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場(chǎng)效應(yīng)晶體管

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)

常見(jiàn)的五種繼電器繼電器的作用和原理

繼電器的原理是基于電磁感應(yīng)。當(dāng)電流通過(guò)繼電器的線圈時(shí)，產(chǎn)生的磁場(chǎng)會(huì)使開(kāi)關(guān)閉合或斷開(kāi)。這樣，繼電器就可以在一個(gè)電路中控制另一個(gè)電路的通斷。例如，可以使用低...

2023-11-09 標(biāo)簽：繼電器晶閘管低電壓 3201 0

絕緣柵雙極型晶體管IGBT工藝仿真

MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管部分載流子累積又使得此復(fù)合結(jié)構(gòu)中 BJT 部分的基極驅(qū)動(dòng)電流顯著增加，二者協(xié)同工作，從而改善了整個(gè)器件的特性。

2023-04-24 標(biāo)簽：IGBT MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3199 0

平面互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管替代金屬柵工藝流程

該工藝是指在形成層間介質(zhì)層（ILD）后，插入工序以形成高k介質(zhì)和金屬柵疊層，即在化學(xué)機(jī)械拋光（露出多晶硅柵疊層）后，刻蝕掉硬掩模（氮化硅/氧化硅），利用...

2023-01-17 標(biāo)簽：CMOS 多晶硅晶體管 3111 0

晶體管如何利用“0”和“1”處理數(shù)據(jù)？

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的同樣有三個(gè)極，分別為源極（Source）、柵極（Gate 也叫閘極）和漏極（Drain）。通過(guò)在柵極和源極之間施加電壓就能改變?cè)礃O和漏極之...

2023-02-16 標(biāo)簽：晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3031 0

鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理

鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種基于鐵電材料的新型晶體管技術(shù)，其工作原理涉及到鐵電材料的極化反轉(zhuǎn)特性及其對(duì)半導(dǎo)體通道電流的調(diào)控。

2024-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3002 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的作用

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn)，這就決定了場(chǎng)效應(yīng)晶體管與...

2023-05-16 標(biāo)簽：晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管雙極型 3000 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻（簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)），使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱為源和漏?？刂茩M向電場(chǎng)的電...

2023-05-16 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2994 0

mosfet漏極外接二極管的作用 mosfet源極和漏極的區(qū)別

漏極外接二極管（Drain-Source Diode，簡(jiǎn)稱D-S二極管）在MOSFET電路中起到了重要的作用，本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區(qū)別...

2024-01-31 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2956 0

石墨烯的性能及應(yīng)用介紹

石墨烯（Graphene）是一種以sp2雜化連接的碳原子緊密堆積成單層二維蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)的新材料。

2023-11-29 標(biāo)簽：激光器碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2933 0

可以用鋁或多晶硅做柵極材料，是什么原因呢？

柵（Gate）是一種控制元件，通常用于場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）中，比如金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）等。

2024-03-13 標(biāo)簽：多晶硅 MOSFET 半導(dǎo)體 2922 0

三星宣布業(yè)界首個(gè)3nm級(jí)制造技術(shù)開(kāi)始大量生產(chǎn)

納米線是直徑在納米量級(jí)的納米結(jié)構(gòu)。納米線技術(shù)的基本吸引力之一是它們表現(xiàn)出強(qiáng)大的電學(xué)特性，包括由于其有效的一維結(jié)構(gòu)而產(chǎn)生的高電子遷移率。

2022-04-29 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2829 0

一個(gè)簡(jiǎn)單的100W逆變器電路

逆變器是一種將直流電（DC）轉(zhuǎn)換為交流電（AC）的小電路。電池的功率轉(zhuǎn)換為“主電壓”或交流電源。

2023-09-01 標(biāo)簽：繼電器逆變器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2632 0

氧化鎵異質(zhì)集成和異質(zhì)結(jié)功率晶體管研究

超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導(dǎo)體具有臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高和可實(shí)現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢(shì)，在功率電子和微波射頻器件方面具有重要的研究?jī)r(jià)值和廣闊的應(yīng)用前景。

2023-07-27 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管肖特基二極管熱管理 2590 0

影響mos管壽命的因素

MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為一種常見(jiàn)的電子元件，其壽命的長(zhǎng)短對(duì)于電子產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性都有著重要的影響。而影響MOS管壽命的因素也有很多...

2023-12-22 標(biāo)簽：電子元件 MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2588 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理和種類特點(diǎn)

在普通的晶體管中，電流由電子與空穴搬運(yùn)，其“具有兩種極性”，所以被稱為雙極性晶體管。與此相比，N溝道FET是由電子來(lái)搬運(yùn)電流的，P溝道FET是由空穴來(lái)搬...

2024-02-05 標(biāo)簽：晶體管 MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2580 0

mos管漏極電壓增大,為什么溝道變窄

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛使用的半導(dǎo)體器件，它利用電場(chǎng)來(lái)控制電流的流動(dòng)。在MOSFET中，漏極電壓（Vd）是指漏極和源極之間...

2024-09-18 標(biāo)簽：MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管漏極電壓 2558 0

場(chǎng)效應(yīng)管起什么作用場(chǎng)效應(yīng)管類型怎么判斷

場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工...

2023-08-18 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管可變電阻電解電容器 2527 0

什么是MOS管

MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor F...

2024-02-26 標(biāo)簽：MOSFET MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2522 0

如何在電動(dòng)汽車系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)SiC FET設(shè)計(jì)

帶雙輸出反激變換器的半橋電路，為隔離的柵極驅(qū)動(dòng)器供電。在這里，12v軌為隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的主側(cè)和副側(cè)供電。

2021-03-04 標(biāo)簽：隔離電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管反激變換器 2497 0

單層GaSe中電荷轉(zhuǎn)移的理論研究

在這項(xiàng)研究中，使用機(jī)械剝離和分子束外延（MBE）技術(shù)制備了少層 γ-GaSe。通過(guò)對(duì) X 射線光電子能譜（XPS）、X 射線衍射（XRD）、拉曼光譜和二...

2023-06-25 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2434 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管

場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)

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