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      標(biāo)簽　>　場效應(yīng)晶體管

      場效應(yīng)晶體管

      +關(guān)注6人關(guān)注

      場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

      文章：323個(gè) 瀏覽：19972次 帖子：22個(gè)

      場效應(yīng)晶體管技術(shù)

      RF微波功率放大器有哪些半導(dǎo)體材料

      雙極結(jié)型晶體管 BJT是三極管，一種具有三個(gè)端子的電子設(shè)備，由具有三種不同摻雜程度的半導(dǎo)體制成。

      2021-01-21 標(biāo)簽：功率放大器EMC場效應(yīng)晶體管 3907 0

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      放大電路的應(yīng)用實(shí)例

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      圖7-39為三極管寬頻帶視頻放大電路。

      2022-08-14 標(biāo)簽：三極管放大電路場效應(yīng)晶體管 3869 0

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      雙極結(jié)型晶體管使用幾乎相同的原理實(shí)現(xiàn)放大，但具有兩個(gè)半導(dǎo)體界面或結(jié)，而不是一個(gè)。與點(diǎn)接觸晶體管一樣，施加的電壓克服勢壘并使電流流動(dòng)，該電流由較小的輸入電流調(diào)制。

      2022-11-22 標(biāo)簽：三極管晶體管場效應(yīng)晶體管 3826 0

      mos管gs之間電阻阻值怎么選

      MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的GS（柵極...

      2024-09-18 標(biāo)簽：電阻MOS管場效應(yīng)晶體管 3790 0

      場效應(yīng)晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)

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      2023-09-28 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體晶體管 3678 0

      IGBT一些主要的分類方法

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      IGBT的主要功能在于其能夠作為全控器件，即可以觸發(fā)導(dǎo)通，也可以觸發(fā)關(guān)斷。這使得IGBT在電能變換和控制中起到關(guān)鍵作用。

      2024-03-14 標(biāo)簽：MOSFET散熱器IGBT 3662 0

      淺談高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀

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      高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個(gè)重要瓶頸：1）器件漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻隨電壓等級(jí)相應(yīng)增加，其他結(jié)構(gòu)（溝道、JFET區(qū)等）的存在進(jìn)一步提高了總導(dǎo)通電阻。

      2023-05-04 標(biāo)簽：二極管MOSFET導(dǎo)通電阻 3645 0

      看懂低壓降穩(wěn)壓器(LDO)一篇就夠了

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      電源管理是電子系統(tǒng)中的的一個(gè)基本模塊。智能手機(jī)、電腦和我們所熟知的絕大多數(shù)電子產(chǎn)品都需要這個(gè)模塊去實(shí)現(xiàn)本身的功能。

      2023-05-15 標(biāo)簽：電容器電源管理ldo 3629 0

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      五極管（又稱場效應(yīng)晶體管，F(xiàn)ET）和三極管是兩種不同的半導(dǎo)體器件，它們的接法和特性曲線也有很大的差異。

      2023-02-25 標(biāo)簽：三極管五極管FET 3510 0

      場效應(yīng)晶體管和雙極性晶體管有什么區(qū)別

      場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET）和雙極性晶體管（Bipolar Junction Transistor，簡稱B...

      2024-08-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體FET場效應(yīng)晶體管 3452 0

      關(guān)于基于三值文字運(yùn)算的碳納米場效應(yīng)晶體管SRAM的設(shè)計(jì)

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      20世紀(jì)50年代和60年代人們見證了磁放大器的復(fù)興，在此期間，磁放大器被廣泛應(yīng)用于航空航天等其他行業(yè)。

      2023-08-31 標(biāo)簽：電感器磁放大器晶體管 3434 0

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      每一個(gè)新的電路板設(shè)計(jì)都是從一個(gè)想法開始的。然后在規(guī)范中用文字和圖表定義這個(gè)想法。

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      感應(yīng)加熱是一種強(qiáng)大的熱處理技術(shù)，它利用感應(yīng)電流在導(dǎo)電材料內(nèi)產(chǎn)生的電阻加熱來快速加熱金屬物體。

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      具有保護(hù)功能的GaN器件實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)

      氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...

      2020-12-20 標(biāo)簽：開關(guān)電源場效應(yīng)晶體管氮化鎵 3309 0

      場效應(yīng)晶體管 (FET) 實(shí)現(xiàn)帶FET的維恩橋振蕩器

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      反饋振蕩器 振蕩器中使用正反饋來保持運(yùn)行或振蕩。振蕩器基本上是一個(gè)放大器，它具有從輸出返回到輸入的反饋路徑。這允許一部分輸出信號(hào)返回到輸入以保持振蕩。反...

      2021-06-14 標(biāo)簽：振蕩器場效應(yīng)晶體管增益放大器 3307 0

      mos管耐壓是如何測試

      MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的功率器件，其耐壓性能是其重要參數(shù)之一。 MOSFET耐壓測試的重要性 MOSFE...

      2024-08-01 標(biāo)簽：MOS管場效應(yīng)晶體管功率器件 3307 0

      運(yùn)算放大器基本原理圖 運(yùn)放常見的參數(shù)有哪些？運(yùn)放計(jì)算思想

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      運(yùn)算放大器（Integrated Operational Amplifier）簡稱集成運(yùn)放，是一種高電壓增益、高輸入電阻和低輸出電阻的多級(jí)直接耦合放大電路。

      2023-08-16 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器場效應(yīng)晶體管AD轉(zhuǎn)換器 3292 0

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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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        +關(guān)注
        從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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        村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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        TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個(gè)國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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