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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1827個(gè) 瀏覽：92448次 帖子：50個(gè)

      功率器件技術(shù)

      碳化硅功率器件的優(yōu)越性能

      碳化硅功率器件的優(yōu)越性能

      碳化硅（SiC）功率器件是近年來半導(dǎo)體行業(yè)中的重要發(fā)展方向。相比傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件，SiC功率器件具有更高的耐高溫、高壓和高頻性能，廣泛應(yīng)用于電力...

      2024-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 666 0

      功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)選型避坑指南

      動(dòng)態(tài)特性是功率器件的重要特性，在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個(gè)環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測試是相關(guān)工作的必備一環(huán)，主要采用...

      2023-02-10 標(biāo)簽：MOSFET測試系統(tǒng)分立器件 665 0

      安森美GaN功率器件的功能和優(yōu)點(diǎn)

      安森美GaN功率器件的功能和優(yōu)點(diǎn)

      GaN功率器件的應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及，大大提升了電源的效率和功率密度，其優(yōu)點(diǎn)和用量遞增，也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。 安森美（onse...

      2024-11-15 標(biāo)簽：安森美功率器件GaN 660 0

      微米級(jí)銅在高溫功率器件的應(yīng)用

      微米級(jí)銅在高溫功率器件的應(yīng)用

      功率電子產(chǎn)品的應(yīng)用已擴(kuò)展到相當(dāng)多的行業(yè)，如汽車，航空航天和軍事行業(yè)。高功率電子設(shè)備需要能夠適應(yīng)更高的使用溫度（>250°C），這大大增加了對(duì)設(shè)備材...

      2024-03-18 標(biāo)簽：封裝功率器件CU 652 0

      如何為功率器件、變換器測試挑選合適的探頭?

      如何為功率器件、變換器測試挑選合適的探頭?

      探頭與示波器被稱為工程師的眼睛，是工程師進(jìn)行電信號(hào)測量時(shí)必不可少的工具。探頭在功率領(lǐng)域的應(yīng)用是其發(fā)揮作用的重要方面，包括功率器件測試和變換器測試兩個(gè)方面。

      2023-10-17 標(biāo)簽：變換器功率器件示波器探頭 647 0

      新能源汽車功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測技術(shù)研究

      新能源汽車功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測技術(shù)研究

      提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導(dǎo)通壓降及電流在線檢測電路，設(shè)計(jì)了兼具結(jié)溫監(jiān)測功能的驅(qū)動(dòng)電路，并提出了- -種結(jié)溫反推方法，提升了結(jié)...

      2023-05-23 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 639 0

      深入探索研究SiC功率器件高效互連技術(shù)

      深入探索研究SiC功率器件高效互連技術(shù)

      本文采用的DTS（DieTopSystem）技術(shù)結(jié)合了芯片雙面銀燒結(jié)工藝與銅線鍵合工藝，此技術(shù)能夠避免直接在芯片上進(jìn)行銅線鍵合時(shí)造成的芯片損傷。

      2024-03-18 標(biāo)簽：DTS功率器件SiC 638 0

      碳化硅功率器件的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

      隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件因其物理特性的限制，已經(jīng)逐漸難以滿足日益增長的高性能、高效率、高可靠性的應(yīng)用需求。在這一背景下，碳化硅（S...

      2024-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 637 0

      氧化鎵功率器件的研究新發(fā)展總結(jié)

      相比于目前常見的寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN，Ga2O3的Baliga品質(zhì)因數(shù)更大、預(yù)期生長成本更低，在高壓、大功率、高效率、小體積電子器件方面更具潛力。

      2023-03-13 標(biāo)簽：功率二極管功率器件功率晶體管 626 0

      碳化硅功率器件的電氣性能優(yōu)勢(shì)

      碳化硅功率器件的電氣性能優(yōu)勢(shì)

      SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導(dǎo)通電阻（1/100 于Si），導(dǎo)通損耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏...

      2023-12-20 標(biāo)簽：二極管功率器件氮化鎵 626 0

      集成容性隔離助力高密度適配器設(shè)計(jì)

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      快充需求推動(dòng)了高密度適配器的蓬勃發(fā)展。在實(shí)際的適配器設(shè)計(jì)中，花樣繁多的新型開關(guān)功率器件、拓?fù)浜涂刂品桨覆挥?jì)其數(shù)。

      2023-08-02 標(biāo)簽：MOSFET適配器功率器件 624 0

      浮思特 | 第四代場阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能

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      由于其低導(dǎo)通損耗和開關(guān)能量損耗，IGBT廣泛應(yīng)用于高功率應(yīng)用領(lǐng)域，如電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器和電動(dòng)汽車等。對(duì)更先進(jìn)功率器件的需求促使了新型硅基開發(fā)及寬禁帶材...

      2024-11-06 標(biāo)簽：IGBTMOS功率器件 624 0

      SJMOS微逆變是什么？有哪些優(yōu)點(diǎn)？

      “光伏”是當(dāng)下新能源行業(yè)的熱門話題。隨著全球能源危機(jī)不斷加劇，太陽能作為一種綠色、可再生的能源逐漸受到人們的關(guān)注。在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中，光伏逆變器的作用不...

      2024-10-15 標(biāo)簽：太陽能功率器件光伏逆變器 620 0

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      　我們的研究顯示，早期市場的發(fā)展多由政策推動(dòng)，隨著三電技術(shù)提升、智能網(wǎng)聯(lián)配置的加持，新能源汽車產(chǎn)品的性價(jià)比得到了極大的提升?！袄m(xù)航里程 +補(bǔ)能體驗(yàn)”的雙...

      2023-10-09 標(biāo)簽：新能源汽車控制器功率器件 612 0

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      由于功率模塊的設(shè)計(jì)和幾何形狀可以實(shí)現(xiàn) EMI 建模，從而使設(shè)計(jì)人員能夠在設(shè)計(jì)流程的早期預(yù)測和了解其系統(tǒng)中的 EMI 反應(yīng)。

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      2025-05-21 標(biāo)簽：工藝IGBT功率器件 608 0

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      隨著新能源汽車市場的爆發(fā)，電動(dòng)汽車已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場，行業(yè)普遍預(yù)估，2027年車用碳化硅功率器件市場規(guī)模能達(dá)到60億美元。

      2023-09-11 標(biāo)簽：逆變器功率器件SiC 608 0

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      垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的一次革命性進(jìn)展。這種集成能夠使驅(qū)動(dòng)和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們...

      2025-01-16 標(biāo)簽：MOS功率器件GaN 606 0

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      隨著全球?qū)稍偕茉春颓鍧嶋娏ο到y(tǒng)的需求不斷增長，光儲(chǔ)充一體化市場為實(shí)現(xiàn)能源的高效利用和優(yōu)化配置提供了創(chuàng)新解決方案。在此趨勢(shì)引領(lǐng)下，碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)...

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      2023-11-23 標(biāo)簽：汽車電池功率器件 599 0

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