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場效應(yīng)晶體管

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場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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場效應(yīng)晶體管技術(shù)

簡化汽車車身電機控制器設(shè)計，快速實現(xiàn)輕量化

本文中，我們將討論可幫助應(yīng)對這些設(shè)計挑戰(zhàn)、集成到電機驅(qū)動集成電路中的特定模擬功能。

2020-12-14 標(biāo)簽：德州儀器場效應(yīng)晶體管柵極驅(qū)動 1448 0

應(yīng)用于汽車功放電路的FHP45N20W場效應(yīng)管

如何能夠從品質(zhì)提升自己的產(chǎn)品力，進而獲取市場青睞。對于汽車音響功放，選用一款能替代國外IRFB38N20D型號參數(shù)的MOS管尤為重要。

2022-10-28 標(biāo)簽：MOS管場效應(yīng)晶體管 1427 0

基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET功率最新進展

近期，美國南卡羅來納大學(xué)報道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶...

2023-05-25 標(biāo)簽：充電器晶體管場效應(yīng)晶體管 1422 0

MOS管的原理是什么？它是如何起作用的？

mos管，即在集成電路中絕緣性場效應(yīng)管。是金屬（metal）—氧化物（oxid）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管。

2023-02-12 標(biāo)簽：場效應(yīng)管 MOS管晶體管 1420 0

高壓大電流DMOS外延區(qū)電阻率設(shè)計

功率MOS場效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。

2023-07-07 標(biāo)簽：開關(guān)電源斬波器逆變器 1411 0

高載流子遷移率膠體量子點紅外探測器使用

短波紅外和中波紅外波段是兩個重要的大氣窗口。在該波段范圍內(nèi)，碲化汞膠體量子點表現(xiàn)出良好的光響應(yīng)。

2023-10-16 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管紅外探測器光譜儀 1408 0

MOS管FDBL86066型號參數(shù)常用于電池管理系統(tǒng)BMS

儲能行業(yè)的發(fā)展每年都在增長，尤其是在俄烏沖突的影響下，海外民眾為解決用電需求，開始購入戶用儲能等產(chǎn)品，在歐洲的海外市場爆發(fā)尤為顯著。

2023-08-07 標(biāo)簽：MOS管電池管理系統(tǒng)場效應(yīng)晶體管 1403 0

IGBT的G極電壓影響因素、測量方法及應(yīng)用

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種電力電子器件，它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極型晶體管（BJT）的優(yōu)點。IGBT在許多領(lǐng)域中...

2024-07-25 標(biāo)簽：電壓 IGBT 電子器件 1387 0

北京理工大學(xué)實現(xiàn)了光導(dǎo)型向平面光伏型量子點紅外成像芯片的變革

紅外成像技術(shù)有廣泛應(yīng)用，現(xiàn)有的紅外成像芯片主要采用外延生長方法制備的塊體半導(dǎo)體材料，通過倒裝鍵合工藝實現(xiàn)與硅基讀出電路互聯(lián)，其價格高昂、工藝復(fù)雜，嚴重制...

2023-08-11 標(biāo)簽：FET 場效應(yīng)晶體管紅外探測器 1346 0

FET晶體管電路設(shè)計參數(shù)

與作為電流控制器件的雙極晶體管不同，場效應(yīng)晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設(shè)計方式與雙極晶體管電路的設(shè)計方式大不相同。

2024-01-09 標(biāo)簽：電路設(shè)計晶體管場效應(yīng)晶體管 1321 0

mos驅(qū)動芯片失調(diào)電壓的產(chǎn)生原因

MOS驅(qū)動芯片，也稱為MOSFET驅(qū)動芯片，是一種用于驅(qū)動MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的集成電路。 MOSFET簡介 MOSFET是一種...

2024-07-14 標(biāo)簽：MOS 場效應(yīng)晶體管驅(qū)動芯片 1320 0

平面光伏型膠體量子點紅外成像芯片的工作原理

電場激活原位摻雜的平面光伏型膠體量子點紅外成像芯片的工作原理如圖1所示。通過離子溶液處理和恒定電場激活，器件的工作模式由光導(dǎo)型變成了光伏型。場效應(yīng)晶體管...

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低溫傳輸測量證明了高質(zhì)量扭曲的雙層石墨烯器件在接近魔角θ≈1.1°時的預(yù)期特征。在圖1b中，四探針縱向電阻Rxx被繪制成在基礎(chǔ)混合室溫度為40 mK時使...

2023-02-10 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管石墨烯晶格 1267 0

半導(dǎo)體光刻工藝光刻—半導(dǎo)體電路的繪制

金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。

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11GHz ~ 20GHz HMC554ALC3BTR混頻器概述

HMC554ALC3B是一種通用的雙平衡無引線RoHS兼容無引線芯片載體（LCC）中的混頻器可以用作上變頻器或下變頻器的封裝。

2023-05-26 標(biāo)簽：變頻器混頻器場效應(yīng)晶體管 1263 0

選用MOS管還是三極管？

三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件，其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關(guān)。

2023-02-16 標(biāo)簽：三極管場效應(yīng)管 MOS管 1254 0

簡單認識場效應(yīng)管和集成運放

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET），又稱場效應(yīng)管，是一種利用電場效應(yīng)來控制半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的電壓控制型半導(dǎo)體器...

2024-08-15 標(biāo)簽：場效應(yīng)管場效應(yīng)晶體管集成運放 1228 0

柵極驅(qū)動芯片怎么提高電流

柵極驅(qū)動芯片提高電流的方法主要有以下幾種： 1. 增加功率管增加MOSFET數(shù)量：通過增加MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）等功率管的數(shù)量...

2024-09-18 標(biāo)簽：芯片電流場效應(yīng)晶體管 1209 0

單相逆變電路的類型有哪些

單相逆變電路是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的電力電子設(shè)備，廣泛應(yīng)用于家用電器、工業(yè)控制、可再生能源等領(lǐng)域。單相逆變電路的類型單相逆變電路按照不同的分...

2024-07-08 標(biāo)簽：電子設(shè)備場效應(yīng)晶體管逆變電路 1190 0

請教一下經(jīng)受過嚴重ESD電擊的CMOS IC的可靠性會降低嗎？

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場效應(yīng)晶體管

場效應(yīng)晶體管技術(shù)

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