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場(chǎng)效應(yīng)晶體管

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)（FET））簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)

vdmos器件厚度對(duì)電阻的影響

VDMOS（Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transi...

2024-09-29 標(biāo)簽：電阻 VDMOS器件場(chǎng)效應(yīng)晶體管 790 0

SiC MOSFET使用溝槽柵真的有必要嗎？

MOSFET全稱(chēng)金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。

2023-08-24 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管體二極管 745 0

GaN FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)中集成電流傳感的優(yōu)勢(shì)

本文重點(diǎn)介紹了一項(xiàng)新發(fā)展：將電流傳感(CS)直接集成到采用PDFN封裝的氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)中，且無(wú)需外部供電。我們將深入探討這一解決...

2024-08-23 標(biāo)簽：傳感器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 GaN 676 0

技術(shù)資料#TPS7B4261-Q1 汽車(chē)級(jí) 300mA 40V 電壓跟蹤低壓差穩(wěn)壓器，具有獨(dú)立的使能和電源良好狀態(tài)

TPS7B4261-Q1 是一款單片集成低壓差電壓跟蹤器。該器件采用 8 引腳 HSOIC 封裝。TPS7B4261-Q1 設(shè)計(jì)用于在汽車(chē)環(huán)境中為非車(chē)載...

2025-02-26 標(biāo)簽：封裝電纜場(chǎng)效應(yīng)晶體管 654 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管與微流控器件的集成應(yīng)用分析

據(jù)麥姆斯咨詢(xún)報(bào)道，近期，來(lái)自巴西坎皮納斯州立大學(xué)（State University of Campinas）以及巴西國(guó)家生物分析科學(xué)技術(shù)研究所（Nati...

2023-07-28 標(biāo)簽：傳感器場(chǎng)效應(yīng)晶體管微流控器件 650 0

單向晶閘管的檢測(cè)

正常時(shí)陽(yáng)值成為數(shù)下歐以值較小司圍2.2 VMOS場(chǎng)效應(yīng)品體管源極S、漏極D的判定 VMSO場(chǎng)效應(yīng)晶體管的R和R的檢測(cè)

2023-05-24 標(biāo)簽：晶閘管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 VMOS管 598 0

用戶(hù)指南#LMG3100 評(píng)估模塊 LMG3100EVM-089介紹

LMG3100 評(píng)估模塊（EVM）是一款緊湊、易于使用的功率級(jí)，帶有外部 PWM 信號(hào)。該板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?..

2025-02-21 標(biāo)簽：電源模塊降壓轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 548 0

用戶(hù)指南：LMG2100EVM-097 LMG2100R026評(píng)估模塊介紹

LMG2100R026 評(píng)估模塊是一款緊湊且易于使用的功率級(jí)模塊，通過(guò)外部 PWM 信號(hào)進(jìn)行控制。該電路板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的...

2025-02-21 標(biāo)簽：升壓轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 535 0

關(guān)于模擬電路的40個(gè)實(shí)用小常識(shí)

穩(wěn)壓二極管就是一種穩(wěn)定電路工作電壓的二極管，由于特殊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，適用反向擊穿的工作狀態(tài)，只要限制電流的大小，這種擊穿是非破壞性的。

2023-01-09 標(biāo)簽：pcb 模擬電路穩(wěn)壓二極管 524 1

"超越 MOSFET "的晶體管是否真的存在？

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）是互補(bǔ)金...

2023-10-20 標(biāo)簽：集成電路 CMOS MOSFET 479 0

用戶(hù)指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評(píng)估模塊

LMG342XEVM - 04X 包含兩個(gè)以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成，...

2025-02-21 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 GaN 425 0

TPS7H6015-SEP 耐輻射 60V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS7H60x5 系列抗輻射保證（RHA）氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）柵極驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 ...

2025-05-15 標(biāo)簽：ldo 封裝 FET 279 0

OPA1S2385 具有集成低電平有效開(kāi)關(guān)和緩沖器的、250MHz、CMOS跨阻放大器技術(shù)手冊(cè)

OPA1S2384 和 OPA1S2385 (OPA1S238x) 將高帶寬，場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 輸入運(yùn)算放大器與一個(gè)快速 SPST COMS 開(kāi)...

2025-04-30 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管高帶寬跨阻放大器 272 0

TPS7H6013-SP 抗輻射 QMLV 60V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證（RHA）氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）柵極驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 T...

2025-05-15 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 ldo 電源電壓 272 0

TPS7H6005-SEP 耐輻射 200V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

2025-05-15 標(biāo)簽：ldo FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 243 0

TPIC46L01 1.2mA/1.2mA 6 通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPIC46L01、TPIC46L02 和 TPIC46L03 是低側(cè)預(yù)驅(qū)動(dòng)器，提供串行輸入接口和并行輸入接口，用于控制 6 個(gè)外部場(chǎng)效應(yīng)晶體管（F...

2025-05-22 標(biāo)簽：輸入接口電源開(kāi)關(guān)FET 231 0

TPS7H6025-SEP 耐輻射 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

2025-05-15 標(biāo)簽：封裝 FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 226 0

TPS7H6023-SP 抗輻射 QMLV 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

2025-05-15 標(biāo)簽：FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 GaN 223 0

TPS7H6003-SP 抗輻射 QMLV 200V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

2025-05-15 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 216 0

LMG1210 GaNFET 和 MOSFET 的 1.5A、3A、200V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器、5V UVLO 和可編程死區(qū)時(shí)間數(shù)據(jù)手冊(cè)

LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)為超高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)，具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間能...

2025-05-24 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 ldo 可編程 204 0

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Arduino

Arduino

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
FinFET

FinFET

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FinFET全稱(chēng)叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
20nm

20nm

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村田

村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車(chē)相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷(xiāo)售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶(hù)、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
羅姆

羅姆

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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)

工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)

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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線(xiàn)鏈路可用時(shí)再行處理。
金升陽(yáng)

金升陽(yáng)

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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷(xiāo)售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
Vicor

Vicor

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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專(zhuān)注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
MHL

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Bourns

Bourns

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體感控制

體感控制

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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
模擬芯片

模擬芯片

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閃存技術(shù)

閃存技術(shù)

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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
美滿(mǎn)電子

美滿(mǎn)電子

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碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。
Zynq

Zynq

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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車(chē)駕駛員輔助以及工廠(chǎng)自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
Kinetis

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Cirrus LogIC

Cirrus LogIC

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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
華星光電

華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
柵極驅(qū)動(dòng)器

柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
研華

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32位單片機(jī)

32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
驍龍

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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱(chēng)。
Cortex-A

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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
Mobileye

Mobileye

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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶(hù)端功能，例如車(chē)道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車(chē)輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車(chē)距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
CC2541

CC2541

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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
超級(jí)本

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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類(lèi)筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
G3-PLC

G3-PLC

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管

場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)

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