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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非?？?，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非?？?，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
2016年，勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，完成了計(jì)算技術(shù)界的一大突破。
嚴(yán)格意義上講，晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅等。晶體管有時(shí)多指晶體三極管。
晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。
晶體管有三個(gè)極；雙極性晶體管的三個(gè)極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極（Base） 和集電極（Collector）;場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
晶體管因?yàn)橛腥N極性，所以也有三種的使用方式，分別是發(fā)射極接地（又稱共射放大、CE組態(tài)）、基極接地（又稱共基放大、CB組態(tài)）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器）。
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非?？?，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
2016年，勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，完成了計(jì)算技術(shù)界的一大突破。
嚴(yán)格意義上講，晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅等。晶體管有時(shí)多指晶體三極管。
晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。
晶體管有三個(gè)極；雙極性晶體管的三個(gè)極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極（Base） 和集電極（Collector）;場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
晶體管因?yàn)橛腥N極性，所以也有三種的使用方式，分別是發(fā)射極接地（又稱共射放大、CE組態(tài)）、基極接地（又稱共基放大、CB組態(tài)）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器）。
包括器件固有可靠性和使用可靠性。固有可靠性問(wèn)題包括安全工作區(qū)、閂鎖效應(yīng)、雪崩耐量、短路能力及功耗等，使用可靠性問(wèn)題包括并聯(lián)均流、軟關(guān)斷、電磁干擾及散熱等。
方便地實(shí)現(xiàn)電氣隔離，而且僅需一級(jí)功率變換實(shí)現(xiàn)隔離的AC/DC、DC/DC、DC/AC和AC/AC。
概倫電子千兆級(jí)高精度電路仿真器NanoSpice Giga介紹
NanoSpiceGiga是概倫電子自主研發(fā)的千兆級(jí)晶體管級(jí)SPICE電路仿真器，通過(guò)基于大數(shù)據(jù)的并行仿真引擎處理十億以上單元的電路仿真，可以用于各類存...
芯片，是人類科技的精華，也被稱為現(xiàn)代工業(yè)皇冠上的明珠。芯片的基本組成是晶體管。晶體管的基本工作原理其實(shí)并不復(fù)雜，但在指甲蓋那么小的面積里，塞入數(shù)以百億級(jí)...
概倫電子先進(jìn)數(shù)字仿真器VeriSim介紹
VeriSim是一款先進(jìn)的邏輯仿真器，提供全面的數(shù)字設(shè)計(jì)驗(yàn)證解決方案，特別適用于大型SoC設(shè)計(jì)。它配備高性能的仿真引擎和約束求解器，旨在提高編譯時(shí)效率，...
2025-04-22 標(biāo)簽：仿真器SoC設(shè)計(jì)晶體管 122 0
飛虹MOS管FHP180N08V在音響功放中的應(yīng)用
音響功放領(lǐng)域的MOS管在不斷迭代，近年來(lái)都是往高效、高功率密度和低失真的發(fā)展趨勢(shì)。對(duì)于音響功放影響其失真的因素會(huì)有很多，在MOS管領(lǐng)域就會(huì)有跨導(dǎo)（gm）...
浮思特 | CMOS技術(shù)原理與應(yīng)用：從晶體管結(jié)構(gòu)到反相器設(shè)計(jì)
MOSFET在數(shù)字電路中的常見形式是互補(bǔ)MOS(CMOS)電路。CMOS技術(shù)將n溝道和p溝道MOSFET成對(duì)集成在同一芯片上，成為數(shù)字集成電路的主導(dǎo)技術(shù)...
本文介紹了在芯片制造中的應(yīng)變硅技術(shù)的原理、材料選擇和核心方法。
ULN2003 7通道SOP16封裝達(dá)林頓晶體管驅(qū)動(dòng)器英文手冊(cè)立即下載
類別：IC datasheet pdf 2025-04-17 標(biāo)簽：晶體管達(dá)林頓晶體管
SC2020晶體管參數(shù)測(cè)試儀/?半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)介紹立即下載
類別：工控技術(shù) 2025-04-16 標(biāo)簽：測(cè)試儀晶體管半導(dǎo)體分立器件
MJE13005D高壓快速開關(guān)NPN功率晶體管英文手冊(cè)立即下載
類別：IC datasheet pdf 2025-03-21 標(biāo)簽：晶體管NPN
此前，4月15-17日，士蘭微電子亮相了2025慕尼黑上海電子展。本次展會(huì)，士蘭微全面展示了家電、汽車、工業(yè)級(jí)新能源、AI算力&智能終端及機(jī)器人...
三菱電機(jī)開始提供全SiC和混合SiC SLIMDIP樣品
三菱電機(jī)集團(tuán)今日宣布，將于4月22日開始供應(yīng)兩款新型空調(diào)及家電用SLIMDIP系列功率半導(dǎo)體模塊樣品——全SiC SLIMDIP（PSF15SG1G6）...
浮思特 | 晶圓級(jí)石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管生物傳感器陣列的集成與應(yīng)用研究
近年來(lái)，生物傳感器的發(fā)展已成為一個(gè)重要的研究重點(diǎn)，具有改革醫(yī)療和診斷的潛力。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，生物傳感器是通過(guò)生成與反應(yīng)中分析物濃度成正比的信號(hào)來(lái)測(cè)量生物反應(yīng)的...
三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，將于5月1日開始供應(yīng)其新型XB系列高壓絕緣柵雙極型晶體管（HVIGBT）模塊的樣品。該模塊是一款3.3kV/1500A的大容量功率...
在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下，功率器件的性能和效率面臨著越來(lái)越高的要求。碳化硅（SiC）作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能，...
Bourns HVMA03F4A-LP8S門驅(qū)動(dòng)變壓器的特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)
IGBT 和 SiC 門驅(qū)動(dòng)器通常需要 +15V 到 +20V 的門電壓以實(shí)現(xiàn)開通，0V 到 -5V 的電壓以確?？煽康年P(guān)斷。采用負(fù)門電壓可以增強(qiáng)抗噪聲...
意法半導(dǎo)體MasterGaN與VIPerGaN產(chǎn)品家族介紹
隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷革新，智能功率氮化鎵（GaN）成為備受矚目的關(guān)鍵技術(shù)。它融合了氮化鎵材料高電子遷移率、低導(dǎo)通電阻、耐高溫高壓的特性，以及智能控制電路和...
2025-03-24 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 546 0
全球電子行業(yè)每年生產(chǎn)數(shù)萬(wàn)億個(gè)半導(dǎo)體電子元件，如集成電路(IC)、晶體管、二極管和發(fā)光二極管等。從智能手機(jī)到汽車，各種電子設(shè)備都嵌入了這些小巧的技術(shù)元件，...
onsemi推出新一代SiC智能電力模塊，助力降低能耗與系統(tǒng)成本
近日，半導(dǎo)體技術(shù)公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能電力模塊(IPM)，型號(hào)為SPM31。這款以金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(...
在電力電子領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件，扮演著至關(guān)重要的角色。其封裝技術(shù)不僅直接影響到IGBT模塊的性能、可靠性和使...
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