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標(biāo)簽 > 封裝
封裝,Package,是把集成電路裝配為芯片最終產(chǎn)品的過程,簡單地說,就是把Foundry生產(chǎn)出來的集成電路裸片(Die)放在一塊起到承載作用的基板上,把管腳引出來,然后固定包裝成為一個整體。作為動詞,“封裝”強調(diào)的是安放、固定、密封、引線的過程和動作;
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TPSM843820E 4V 至 18V 輸入、8A 同步 SWIFT? 降壓電源模塊,具有擴展溫度數(shù)據(jù)手冊
TPSM843820E 是一款高效、小型、靈活的同步降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,采用 MicroSiP 功率模塊封裝,易于使用。該模塊可在高達 18V 的...
TPSM843620E 4V 至 18V 輸入、6A 同步 SWIFT? 降壓電源模塊,具有擴展溫度數(shù)據(jù)手冊
TPSM843620E 是一款高效、小型、靈活的同步降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,采用易于使用的 MicroSiP 功率模塊封裝。該模塊可在高達 18V 的...
TPSM86638 4.5V 至 28V 輸入電壓,6A FCCM 模式,帶 QFN 封裝的同步降壓模塊數(shù)據(jù)手冊
TPSM8663x 是一款高效、高電壓輸入、易于使用的同步降壓電源模塊。該器件集成了功率 MOSFET、屏蔽式電感器和基本型無源器件,從而最大限度地減小...
Allegro Skill封裝功能之導(dǎo)出單個封裝介紹
在PCB設(shè)計中,若需提取特定封裝,傳統(tǒng)用Allegro自帶導(dǎo)出方法需通過"File→Export→Libraries"導(dǎo)出全部封裝庫文件。
2025-04-16 標(biāo)簽:封裝PCB設(shè)計allegro 1050 0
TLVM14404 36V 輸入,雙 2A 輸出功率模塊數(shù)據(jù)手冊
TLVM1440x 是一款高度集成的 36V 輸入型 DC/DC 設(shè)計,將功率 MOSFET、屏蔽式電感器和無源器件組合在增強型 HotRod? QFN...
TPSM83102 1.5A 輸出電流、降壓-升壓 MicroSiP? 電源模塊,帶 I2C 集成電感器數(shù)據(jù)手冊
TPSM83102 和 TPSM83103 是采用 samll μSiP 模塊封裝的恒頻峰值電流模式控制降壓-升壓轉(zhuǎn)換器。它具有 3A 峰值電流限制 (...
UCC33421-Q1 汽車級 5V/5V、1.5W 5kVrms 隔離式 DC-DC 電源模塊,帶集成變壓器數(shù)據(jù)手冊
UCC33421-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的 DC/DC 電源模塊,采用集成變壓器技術(shù),旨在提供 1.5W 的隔離輸出功率。它可以支持 4.5V 至 5...
TPSM82843 275nA IQ、0.4V 至 3.6V 可選 VOUT、600mA 降壓轉(zhuǎn)換器模塊技術(shù)手冊
高效 TPSM82843x 降壓轉(zhuǎn)換器系列支持 275nA 的超低 IQ(典型工作靜態(tài)電流)和僅 4nA 的典型關(guān)斷電流。該電感器集成到 QFN 封裝中...
2025-04-16 標(biāo)簽:電流封裝降壓轉(zhuǎn)換器 332 0
UCC33020-Q1 汽車級 3V 至 5.5V/5V、1W 3kVrms DC-DC 隔離式電源模塊,帶集成變壓器數(shù)據(jù)手冊
UCC33020-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的 DC/DC 電源模塊,采用集成變壓器技術(shù),旨在提供 1.0W 的隔離輸出功率。它可以支持 3.0V 至 5...
UCC33420 5V/5V 1.5W 3kVrms 隔離式 DC-DC 模塊,帶集成變壓器數(shù)據(jù)手冊
UCC33420 是一款工業(yè) DC/DC 電源模塊,采用集成變壓器技術(shù),旨在提供 1.5W 的隔離輸出功率。它可以支持 4.5V 至 5.5V 的輸入電...
CSD23285F5 -12V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.8mm x 1.5mm、35mOhm、柵極 ESD 保護技術(shù)手冊
這種 29mΩ、–12V、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術(shù)經(jīng)過設(shè)計和優(yōu)化,可在許多手持式和移動應(yīng)用中最大限度地減小占用空間。該技術(shù)能夠取...
CSD17581Q3A 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊
這款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換損耗 應(yīng)用。 *附件:CSD...
CSD17585F5 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.8mm x 1.5mm、33mOhm、柵極 ESD 保護數(shù)據(jù)手冊
這種 30V、22mΩ、N 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術(shù)經(jīng)過設(shè)計和優(yōu)化,可在許多手持式和移動應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代...
CSD13380F3 12V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護技術(shù)手冊
這款 63mΩ、12V N 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過設(shè)計和優(yōu)化,可在許多手持式和移動應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)準(zhǔn)...
CSD18543Q3A 60V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊
這款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換中的損耗 應(yīng)用。 *附件:C...
Cadence UCIe IP在Samsung Foundry的5nm汽車工藝上實現(xiàn)流片成功
我們很高興能在此宣布,Cadence 基于 UCIe 標(biāo)準(zhǔn)封裝 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽車工藝上實現(xiàn)首次流片成功。這一...
CSD18510Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊
這款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:CSD18...
CSD22205L -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、柵極ESD保護數(shù)據(jù)手冊
這款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列 (LGA) NexFET? 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,并...
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