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標(biāo)簽 > 多晶硅
多晶硅,是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來,就結(jié)晶成多晶硅。
多晶硅,是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來,就結(jié)晶成多晶硅。
利用價(jià)值:從目前國際太陽電池的發(fā)展過程可以看出其發(fā)展趨勢(shì)為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。
多晶硅,是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來,就結(jié)晶成多晶硅。
利用價(jià)值:從目前國際太陽電池的發(fā)展過程可以看出其發(fā)展趨勢(shì)為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。
多晶硅(polycrystalline silicon)有灰色金屬光澤,密度2.32~2.34g/cm3。熔點(diǎn)1410℃。沸點(diǎn)2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間,室溫下質(zhì)脆,切割時(shí)易碎裂。加熱至800℃以上即有延性,1300℃時(shí)顯出明顯變形。常溫下不活潑,高溫下與氧、氮、硫等反應(yīng)。高溫熔融狀態(tài)下,具有較大的化學(xué)活潑性,能與幾乎任何材料作用。具有半導(dǎo)體性質(zhì),是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料,但微量的雜質(zhì)即可大大影響其導(dǎo)電性。電子工業(yè)中廣泛用于制造半導(dǎo)體收音機(jī)、錄音機(jī)、電冰箱、彩電、錄像機(jī)、電子計(jì)算機(jī)等的基礎(chǔ)材料。由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下氯化,再經(jīng)冷凝、精餾、還原而得。
多晶硅可作拉制單晶硅的原料,多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如,在力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)和熱學(xué)性質(zhì)的各向異性方面,遠(yuǎn)不如單晶硅明顯;在電學(xué)性質(zhì)方面,多晶硅晶體的導(dǎo)電性也遠(yuǎn)不如單晶硅顯著,甚至于幾乎沒有導(dǎo)電性。在化學(xué)活性方面,兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別,但真正的鑒別須通過分析測(cè)定晶體的晶面方向、導(dǎo)電類型和電阻率等。多晶硅是生產(chǎn)單晶硅的直接原料,是當(dāng)代人工智能、自動(dòng)控制、信息處理、光電轉(zhuǎn)換等半導(dǎo)體器件的電子信息基礎(chǔ)材料。
LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)
本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹,重點(diǎn)解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn),并結(jié)合不同工藝條件對(duì)材...
鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù),該方法先將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化,隨后利用翻轉(zhuǎn)機(jī)械將其注入模具內(nèi)結(jié)晶凝固,最初主要用于生產(chǎn)等軸多晶硅。近年來,為提升...
在全球積極推動(dòng)清潔能源轉(zhuǎn)型的大背景下,太陽能光伏產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展,而多晶硅作為光伏產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵起始原料,其質(zhì)量和性能直接關(guān)系到整個(gè)光伏系統(tǒng)的發(fā)電效率和穩(wěn)定性...
2024-12-27 標(biāo)簽:多晶硅存儲(chǔ)光伏系統(tǒng) 551 0
硅片形貌效應(yīng)及其與底部抗反射涂層(BARC)沉積策略關(guān)系的解析
硅片形貌效應(yīng)在光刻工藝中十分重要,特別是在現(xiàn)代集成電路制造中,如FinFET等先進(jìn)器件結(jié)構(gòu)以及雙重圖形技術(shù)的廣泛應(yīng)用下,硅片表面的微小不平整性對(duì)光刻結(jié)果...
當(dāng)柵與襯底之間存在壓差時(shí),它們之間存在電場(chǎng),靜電邊界條件使多晶硅靠近氧化層界面附近的能帶發(fā)生彎曲,并且電荷耗盡,從而形成多晶硅柵耗盡區(qū)。該耗盡區(qū)會(huì)在多晶...
控制多晶硅(poly-Si)/4H-SiC異質(zhì)結(jié)二極管能壘高度(ΦB)的方法立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2024-04-23 標(biāo)簽:多晶硅電流二極管
本文介紹了單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨(dú)特的工藝優(yōu)勢(shì),它具備進(jìn)行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處...
? ? ? ?多晶硅還原爐內(nèi),硅芯起著至關(guān)重要的作用。?? 在多晶硅的生長過程中,硅芯的表面會(huì)逐漸被新沉積的硅層所覆蓋,形成多晶硅晶體,它主要作為沉積硅...
多晶硅生產(chǎn)污水處理設(shè)備數(shù)據(jù)采集方案
多晶硅作為一種關(guān)鍵的功能材料,在集成電路、晶體管、太陽能電池等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。然而,多晶硅生產(chǎn)過程中需要使用大量的水,如冷卻水、清洗水、反應(yīng)水等。這...
2024-09-02 標(biāo)簽:多晶硅數(shù)據(jù)采集 306 0
光伏產(chǎn)業(yè)鏈2024年上半年強(qiáng)勁增長,引領(lǐng)全球綠色能源轉(zhuǎn)型
隨著全球?qū)稍偕茉葱枨蟮某掷m(xù)攀升,中國光伏產(chǎn)業(yè)在2024年上半年展現(xiàn)出了前所未有的強(qiáng)勁增長態(tài)勢(shì),各環(huán)節(jié)數(shù)據(jù)均創(chuàng)歷史新高,不僅鞏固了中國在全球光伏領(lǐng)域的...
天合光能再度登上《新聞聯(lián)播》,700W+光伏組件實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展
4月6日,繼央視《新聞聯(lián)播》全國兩會(huì)高頻報(bào)道天合光能之后,時(shí)隔一月再度關(guān)注天合光能青?;厣a(chǎn)700W+超大功率光伏組件,并與當(dāng)?shù)厣舷掠纹髽I(yè)實(shí)現(xiàn)協(xié)同發(fā)展。
蓉矽半導(dǎo)體SiC MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)考核和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性驗(yàn)證
蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考...
國內(nèi)首顆車載LCD顯示屏電源管理芯片EPA9900量產(chǎn)
數(shù)智時(shí)代,在汽車產(chǎn)業(yè)電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化趨勢(shì)推動(dòng)下,車載顯示正朝著多屏、大尺寸、高清方向蓬勃發(fā)展,帶動(dòng)車規(guī)級(jí)顯示屏電源管理芯片(PMIC)需求不斷上漲。
單晶光伏板和多晶光伏板的區(qū)別? 單晶光伏板和多晶光伏板是目前最常用的兩種太陽能光伏電池板。它們?cè)诓牧?、生產(chǎn)工藝、性能和成本等方面存在一些明顯的區(qū)別。本文...
千億光伏巨頭通威股份以280億逆勢(shì)擴(kuò)產(chǎn)!
需要提及的是,年內(nèi)四度宣布擴(kuò)產(chǎn)的背景,則是硅料價(jià)格一路下滑。根據(jù)硅業(yè)分會(huì)數(shù)據(jù)顯示,截至12月20日,當(dāng)周N型硅料成交區(qū)間在6.5-7萬元/噸,成交均價(jià)為...
2023-12-29 標(biāo)簽:多晶硅光伏產(chǎn)業(yè) 898 0
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