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場(chǎng)效應(yīng)晶體管

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)

萬(wàn)用表如何判斷mos管好壞

本文介紹了萬(wàn)用表如何判斷mos管好壞，mos管是金屬—氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以...

2018-01-12 標(biāo)簽：萬(wàn)用表 mos管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 13.4萬(wàn) 0

晶體管工作原理

場(chǎng)效應(yīng)晶體管，英語(yǔ)名稱為Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱為場(chǎng)效應(yīng)管，是一種通過(guò)對(duì)輸入回路電場(chǎng)效應(yīng)的控制來(lái)控制輸出回路電流的器件?？煞?..

2018-11-26 標(biāo)簽：晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 7.8萬(wàn) 0

IGBT過(guò)流故障和短路故障的區(qū)別

在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種被廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體開關(guān)器件。它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的輸入阻抗高和雙極...

2024-02-18 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 IGBT 4.9萬(wàn) 1

mosfet的三個(gè)電極怎么區(qū)分 mos管三個(gè)極電壓關(guān)系

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）有三個(gè)主要電極，分別是柵極（Gate）、漏極（Source）和源極（Drain）。這三個(gè)電極的區(qū)分方法如下

2023-09-18 標(biāo)簽：MOSFET MOS 柵極 3.9萬(wàn) 2

Efuse是什么？聊聊芯片級(jí)的eFuse

eFuse基于一個(gè)簡(jiǎn)單概念，即通過(guò)測(cè)量已知電阻器上的電壓來(lái)檢測(cè)電流，然后在電流超過(guò)設(shè)計(jì)限值時(shí)，通過(guò)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 切斷電流。

2023-11-01 標(biāo)簽：FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 NVM 3.5萬(wàn) 0

IGBT場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理 IGBT場(chǎng)效應(yīng)管的選擇方法

IGBT，即絕緣柵雙極晶體管，是一種高效能的半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極結(jié)型晶體管（BJT）的特性。

2024-02-22 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 電源電壓 3.5萬(wàn) 0

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）的工作原理/工作模式/特性/優(yōu)點(diǎn)

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱JFET，已被廣泛用于電子電路中。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET是一種可靠且有用的電子元件，可以很容易地用于從放大器到開關(guān)電路的各種電子電路中。

2023-02-09 標(biāo)簽：JFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 jfet器件 2.9萬(wàn) 0

場(chǎng)效應(yīng)管原理通俗理解場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)怎么看場(chǎng)效應(yīng)管是做什么用的

場(chǎng)效應(yīng)管（英語(yǔ)：field-effect transistor，縮寫：FET）是一種通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的電子器件。

2023-07-28 標(biāo)簽：開關(guān)電源 FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.7萬(wàn) 0

新一代鐵電存儲(chǔ)器的發(fā)展勢(shì)頭正在形成，這將改變下一代存儲(chǔ)格局

不過(guò)，就研發(fā)階段而論，F(xiàn)eFET本身并不是一個(gè)新器件。對(duì)于FeFET，其主要原理是在現(xiàn)有的邏輯晶體管上采用基于氧化鉿基的High-K(高K)柵電介質(zhì)+M...

2018-01-10 標(biāo)簽：內(nèi)存場(chǎng)效應(yīng)晶體管鐵電存儲(chǔ)器 2.3萬(wàn) 0

全面解析BJT、FET、JFET、MOSFET、IGBT晶體管

晶體管是一種三端半導(dǎo)體器件，用于開關(guān)或放大信號(hào)。其輸入端的小電流或電壓可用于控制非常高的輸出電壓或電流。

2024-01-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 晶體管 2.2萬(wàn) 1

增強(qiáng)型和耗盡型MOSFET之間的區(qū)別是什么？

MOSFET可進(jìn)一步分為耗盡型和增強(qiáng)型。這兩種類型都定義了MOSFET的基本工作模式，而術(shù)語(yǔ)MOSFET本身是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的縮寫。

2023-06-28 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.1萬(wàn) 0

雙極性晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的區(qū)別

場(chǎng)效應(yīng)管中，導(dǎo)電過(guò)程是多數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)，故稱為單極型晶體管；雙極型晶體管中既有多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)又有少子的漂移運(yùn)動(dòng)。

2019-09-13 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)晶體管雙極性晶體管 2.0萬(wàn) 0

MOSFET上橋故障原因及解決辦法

MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）上橋故障是電子電路中常見的問(wèn)題之一，通常指的是在電機(jī)控制系統(tǒng)中，由于上橋臂的MOSFET出現(xiàn)問(wèn)題，導(dǎo)致電機(jī)...

2024-08-12 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.8萬(wàn) 0

ttl電路和cmos電路的區(qū)別 TTL邏輯門的電路圖設(shè)計(jì)

TTL （Transistor-Transistor Logic）和 CMOS （Complementary Metal-Oxide Semicond...

2023-07-25 標(biāo)簽：CMOS 二極管 TTL 1.8萬(wàn) 0

場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理、放大電路及作用

　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—J...

2023-02-24 標(biāo)簽：放大電路場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 1.5萬(wàn) 0

耗盡型MOSFET的符號(hào)/工作原理/類型/特性/應(yīng)用場(chǎng)景

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）是一種電壓控制器件，由源極、漏極、柵極和主體等端子構(gòu)成，用于放大或切換電路內(nèi)的電壓，也廣泛用于數(shù)字應(yīng)用的IC...

2023-07-05 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管電壓控制器 1.3萬(wàn) 0

什么是晶體管？晶體管的種類及其特性

晶體管是通常用于放大器或電控開關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。

2023-09-27 標(biāo)簽：放大器繼電器微處理器 1.3萬(wàn) 0

SiC性能在實(shí)際應(yīng)用中已經(jīng)超過(guò)GaN

作者：United Silicon Carbide公司新產(chǎn)品導(dǎo)入經(jīng)理Zhongda Li 寬帶隙器件的承諾諸如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶...

2018-02-28 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 SiC GaN 1.1萬(wàn) 1

電源開關(guān)電路-NMOS和PMOS區(qū)別

NMOS和PMOS都是MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管的重要類型，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)和功能上有一些關(guān)鍵的區(qū)別。

2024-04-09 標(biāo)簽：NMOS 電源開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.1萬(wàn) 0

mosfet里vgs和vds的關(guān)系

在MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）中，Vgs（柵極-源極電壓）和Vds（漏極-源極電壓）之間的關(guān)系是理解MOSFET工作特性的關(guān)鍵。一、基...

2024-09-29 標(biāo)簽：MOSFET 源極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.1萬(wàn) 0

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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管

場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)

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