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標簽 > 場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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在電子電路設(shè)計中,MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種常用的功率器件,具有高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻、低驅(qū)動功耗等優(yōu)點。然而,如果MOSFE...
2024-08-01 標簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管功率器件 1907 0
引言:MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor)的縮...
2023-06-16 標簽:MOSFETMOS管場效應(yīng)晶體管 1902 0
傳統(tǒng)集中式配電架構(gòu)需要將電能從電池分配到各個負載系統(tǒng),而智能配電系統(tǒng)采用分布式架構(gòu),減少了線束回路長度。e-Fuse的電流監(jiān)測關(guān)斷特性能夠降低線徑裕量的...
基于他對理解半導(dǎo)體物理學(xué)的理論貢獻和他發(fā)明的結(jié)型晶體管,肖克利與巴Bardeen 和 Brattain一起接受了 1956 年諾貝爾物理學(xué)獎,以表彰“半...
場效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應(yīng)來控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件,并以此命名。因為它只依靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子來導(dǎo)電,所以又稱為單極晶體管。場...
2023-05-16 標簽:晶體管場效應(yīng)晶體管半導(dǎo)體器件 1822 0
場效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種利用電場效應(yīng)來控制電流的半導(dǎo)體器件。它具有高輸入阻抗、低噪聲、快速響應(yīng)等...
2024-08-01 標簽:場效應(yīng)晶體管半導(dǎo)體器件導(dǎo)電性 1740 0
深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET
眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝,來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(M...
2024-04-10 標簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管SiC 1705 0
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的功率開關(guān)器件。選型時需要考慮多種因素,以確保MOSFET的性能滿足特定應(yīng)用的需求...
2024-07-11 標簽:MOS管場效應(yīng)晶體管電子電路 1654 0
172A、100V參數(shù)的MOS管更適合PD電源使用!
在PD(Power Delivery)電源中,MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)主要扮演著開關(guān)和調(diào)節(jié)電流的角色。
2023-08-07 標簽:轉(zhuǎn)換器MOS管場效應(yīng)晶體管 1634 0
究竟有哪一些款式的MOS管是比較常用于72V的電機控制器呢?
在全球出行電動化的背景下,結(jié)合2021-2027全球與中國電動摩托車市場現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢》報告:2026年全球電動摩托車市場規(guī)模有望達到693億元,年...
2023-09-28 標簽:MOS管場效應(yīng)晶體管電機控制器 1633 0
美格納發(fā)布第8代150V MXT MV MOSFET
美格納半導(dǎo)體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術(shù)的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。MXT MV ...
2023-10-12 標簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管漏極 1590 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了絕緣柵場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型晶體...
2024-01-22 標簽:IGBT場效應(yīng)晶體管工業(yè)控制 1588 0
無損評估、生物醫(yī)學(xué)診斷和安全篩查等諸多令人興奮的太赫茲(THz)成像應(yīng)用,由于成像系統(tǒng)的光柵掃描要求導(dǎo)致其成像速度非常慢,因此在實際應(yīng)用中一直受到限制。
在電子元件中,金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOS管)是獨特且重要,然而相比其他元件,MOS管很容易失效,導(dǎo)致電路無法正常運行,因此工程師必須查找原因...
mos驅(qū)動芯片需關(guān)注的參數(shù)有哪些
MOS驅(qū)動芯片是一種用于驅(qū)動MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的集成電路,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、LED照明等領(lǐng)域。在設(shè)計和選擇MOS驅(qū)...
2024-07-14 標簽:集成電路MOS場效應(yīng)晶體管 1506 0
美格納推出第六代 600V 超級結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFE...
2023-11-02 標簽:半導(dǎo)體服務(wù)器場效應(yīng)晶體管 1491 0
EDA探索之新型垂直互補場效應(yīng)晶體管(CFET)結(jié)構(gòu)設(shè)計
集成電路密度的提升是一個業(yè)界持續(xù)追求的方向,也是“集成”的含義所在。提升集成電路器件密度有多種方式,其中降低器件的單位面積是最根本也是最有效的途徑。
2023-02-16 標簽:集成電路振蕩器場效應(yīng)晶體管 1478 0
基于Cr2C的面內(nèi)雙勢壘磁性隧道結(jié)中的巨遂穿磁阻
然而,關(guān)于基于2D磁性材料的平面內(nèi)MTJ的報道很少。已報道的平面內(nèi)MTJ Mn2CF2/Ti2CO2/Mn2CF2,其TMR的峰值約為106。面內(nèi)MTJ...
2023-06-01 標簽:納米場效應(yīng)晶體管磁性材料 1459 0
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