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標簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導體器件基礎。
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傳統(tǒng)的硅基功率器件在應對這一挑戰(zhàn)時,其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn),為電力電子行業(yè)帶來了革新性的改變,成為了解決這一問題的關鍵所在。
大聯(lián)大品佳集團推出基于Infineon核心技術的 48V EEA方案 引領未來
品佳集團推出基于Infineon技術的48V EEA方案,兼容12V與48V平臺,支持多種負載類型,具備高安全性、靈活性和可擴展性,滿足新型電動汽車的多...
半導體設計面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設計挑戰(zhàn)如何破?
基于開關電力電子器件的轉換器和逆變器是可再生能源發(fā)電廠和電動汽車的關鍵組件。雖然MOSFET和IGBT都可以用在相關系統(tǒng)中,但前者的柵極驅動功率較低、開...
低頻紋波是與輸出電路的濾波電容容量相關。由于開關電源體積的限制,電解電容的容量不可能無限制地增加,導致輸出低頻紋波的殘留,該輸出紋波頻率隨整流電路方式的...
碳化硅(SiC)功率器件因其低內阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關注和應用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝技術至...
高電壓會導致壓縮機、PTC和電機驅動MCU成本增.加,以當前較為成熟的2C快充,采用150kW前驅動系統(tǒng)為例,950V電壓平臺相比450V電壓平臺增加成...
納微半導體GeneSiC碳化硅MOSFETs為高頻充電樁實現(xiàn)最佳充電效果
碳化硅(SiC)是一種新的“寬禁帶”功率半導體材料,正在快速取代傳統(tǒng)硅功率芯片,應用于可再生能源、儲能、 微網(wǎng)、電動汽車和工業(yè)應用等高功率、高壓應用領域。
碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉換技術,因其優(yōu)異的性能在能源領域受到了廣泛的關注。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、特點以及在能源轉換中的...
對 Ga2O3外延材料、功率二極管和功率晶體管的國內外最新研究進行了概括總結,展望了Ga2O3在未來的應用與發(fā)展前景。
先積產品在家用電器中的應用PRODUCTAPPLICATION據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計分析,2023年家電板塊整體實現(xiàn)穩(wěn)健增長,毛利率持續(xù)提升下利潤增速更快。2023...
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