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場效應(yīng)晶體管

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場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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場效應(yīng)晶體管技術(shù)

nmos與pmos符號(hào)區(qū)別

NMOS和PMOS是常見的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的兩種類型，它們?cè)陔娮悠骷衅鸬讲煌淖饔?。NMOS和PMOS的符號(hào)和電路結(jié)構(gòu)差異...

2023-12-18 標(biāo)簽：電路 NMOS 場效應(yīng)晶體管 1.1萬 0

MOSFET發(fā)生EOS的失效模式有哪些？如何區(qū)分是什么原因失效的？

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，其主要功能是控制電流的流動(dòng)。

2023-12-15 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)晶體管 EOS 1.1萬 0

場效應(yīng)晶體管的分類說明

場效應(yīng)晶體管根據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同分類，體管（金屬氧化物半導(dǎo)體型）兩大類?？煞譃橐韵?種?？煞譃榻Y(jié)型場效應(yīng)晶體管與絕緣柵型場效應(yīng)晶體管。

2020-09-18 標(biāo)簽：晶體管場效應(yīng)晶體管 9602 0

增強(qiáng)型MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)

MOSFET是一種具有絕緣柵的場效應(yīng)晶體管，主要用于放大或切換信號(hào)。在當(dāng)前模擬和數(shù)字電路中，與BJT相比，MOSFET的使用頻率更高一些。

2022-09-20 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)晶體管 9190 0

如何設(shè)計(jì)一個(gè)nmos管和一個(gè)pmos管的開關(guān)電路

設(shè)計(jì)一個(gè)NMOS和PMOS管的開關(guān)電路涉及到電路的基礎(chǔ)知識(shí)、原理和設(shè)計(jì)過程。在本文中，我們將詳細(xì)討論NMOS和PMOS管的工作原理、開關(guān)電路的設(shè)計(jì)考慮因...

2023-12-21 標(biāo)簽：開關(guān)電路場效應(yīng)晶體管 NMOS管 8587 0

結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理

在PN結(jié)施加反向電壓，耗盡層會(huì)逐漸變寬，通過改變耗盡層寬度來對(duì)導(dǎo)電通道進(jìn)行控制。

2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管場效應(yīng)晶體管 8148 0

場效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

　　場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡稱FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場效應(yīng)...

2023-05-17 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體晶體管 8101 0

柵氧化層和多晶硅柵工藝示意圖解析

當(dāng)核心區(qū)域和 I/O 區(qū)域都已經(jīng)生長晶體管后，沉積多晶硅層（Poly-Si）和硬掩模層（薄的SiON和PECVD二氧化硅）。沉積柵疊層(Cate-Sta...

2022-12-08 標(biāo)簽：CMOS 晶體管場效應(yīng)晶體管 7664 1

淺談結(jié)型場效應(yīng)晶體管 (JFET) 的特性

結(jié)型場效應(yīng)晶體管的溝道由 N 型半導(dǎo)體或 P 型半導(dǎo)體材料組成，柵極由相反的半導(dǎo)體類型制成。N 溝道摻雜有施主雜質(zhì)，其中通過溝道的電流以電子的形式為負(fù)。...

2021-06-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 FET 場效應(yīng)晶體管 7572 0

FET與BJT的比較 FET的分類介紹

　　FET的全稱是場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor)，和BJT不同，F(xiàn)ET的核心工作原理是：通過在半導(dǎo)體上施加一個(gè)電場來改變...

2023-02-03 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 FET 7442 0

場效應(yīng)管的基礎(chǔ)知識(shí)

場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管，是較新型的半導(dǎo)體材料，利用電場效應(yīng)來控制晶體管的電流，因而得名...

2022-09-20 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)管場效應(yīng)晶體管 7293 0

MOSFET與BJT之間有何不同？MOSFET和BJT之間哪個(gè)更好？

金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）是一種場效應(yīng)晶體管（FET），由三個(gè)端子-柵極、源極和漏極組成。在MOSFET中，漏極由柵極端的電壓控制，因...

2023-07-07 標(biāo)簽：MOSFET FET 場效應(yīng)晶體管 6731 0

場效應(yīng)晶體管怎么代替繼電器晶體管輸出和繼電器輸出的區(qū)別

繼電器通過通斷線圈產(chǎn)生磁場來控制機(jī)械開關(guān)，實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的控制。而場效應(yīng)晶體管（MOS管）是一種基于半導(dǎo)體材料工作的場效應(yīng)晶體管，通過柵極施加正負(fù)偏壓來控制...

2024-02-18 標(biāo)簽：繼電器 cpu 場效應(yīng)晶體管 6483 0

pmos和nmos組成構(gòu)成什么電路

PMOS和NMOS是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的兩種類型。 PMOS和NMOS是MOSFET的兩種互補(bǔ)型式，也稱為CMOS技術(shù)，其...

2023-12-07 標(biāo)簽：電路 NMOS 場效應(yīng)晶體管 6465 1

兩列典型的場效應(yīng)晶體管應(yīng)用電路

電路中C1和C2分別是輸入端耦合電容和輸出端耦合電容。電路中的正極性電源通過漏極負(fù)載電阻R2，把電壓加在了場效應(yīng)晶體管的漏極，而負(fù)極性電源通過柵極偏置電...

2019-10-13 標(biāo)簽：應(yīng)用電路場效應(yīng)晶體管 6379 0

采用隔離拓?fù)?，保障DC/DC控制器的VIN最大額定值

在如今的許多應(yīng)用中，要求的額定輸入電壓超過許多現(xiàn)有DC/DC控制器的VIN最大額定值。對(duì)此，傳統(tǒng)的解決辦法包括使用昂貴的前端保護(hù)或?qū)崿F(xiàn)低端柵極驅(qū)動(dòng)器件。...

2018-03-02 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管 DC/DC轉(zhuǎn)換器 LM5085 6169 0

光伏逆變器的組成元件、負(fù)載類型與工作原理

這是光伏逆變器的核心部分，負(fù)責(zé)實(shí)現(xiàn)直流電（DC）到交流電（AC）的轉(zhuǎn)換。功率模塊通常包含多個(gè)功率半導(dǎo)體器件，如晶體管、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）或金屬...

2024-04-25 標(biāo)簽：光伏系統(tǒng)場效應(yīng)晶體管光伏逆變器 6126 0

MOSFET原理詳解與參數(shù)測試（1）

MOSFET又叫場效應(yīng)晶體管，要想學(xué)好MOS管，首先我們要對(duì)標(biāo)三極管來學(xué)。我們說，三極管有N管和P管，同樣的，MOS管也有N型和P型。

2023-05-26 標(biāo)簽：三極管 MOSFET NMOS 6054 0

淺談金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管

通過將柵極放置在絕緣氧化層上來控制 MOSFET 溝道區(qū)的導(dǎo)電性。作為跨絕緣介電層電容感應(yīng)的電場的結(jié)果，溝道的電導(dǎo)率由施加到柵極的電壓控制。

2021-06-14 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 6014 0

深度解讀提高芯片計(jì)算的密度晶體管堆疊技術(shù)

兩種晶體管一起造——英特爾正在研究的晶體管堆疊技術(shù)將大幅度提高芯片的計(jì)算密度。 ? 目前我們所熟知的臺(tái)積電、三星、英特爾、格芯、中芯國際等芯片代工廠量產(chǎn)...

2021-01-06 標(biāo)簽：CMOS 英特爾逆變器 5840 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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場效應(yīng)晶體管

場效應(yīng)晶體管技術(shù)

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