2024-11-19 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì) 738 0

SiC功率元器件中浪涌抑制電路設(shè)計(jì)

SiC功率元器件中浪涌抑制電路設(shè)計(jì)

只是由于SiC MOSFET的跨導(dǎo)比Si MOSFET的跨導(dǎo)小一個(gè)數(shù)量級(jí)以上,因此不會(huì)立即流過(guò)過(guò)大的直通電流。所以即使流過(guò)了直通電流,也具有足夠的冷卻能...

2024-01-25 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 728 0

深入探討碳化硅功率器件優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用

深入探討碳化硅功率器件優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用

碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更優(yōu)越的物理和化學(xué)特性,包括更高的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更大的熱導(dǎo)率、更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度。

2024-04-12 標(biāo)簽:變壓器電感器功率器件 728 0

DOH新材料工藝封裝技術(shù)解決功率器件散熱問(wèn)題

DOH新材料工藝封裝技術(shù)解決功率器件散熱問(wèn)題

DOH:DirectonHeatsink,熱沉。助力提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升,解決孔洞和裂紋問(wèn)題提升產(chǎn)品良率及使用壽...

2024-12-24 標(biāo)簽:功率器件SiC新材料 725 0

宇宙輻射如何影響半導(dǎo)體功率器件的故障率?

宇宙輻射如何影響半導(dǎo)體功率器件的故障率?

能量粒子以多種方式影響半導(dǎo)體芯片,例如存儲(chǔ)器、處理器以及模擬和電源設(shè)備。器件的故障率取決于其所暴露的輻射量,這不僅是空間應(yīng)用中至關(guān)重要的因素,在地面電源...

2024-10-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體輻射功率器件 723 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件的功率端子

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件的功率端子

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...

2025-01-06 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì) 720 0

當(dāng)前碳化硅功率器件回顧!

硅功率器件已經(jīng)達(dá)到了它們的材料極限,已經(jīng)達(dá)到了前所未有的成熟。SiC功率器件正在快速成熟,為汽車行業(yè)提供快速開關(guān)、高效的器件性能。然而,它們距離充分發(fā)揮...

2022-11-28 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 718 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)

功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性,還...

2025-02-03 標(biāo)簽:IGBT功率器件碳化硅 703 0

功率器件的材料演進(jìn)之路

功率器件的材料演進(jìn)之路

如今,我們已經(jīng)無(wú)法想象沒有電的生活了。我們生活的各個(gè)方面越來(lái)越依賴于電力。而在電力的生產(chǎn)、分發(fā)和使用過(guò)程中,功率轉(zhuǎn)換起著至關(guān)重要的作用。

2023-08-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 699 0

印制板銅皮走線的注意事項(xiàng)

模塊電源行列也有部分產(chǎn)品采用多層板,主要便于集成變壓器電感等功率器件,優(yōu)化接線、功率管散熱等。具有工藝美觀一致性好,變壓器散熱好的優(yōu)點(diǎn),但其缺點(diǎn)是成本較...

2023-11-03 標(biāo)簽:功率器件模塊電源變壓器 693 0

功率ic是怎么做出來(lái)的

功率IC是通過(guò)半導(dǎo)體工藝制造出來(lái)的電子器件,具有集成度高、功率密度高、體積小等特點(diǎn)。功率IC的制造過(guò)程主要分為以下幾個(gè)步驟: 晶圓制備:用高純度硅作為原...

2023-02-18 標(biāo)簽:IC功率器件功率IC 689 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(八)——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(八)——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...

2024-12-11 標(biāo)簽:二極管功率器件浪涌電流 683 0

一輛汽車需要哪些半導(dǎo)體器件?

一輛汽車需要哪些半導(dǎo)體器件?

用傳感器如雷達(dá)、攝像頭替代人眼,用算法芯片去替代人腦,再用電子控制去替代人的手腳,最終實(shí)現(xiàn)由智能電腦來(lái)控制汽車,實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛。

2023-03-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車傳感器功率器件 675 0

充電樁行業(yè)七大發(fā)展趨勢(shì)

充電樁行業(yè)七大發(fā)展趨勢(shì)

介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù),器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件,包括二極管、晶閘管、MOSFET、IG...

2023-10-09 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 674 0

淺談采埃孚的IGBT功率器件數(shù)字孿生技術(shù)

淺談采埃孚的IGBT功率器件數(shù)字孿生技術(shù)

該方法創(chuàng)建了基于Ansys Twin Builder軟件的熱降階模型,并和CFD的3D熱仿真進(jìn)行了對(duì)比。簡(jiǎn)化的ROM降階模型在所有的計(jì)算結(jié)果中都獲得了可...

2023-08-21 標(biāo)簽:溫度傳感器逆變器IGBT 673 0

導(dǎo)入寬帶隙半導(dǎo)體 滿足高瓦數(shù)電源供應(yīng)需求

導(dǎo)入寬帶隙半導(dǎo)體 滿足高瓦數(shù)電源供應(yīng)需求

益登科技 300W 電源解決方案采用以 SiC/GaN 為材料的 MOSFET 和肖特基勢(shì)壘二極管,以降低開關(guān)損耗和恢復(fù)損耗,搭配 PFC 和 LLC ...

2023-06-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件數(shù)字控制器 672 0

DOH技術(shù)工藝方案解決陶瓷基板DBC散熱挑戰(zhàn)問(wèn)題

DOH技術(shù)工藝方案解決陶瓷基板DBC散熱挑戰(zhàn)問(wèn)題

引言:隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率器件對(duì)散熱性能和可靠性的要求不斷提高。陶瓷基板作為功率器件散熱封裝中的關(guān)鍵材料,以其優(yōu)異的電絕緣性、高熱導(dǎo)率和機(jī)械強(qiáng)度...

2025-03-01 標(biāo)簽:IGBT散熱功率器件 670 0

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    OpenStack
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    MMU
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    馬云
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    OMAPL138
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
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